Gutmann ronald (45 resultados)
Idioma: Inglés
Editorial: Wiley, New York, 2000
- Tapa dura
- Primera edición
Librería: Pride and Prejudice-Books, Ballston Lake, NY, Estados Unidos de AmericaPride and Prejudice-Books
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EUR 10,67
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Idioma: Inglés
Editorial: McGraw-Hill Inc., New York, 1978
- Tapa blanda
Librería: Xochi's Bookstore & Gallery, truth or consequences, NM, Estados Unidos de AmericaXochi's Bookstore & Gallery
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Chemical-Mechanical Polishing of Low Dielectric Constant Polymers and Organosilicate Glasses. Fundamental Mechanisms and Application to IC Interconnect Technology.
Borst, Christopher Lyle, William N. Gill and Ronald J. Gutmann:
- Tapa dura
Librería: Antiquariat Thomas Haker GmbH & Co. KG, Berlin, AlemaniaAntiquariat Thomas Haker GmbH & Co. KG
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Condición: Usado - Excelente
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Hardcover. Condición: Sehr gut. 243 S.; Ill. Very good. Shrink wrapped. Sprache: Englisch Gewicht in Gramm: 685.
- Tapa dura
Librería: Hamelyn, Madrid, M, EspañaHamelyn
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Condición: Bueno. : Este libro es una guía completa sobre el estado del arte y la dirección futura de la tecnología de interconexión de cobre. Debido a sus ventajas de rendimiento, la metalización de cobre para la interconexión de circuitos integrados está atrayendo un gran interés en la comunidad de semiconductores en todo el m…undo. Los autores se basan en más de una década de participación en la investigación de interconexión de cobre, integrando grandes cantidades de conocimiento disponible y aclarando la conexión entre los principios mecanicistas y las tecnologías relevantes. Cuenta con amplias referencias, tablas y más de 100 ilustraciones, incluyendo el patrón de doble Damasceno necesario para las interconexiones de cobre. EAN: 9780471252566 Tipo: Libros Categoría: Tecnología|Ciencias Título: Copper-Fundamental Mechanisms for Microelectronic Applications Autor: Shyam P. Murarka| Igor V. Verner| Ronald J. Gutmann Editorial: Wiley-Interscience Idioma: en Páginas: 384 Formato: tapa dura.
On Risk and Disaster: Lessons from Hurricane Katrina
Daniels, Ronald J. [Editor]; Kettl, Donald F. [Editor]; Kunreuther, Howard [Editor]; Gutmann, Amy [Contributor];
- Tapa blanda
Librería: BennettBooksLtd, Los Angeles, CA, Estados Unidos de AmericaBennettBooksLtd
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paperback. Condición: New. In shrink wrap. Looks like an interesting title.
- Tapa blanda
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EUR 71,15
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Paper Back. Condición: Very Good+. No Jacket. Reprint. SC staple-bound w/no title on spine; yellow w/black; some rub w/clean, tight pgs. Pencil marks on front cover and cover page. Operation Update Series in Integrated Circuit Technology and Applications.
Chemical-Mechanical Polishing Of Low Dielectric Constant Polymers And Organosilicate Glasses (Hb)
Borst, Christopher Lyle; Gill, William N.; Gutmann, Ronald J.
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Chemical-Mechanical Polishing Of Low Dielectric Constant Polymers And Organosilicate Glasses (Hb)
Borst, Christopher Lyle; Gill, William N.; Gutmann, Ronald J.
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On Risk and Disaster: Lessons from Hurricane Katrina
Ronald J. Daniels|Donald F. Kettl|Howard Kunreuther|Amy Gutmann
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Condición: New. Leading experts address questions of public and private roles in assessing, managing, and mitigating major risks to public health and safety in light of the devastation caused by Hurricane Katrina.Über den AutorRonald J. Daniels.
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Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2008
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Chemical-mechanical Polishing Of Low Dielectric Constant Polymers And Organosilicate Glasses: Fundamental Mechanisms And Application To Ic Interconnect Technology
Borst, Christopher Lyle; Gill, William N.; Gutmann, Ronald J.
- Tapa dura
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Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2008
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Chemical Mechanical Planarization of Microelectronic Materials
Steigerwald, Joseph M.; Murarka, Shyam P.; Gutmann, Ronald J.
- Tapa dura
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Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2008
- Tapa dura
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Librería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino UnidoRia Christie Collections
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EUR 165,92
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Condición: New. In.
Chemical-Mechanical Polishing of Low Dielectric Constant Polymers and Organosilicate Glasses: Fundamental Mechanisms and Application to IC Interconnect Technology
Borst, Christopher Lyle Lyle; Gill, William N.; Gutmann, Ronald J.
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Librería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino UnidoRia Christie Collections
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EUR 165,92
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Condición: New. In.
Chemical-Mechanical Polishing of Low Dielectric Constant Polymers and Organosilicate Glasses: Fundamental Mechanisms and Application to IC Interconnect Technology
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EUR 165,92
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Librería: Books Puddle, New York, NY, Estados Unidos de AmericaBooks Puddle
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Envío por EUR 3,45Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 4 disponibles
Condición: New. pp. 248.
- Tapa blanda
Librería: Books Puddle, New York, NY, Estados Unidos de AmericaBooks Puddle
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EUR 212,44
Envío por EUR 3,45Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 4 disponibles
Condición: New. pp. 376.
Más imágenes- Tapa blanda
Librería: preigu, Osnabrück, Alemaniapreigu
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Envío por EUR 70,00Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 5 disponibles
Taschenbuch. Condición: Neu. Wafer Level 3-D ICS Process Technology | Chuan Seng Tan (u. a.) | Taschenbuch | xii | Englisch | 2010 | Springer Us | EAN 9781441945624 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu.
- Tapa dura
Librería: Kennys Bookshop and Art Galleries Ltd., Galway, GY, IrlandaKennys Bookshop and Art Galleries Ltd.
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EUR 200,60
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Condición: New. Merges the complex chemical-mechanical planarization (CMP) models and mechanisms that have evolved over the years with experimental results with copper and low-kappa CMP to develop a comprehensive mechanism for low- and high-removal-rate processes. This book looks into the fundamental reaction kinetics. Num Pages…: 229 pages, biography. BIC Classification: TDCP. Category: (P) Professional & Vocational; (UP) Postgraduate, Research & Scholarly. Dimension: 234 x 156 x 15. Weight in Grams: 532. . 2002. Hardback. . . . .
- Tapa blanda
Librería: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, AlemaniaAHA-BUCH GmbH
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Taschenbuch. Condición: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Three-dimensional (3D) integration is clearly the simplest answer to most of the semiconductor industry's vexing problems: heterogeneous integration and red- tions of power, form factor, delay, and even cost. Conceptually the power, latency, and fo…rm factor of a system with a xed number of transistors all scale roughly linearly with the diameter of the smallest sphere enclosing frequently interacting devices. This clearly provides the fundamental motivation behind 3D technologies which vertically stack several strata of device and interconnect layers with high vertical interconnectivity. In addition, the ability to vertically stack strata with - vergent and even incompatible process ows provides for low cost and low parasitic integration of diverse technologies such as sensors, energy scavengers, nonvolatile memory, dense memory, fast memory, processors, and RF layers. These capabilities coupled with today's trends of increasing levels of integrated functionality, lower power, smaller form factor, increasingly divergent process ows, and functional diversi cation would seem to make 3D technologies a natural choice for most of the semiconductor industry. Since the concept of vertical integration of different strata has been around for over 20 years, why aren't vertically stacked strata endemic to the semiconductor industry The simple answer to this question is that in the past, the 3D advantages while interesting were not necessary due to the tremendous opportunities offered by geometric scaling. In addition, even when the global interconnect problem of high-performance single-core processors seemed insurmountable without inno- tions such as 3D, alternative architectural solutions such as multicores could eff- tivelydelaybutnoteliminatetheneedfor3D.
Idioma: Inglés
Editorial: Springer, Springer, 2008
- Tapa dura
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EUR 168,73
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Buch. Condición: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Three-dimensional (3D) integration is clearly the simplest answer to most of the semiconductor industry's vexing problems: heterogeneous integration and red- tions of power, form factor, delay, and even cost. Conceptually the power, latency, and form fact…or of a system with a xed number of transistors all scale roughly linearly with the diameter of the smallest sphere enclosing frequently interacting devices. This clearly provides the fundamental motivation behind 3D technologies which vertically stack several strata of device and interconnect layers with high vertical interconnectivity. In addition, the ability to vertically stack strata with - vergent and even incompatible process ows provides for low cost and low parasitic integration of diverse technologies such as sensors, energy scavengers, nonvolatile memory, dense memory, fast memory, processors, and RF layers. These capabilities coupled with today's trends of increasing levels of integrated functionality, lower power, smaller form factor, increasingly divergent process ows, and functional diversi cation would seem to make 3D technologies a natural choice for most of the semiconductor industry. Since the concept of vertical integration of different strata has been around for over 20 years, why aren't vertically stacked strata endemic to the semiconductor industry The simple answer to this question is that in the past, the 3D advantages while interesting were not necessary due to the tremendous opportunities offered by geometric scaling. In addition, even when the global interconnect problem of high-performance single-core processors seemed insurmountable without inno- tions such as 3D, alternative architectural solutions such as multicores could eff- tivelydelaybutnoteliminatetheneedfor3D.
Idioma: Inglés
Editorial: Springer Verlag, 2008
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Librería: Revaluation Books, Exeter, Reino UnidoRevaluation Books
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EUR 235,43
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Hardcover. Condición: Brand New. 1st edition. 410 pages. 9.75x9.50x0.75 inches. In Stock.
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Librería: Kennys Bookstore, Olney, MD, Estados Unidos de AmericaKennys Bookstore
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EUR 250,77
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Condición: New. Merges the complex chemical-mechanical planarization (CMP) models and mechanisms that have evolved over the years with experimental results with copper and low-kappa CMP to develop a comprehensive mechanism for low- and high-removal-rate processes. This book looks into the fundamental reaction kinetics. Num Pages…: 229 pages, biography. BIC Classification: TDCP. Category: (P) Professional & Vocational; (UP) Postgraduate, Research & Scholarly. Dimension: 234 x 156 x 15. Weight in Grams: 532. . 2002. Hardback. . . . . Books ship from the US and Ireland.
Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2008
- Tapa dura
Librería: Mispah books, Redhill, SURRE, Reino UnidoMispah books
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EUR 245,54
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Hardcover. Condición: Like New. LIKE NEW. SHIPS FROM MULTIPLE LOCATIONS. book.
