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9783319868554 - Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip de Meinerzhagen, Pascal; Teman, Adam; Giterman, Robert; Edri, Noa; Burg, Andreas; Fish, Alexander (11 resultados)
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Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip
Librería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 127,63
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Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip
Librería: Books Puddle, New York, NY, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 171,36
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Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip
Librería: preigu, Osnabrück, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 104,15
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Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip | Pascal Meinerzhagen (u. a.) | Taschenbuch | ix | Englisch | 2018 | Springer | EAN 9783319868554 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu.
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Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip
Idioma: Inglés
Publicado por Springer International Publishing, Springer International Publishing, 2018
ISBN 10: 3319868551 ISBN 13: 9783319868554
Librería: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 117,69
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Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book pioneers the field of gain-cell embedded DRAM (GC-eDRAM) design for low-power VLSI systems-on-chip (SoCs). Novel GC-eDRAMs are specifically designed and optimized for a range of low-power VLSI SoCs, ranging from ultra-low power to power-aware high-performance applications. After a detailed review of prior-art GC-eDRAMs, an analytical retention time distribution model is introduced and validated by silicon measurements, which is key for low-power GC-eDRAM design. The book then investigates supply voltage scaling and near-threshold voltage (NTV) operation of a conventional gain cell (GC), before presenting novel GC circuit and assist techniques for NTV operation, including a 3-transistor full transmission-gate write port, reverse body biasing (RBB), and a replica technique for optimum refresh timing. Next, conventional GC bitcells are evaluated under aggressive technology and voltage scaling (down to the subthreshold domain), before novel bitcells for aggressively scaled CMOS nodes and soft-error tolerance as presented, including a 4-transistor GC with partial internal feedback and a 4-transistor GC with built-in redundancy.
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Gain-cell Embedded Drams for Low-power Vlsi Systems-on-chip
Librería: Revaluation Books, Exeter, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 163,60
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Añadir al carritoPaperback. Condición: Brand New. reprint edition. 146 pages. 9.25x6.10x0.36 inches. In Stock.
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Meinerzhagen:Gain-Cell Embedded DRAMs f (eng)
Librería: Brook Bookstore On Demand, Napoli, NA, Italia
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Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip
Idioma: Inglés
Publicado por Springer International Publishing Mai 2018, 2018
ISBN 10: 3319868551 ISBN 13: 9783319868554
Librería: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 117,69
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Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -This book pioneers the field of gain-cell embedded DRAM (GC-eDRAM) design for low-power VLSI systems-on-chip (SoCs). Novel GC-eDRAMs are specifically designed and optimized for a range of low-power VLSI SoCs, ranging from ultra-low power to power-aware high-performance applications. After a detailed review of prior-art GC-eDRAMs, an analytical retention time distribution model is introduced and validated by silicon measurements, which is key for low-power GC-eDRAM design. The book then investigates supply voltage scaling and near-threshold voltage (NTV) operation of a conventional gain cell (GC), before presenting novel GC circuit and assist techniques for NTV operation, including a 3-transistor full transmission-gate write port, reverse body biasing (RBB), and a replica technique for optimum refresh timing. Next, conventional GC bitcells are evaluated under aggressive technology and voltage scaling (down to the subthreshold domain), before novel bitcells for aggressively scaled CMOS nodes and soft-error tolerance as presented, including a 4-transistor GC with partial internal feedback and a 4-transistor GC with built-in redundancy. 156 pp. Englisch.
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Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip
Idioma: Inglés
Publicado por Springer International Publishing, 2018
ISBN 10: 3319868551 ISBN 13: 9783319868554
Librería: moluna, Greven, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
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Añadir al carritoCondición: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Provides novel gain-cell embedded DRAM (GC-eDRAM) designs for various low-power VLSI SoC applicationsModels the statistical retention time distribution of GC-eDRAM and validates the model by silicon measurementsDescribes various memory op.
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Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip
Librería: Majestic Books, Hounslow, Reino Unido
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EUR 166,01
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Añadir al carritoCondición: New. Print on Demand pp. 146.
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Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip
Idioma: Inglés
Publicado por Springer, Birkhäuser Mai 2018, 2018
ISBN 10: 3319868551 ISBN 13: 9783319868554
Librería: buchversandmimpf2000, Emtmannsberg, BAYE, Alemania
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Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware Springer-Verlag KG, Sachsenplatz 4-6, 1201 Wien 156 pp. Englisch.
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Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip
Librería: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Alemania
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