9783211405376 - analysis and simulation of heterostructure devices (computational microelectronics) de quay, rüdiger; palankovski, vassil (15 resultados)
Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2003
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Librería: Peak Pearl LLC, Holly Springs, NC, Estados Unidos de AmericaPeak Pearl LLC
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Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2004
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gebundene Ausgabe. Condición: Gut. 289 Seiten; Das hier angebotene Buch stammt aus einer teilaufgelösten wissenschaftlichen Bibliothek und trägt die entsprechenden Kennzeichnungen (Rückenschild, Instituts-Stempel.); Schnitt und Einband sind etwas staubschmutzig; der Buchzustand ist ansonsten ordentlich und dem Alter entsprechend… gut. Text in ENGLISCHER Sprache! Sprache: Englisch Gewicht in Gramm: 700.
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Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2003
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Librería: Studibuch, Stuttgart, AlemaniaStudibuch
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hardcover. Condición: Gut. 309 Seiten; 9783211405376.3 Gewicht in Gramm: 3.
Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2003
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Librería: Mispah books, Redhill, SURRE, Reino UnidoMispah books
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Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2003
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Librería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino UnidoRia Christie Collections
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Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2003
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Condición: New. pp. 324.
Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2003
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Condición: gut. 2003. Analysis and Simulation of Heterostructure Devices (Computational Microelectronics) In deutscher Sprache. pages.
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Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2003
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Librería: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, AlemaniaAHA-BUCH GmbH
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Buch. Condición: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Communication and information systems are subject to rapid and highly so phisticated changes. Currently semiconductor heterostructure devices, such as Heterojunction Bipolar Transistors (HBTs) and High Electron Mobility Transis tors (HEMTs), are among the… fastest and most advanced high-frequency devices. They satisfy the requirements for low power consumption, medium integration, low cost in large quantities, and high-speed operation capabilities in circuits. In the very high-frequency range, cut-off frequencies up to 500 GHz [557] have been reported on the device level. HEMTs and HBTs are very suitable for high efficiency power amplifiers at 900 MHz as well as for data rates higher than 100 Gbitfs for long-range communication and thus cover a broad range of appli cations. To cope with explosive development costs and the competition of today's semicon ductor industry, Technology Computer-Aided Design (TCAD) methodologies are used extensively in development and production. As of 2003, III-V semiconductor HEMT and HBT micrometer and millimeter-wave integrated circuits (MICs and MMICs) are available on six-inch GaAs wafers. SiGe HBT circuits, as part of the CMOS technology on eight-inch wafers, are in volume production. Simulation tools for technology, devices, and circuits reduce expensive technological efforts. This book focuses on the application of simulation software to heterostructure devices with respect to industrial applications. In particular, a detailed discussion of physical modeling for a great variety of materials is presented.
Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2003
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Librería: Basi6 International, Irving, TX, Estados Unidos de AmericaBasi6 International
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Condición: Brand New. New. US edition. Print on demand title. Delivery takes 20-25 days. Excellent Customer Service.
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Editorial: Springer Vienna Dez 2003, 2003
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Buch. Condición: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -The topic of this monograph is the physical modeling of heterostructure devices. A detailed discussion of physical models and parameters for compound semiconductors is presented including the relevant aspects of modern submicron heterostru…cture devices. More than 25 simulation examples for different types of Si(Ge)-based, GaAs-based, InP-based, and GaN-based heterostructure bipolar transistors (HBTs) and high electron mobility transistors (HEMTs) are given in comparison with experimental data from state-of-the-art devices. 324 pp. Englisch.
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Idioma: Inglés
Editorial: Springer Vienna, 2003
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Librería: moluna, Greven, Alemaniamoluna
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Condición: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. First full and comprehensive modeling of relevant compound semiconductorsVerified by precise simulation of real-state-of-the-art devices in over 25 different simulation examplesBridges the gap between theory and appli…cations with a large nu.
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Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2003
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Librería: preigu, Osnabrück, Alemaniapreigu
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Buch. Condición: Neu. Analysis and Simulation of Heterostructure Devices | Vassil Palankovski (u. a.) | Buch | Computational Microelectronics | xx | Englisch | 2003 | Springer | EAN 9783211405376 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]c…om | Anbieter: preigu Print on Demand.
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Editorial: Springer Vienna, Springer Dez 2003, 2003
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Librería: buchversandmimpf2000, Emtmannsberg, BAYE, Alemaniabuchversandmimpf2000
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Buch. Condición: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Communication and information systems are subject to rapid and highly so phisticated changes. Currently semiconductor heterostructure devices, such as Heterojunction Bipolar Transistors (HBTs) and High Electron Mobility Transis tors (HEMTs), a…re among the fastest and most advanced high-frequency devices. They satisfy the requirements for low power consumption, medium integration, low cost in large quantities, and high-speed operation capabilities in circuits. In the very high-frequency range, cut-off frequencies up to 500 GHz [557] have been reported on the device level. HEMTs and HBTs are very suitable for high efficiency power amplifiers at 900 MHz as well as for data rates higher than 100 Gbitfs for long-range communication and thus cover a broad range of appli cations. To cope with explosive development costs and the competition of today's semicon ductor industry, Technology Computer-Aided Design (TCAD) methodologies are used extensively in development and production. As of 2003, III-V semiconductor HEMT and HBT micrometer and millimeter-wave integrated circuits (MICs and MMICs) are available on six-inch GaAs wafers. SiGe HBT circuits, as part of the CMOS technology on eight-inch wafers, are in volume production. Simulation tools for technology, devices, and circuits reduce expensive technological efforts. This book focuses on the application of simulation software to heterostructure devices with respect to industrial applications. In particular, a detailed discussion of physical modeling for a great variety of materials is presented.Springer-Verlag KG, Sachsenplatz 4-6, 1201 Wien 324 pp. Englisch.
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Editorial: Springer, 2003
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Editorial: Springer, 2003
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