Analysis and Simulation of Heterostructure Devices (Computational Microelectronics) - Tapa dura
Libro 15 de 17: Computational Microelectronics
Sinopsis
The topic of this monograph is the physical modeling of heterostructure devices. A detailed discussion of physical models and parameters for compound semiconductors is presented including the relevant aspects of modern submicron heterostructure devices. More than 25 simulation examples for different types of Si(Ge)-based, GaAs-based, InP-based, and GaN-based heterostructure bipolar transistors (HBTs) and high electron mobility transistors (HEMTs) are given in comparison with experimental data from state-of-the-art devices.
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Reseña del editor
The topic of this monograph is the physical modeling of heterostructure devices. A detailed discussion of physical models and parameters for compound semiconductors is presented including the relevant aspects of modern submicron heterostructure devices. More than 25 simulation examples for different types of Si(Ge)-based, GaAs-based, InP-based, and GaN-based heterostructure bipolar transistors (HBTs) and high electron mobility transistors (HEMTs) are given in comparison with experimental data from state-of-the-art devices.
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Analysis and Simulation of Heterostructure Devices (Computational Microelectronics)
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Analysis and Simulation of Heterostructure Devices.
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Analysis and Simulation of Heterostructure Devices
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Analysis and Simulation of Heterostructure Devices
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Buch. Condición: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -The topic of this monograph is the physical modeling of heterostructure devices. A detailed discussion of physical models and parameters for compound semiconductors is presented including the relevant aspects of modern submicron heterostructure devices. More than 25 simulation examples for different types of Si(Ge)-based, GaAs-based, InP-based, and GaN-based heterostructure bipolar transistors (HBTs) and high electron mobility transistors (HEMTs) are given in comparison with experimental data from state-of-the-art devices. 324 pp. Englisch. Nº de ref. del artículo: 9783211405376
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Buch. Condición: Neu. Analysis and Simulation of Heterostructure Devices | Vassil Palankovski (u. a.) | Buch | Computational Microelectronics | xx | Englisch | 2003 | Springer | EAN 9783211405376 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu Print on Demand. Nº de ref. del artículo: 102505069
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Analysis and Simulation of Heterostructure Devices (Computational Microelectronics) Palankovski, Vassil und Rüdiger Quay
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