Analysis and Simulation of Heterostructure Devices

Idioma: inglés

Editorial: Springer Vienna Dez 2003, 2003

3211405372 / 9783211405376

Serie: Libro 15 de 17 - Computational Microelectronics

Librería: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, AlemaniaBuchWeltWeit Ludwig Meier e.K.

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This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -The topic of this monograph is the physical modeling of heterostructure devices. A detailed discussion of physical models and parameters for compound semiconductors is presented including the relevant aspects of modern submicron heterostructure devices. More than 25 simulation examples for different types of Si(Ge)-based, GaAs-based, InP-based, and GaN-based heterostructure bipolar transistors (HBTs) and high electron mobility transistors (HEMTs) are given in comparison with experimental data from state-of-the-art devices. 324 pp. Englisch.

N° de ref. del artículo 9783211405376

Título
Analysis and Simulation of Heterostructure Devices
Autor
Rüdiger Quay
Editorial
Springer Vienna Dez 2003
Año de publicación
2003
Estado
Neu
Encuadernación
Buch
Idioma
inglés
ISBN 10
3211405372
ISBN 13
9783211405376
Peso del artículo
653 gramos
Dimensiones
241x160x23 mm
Serie
Libro 15 de 17: Computational Microelectronics

BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K.

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