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9781107413160 - Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing: Volume 611 (MRS Proceedings) de Clevenger, L. A. (13 resultados)
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Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing: Volume 611 (MRS Proceedings)
Idioma: Inglés
Publicado por Cambridge University Press, 2014
ISBN 10: 1107413168 ISBN 13: 9781107413160
Librería: California Books, Miami, FL, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 42,30
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Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing: Volume 611 (MRS Proceedings)
Idioma: Inglés
Publicado por Cambridge University Press, 2014
ISBN 10: 1107413168 ISBN 13: 9781107413160
Librería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 37,51
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Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing: Volume 611 (MRS Proceedings)
Idioma: Inglés
Publicado por Cambridge University Press 2014-06-05, 2014
ISBN 10: 1107413168 ISBN 13: 9781107413160
Librería: Chiron Media, Wallingford, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 34,92
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Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing: Volume 611 (MRS Proceedings)
Idioma: Inglés
Publicado por Cambridge University Press, 2014
ISBN 10: 1107413168 ISBN 13: 9781107413160
Librería: Kennys Bookshop and Art Galleries Ltd., Galway, GY, Irlanda
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 43,89
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Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing
Idioma: Inglés
Publicado por Cambridge University Press CUP, 2014
ISBN 10: 1107413168 ISBN 13: 9781107413160
Librería: Books Puddle, New York, NY, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 56,10
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Añadir al carritoCondición: New. pp. 254.
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Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing: Volume 611 (MRS Proceedings)
Idioma: Inglés
Publicado por Cambridge University Press, 2014
ISBN 10: 1107413168 ISBN 13: 9781107413160
Librería: Kennys Bookstore, Olney, MD, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 54,77
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Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing : Volume 611
Idioma: Inglés
Publicado por Cambridge University Press, 2014
ISBN 10: 1107413168 ISBN 13: 9781107413160
Librería: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 55,81
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Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - As the feature size of microelectronic devices approaches the deep submicron regime, the process development and integration issues related to gate stack and silicide processing are key challenges. Gate leakage is rising due to direct tunneling. Power and reliability concerns are expected to limit the ultimate scaling of SiO2-based insulators to about 1.5nm. Gate insulators must not deleteriously affect the interface quality, thermal stability, charge trapping, or process integration. Metal gate materials and damascene gates are being investigated, in conjunction with the application of a high-permittivity gate insulator, to provide sufficient device performance at ULSI dimensions. The silicidation process is also coming under pressure. Narrow device widths and decreasing junction depths are making the formation of low-leakage, low-resistance silicide straps extremely difficult. Producing shallower junctions via ion implantation is inhibited by transient enhanced diffusion and low beam currents at low implantation energies. Gate stack and contact film effects, such as point defect injection, extended defect formation, and stress on ultrashallow junction formation must be considered.
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Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing: Volume 611
Idioma: Inglés
Publicado por Cambridge University Press, 2014
ISBN 10: 1107413168 ISBN 13: 9781107413160
Librería: Revaluation Books, Exeter, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 36,79
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Añadir al carritoPaperback. Condición: Brand New. 1st edition. 254 pages. 9.02x5.98x0.55 inches. In Stock. This item is printed on demand.
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Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing: Volume 611
Idioma: Inglés
Publicado por Cambridge University Press, 2014
ISBN 10: 1107413168 ISBN 13: 9781107413160
Librería: THE SAINT BOOKSTORE, Southport, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 41,89
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Añadir al carritoPaperback / softback. Condición: New. This item is printed on demand. New copy - Usually dispatched within 5-9 working days.
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Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing
Idioma: Inglés
Publicado por Cambridge University Press, 2014
ISBN 10: 1107413168 ISBN 13: 9781107413160
Librería: Majestic Books, Hounslow, Reino Unido
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 54,51
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Añadir al carritoCondición: New. Print on Demand pp. 254.
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Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing
Idioma: Inglés
Publicado por Cambridge University Press, 2014
ISBN 10: 1107413168 ISBN 13: 9781107413160
Librería: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Alemania
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 54,84
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Añadir al carritoCondición: New. PRINT ON DEMAND pp. 254.
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Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing: Volume 611 (Paperback)
Idioma: Inglés
Publicado por Cambridge University Press, Cambridge, 2014
ISBN 10: 1107413168 ISBN 13: 9781107413160
Librería: CitiRetail, Stevenage, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 45,47
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Añadir al carritoPaperback. Condición: new. Paperback. As the feature size of microelectronic devices approaches the deep submicron regime, the process development and integration issues related to gate stack and silicide processing are key challenges. Gate leakage is rising due to direct tunneling. Power and reliability concerns are expected to limit the ultimate scaling of SiO2-based insulators to about 1.5nm. Gate insulators must not deleteriously affect the interface quality, thermal stability, charge trapping, or process integration. Metal gate materials and damascene gates are being investigated, in conjunction with the application of a high-permittivity gate insulator, to provide sufficient device performance at ULSI dimensions. The silicidation process is also coming under pressure. Narrow device widths and decreasing junction depths are making the formation of low-leakage, low-resistance silicide straps extremely difficult. Producing shallower junctions via ion implantation is inhibited by transient enhanced diffusion and low beam currents at low implantation energies. Gate stack and contact film effects, such as point defect injection, extended defect formation, and stress on ultrashallow junction formation must be considered. The MRS Symposium Proceeding series is an internationally recognised reference suitable for researchers and practitioners. This item is printed on demand. Shipping may be from our UK warehouse or from our Australian or US warehouses, depending on stock availability.
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Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing
Idioma: Inglés
Publicado por Cambridge University Press, 2012
ISBN 10: 1107413168 ISBN 13: 9781107413160
Librería: moluna, Greven, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
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