9781107413160 - gate stack and silicide issues in silicon processing: volume 611 (mrs proceedings) de clevenger, l. a. (13 resultados)
- Tapa blanda
Librería: California Books, Miami, FL, Estados Unidos de AmericaCalifornia Books
Contactar con el vendedorVendedor de 4 estrellasCondición: Nuevo
EUR 42,32
Gastos de envío gratisSe envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Condición: New.
- Tapa blanda
Librería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino UnidoRia Christie Collections
Contactar con el vendedorVendedor de 5 estrellasCondición: Nuevo
EUR 37,45
Envío por EUR 14,09Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Condición: New. In.
- Tapa blanda
Librería: Chiron Media, Wallingford, Reino UnidoChiron Media
Contactar con el vendedorVendedor de 5 estrellasCondición: Nuevo
EUR 34,87
Envío por EUR 18,21Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 10 disponibles
Paperback. Condición: New.
- Tapa blanda
Librería: Kennys Bookshop and Art Galleries Ltd., Galway, GY, IrlandaKennys Bookshop and Art Galleries Ltd.
Contactar con el vendedorVendedor de 5 estrellasCondición: Nuevo
EUR 43,89
Envío por EUR 10,50Se envía de Irlanda a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Condición: New.
- Tapa blanda
Librería: Books Puddle, New York, NY, Estados Unidos de AmericaBooks Puddle
Contactar con el vendedorVendedor de 4 estrellasCondición: Nuevo
EUR 56,14
Envío por EUR 3,49Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 4 disponibles
Condición: New. pp. 254.
- Tapa blanda
Librería: Kennys Bookstore, Olney, MD, Estados Unidos de AmericaKennys Bookstore
Contactar con el vendedorVendedor de 5 estrellasCondición: Nuevo
EUR 54,80
Envío por EUR 9,18Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Condición: New.
- Tapa blanda
Librería: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, AlemaniaAHA-BUCH GmbH
Contactar con el vendedorVendedor de 5 estrellasCondición: Nuevo
EUR 55,81
Envío por EUR 61,87Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Taschenbuch. Condición: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - As the feature size of microelectronic devices approaches the deep submicron regime, the process development and integration issues related to gate stack and silicide processing are key challenges. Gate leakage is rising due to direct tunneling. Po…wer and reliability concerns are expected to limit the ultimate scaling of SiO2-based insulators to about 1.5nm. Gate insulators must not deleteriously affect the interface quality, thermal stability, charge trapping, or process integration. Metal gate materials and damascene gates are being investigated, in conjunction with the application of a high-permittivity gate insulator, to provide sufficient device performance at ULSI dimensions. The silicidation process is also coming under pressure. Narrow device widths and decreasing junction depths are making the formation of low-leakage, low-resistance silicide straps extremely difficult. Producing shallower junctions via ion implantation is inhibited by transient enhanced diffusion and low beam currents at low implantation energies. Gate stack and contact film effects, such as point defect injection, extended defect formation, and stress on ultrashallow junction formation must be considered.
Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing: Volume 611
Edited by L. A. Clevenger , S. A. Campbell , P. R. Besser , S. B. Herner , J. Kittl
- Tapa blanda
- Impresión bajo demanda
Librería: Revaluation Books, Exeter, Reino UnidoRevaluation Books
Contactar con el vendedorVendedor de 5 estrellasCondición: Nuevo
EUR 36,74
Envío por EUR 11,76Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Paperback. Condición: Brand New. 1st edition. 254 pages. 9.02x5.98x0.55 inches. In Stock. This item is printed on demand.
- Tapa blanda
- Impresión bajo demanda
Librería: THE SAINT BOOKSTORE, Southport, Reino UnidoTHE SAINT BOOKSTORE
Contactar con el vendedorVendedor de 5 estrellasCondición: Nuevo
EUR 41,83
Envío por EUR 16,76Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Paperback / softback. Condición: New. This item is printed on demand. New copy - Usually dispatched within 5-9 working days.
- Tapa blanda
- Impresión bajo demanda
Librería: Majestic Books, Hounslow, Reino UnidoMajestic Books
Contactar con el vendedorVendedor de 4 estrellasCondición: Nuevo
EUR 54,54
Envío por EUR 7,64Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 4 disponibles
Condición: New. Print on Demand pp. 254.
Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing
Kittl J. Herner S.B. Campbell S.A. Clevenger L.A. Besser P.R.
- Tapa blanda
- Impresión bajo demanda
Librería: Biblios, frankfurt am main, HESSE, AlemaniaBiblios
Contactar con el vendedorVendedor de 4 estrellasCondición: Nuevo
EUR 54,84
Envío por EUR 9,95Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 4 disponibles
Condición: New. PRINT ON DEMAND pp. 254.
- Tapa blanda
- Impresión bajo demanda
Librería: CitiRetail, Stevenage, Reino UnidoCitiRetail
Contactar con el vendedorVendedor de 5 estrellasCondición: Nuevo
EUR 45,40
Envío por EUR 43,51Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Paperback. Condición: new. Paperback. As the feature size of microelectronic devices approaches the deep submicron regime, the process development and integration issues related to gate stack and silicide processing are key challenges. Gate leakage is rising due to direct tunneling. Power and reliability concerns are expected to… limit the ultimate scaling of SiO2-based insulators to about 1.5nm. Gate insulators must not deleteriously affect the interface quality, thermal stability, charge trapping, or process integration. Metal gate materials and damascene gates are being investigated, in conjunction with the application of a high-permittivity gate insulator, to provide sufficient device performance at ULSI dimensions. The silicidation process is also coming under pressure. Narrow device widths and decreasing junction depths are making the formation of low-leakage, low-resistance silicide straps extremely difficult. Producing shallower junctions via ion implantation is inhibited by transient enhanced diffusion and low beam currents at low implantation energies. Gate stack and contact film effects, such as point defect injection, extended defect formation, and stress on ultrashallow junction formation must be considered. The MRS Symposium Proceeding series is an internationally recognised reference suitable for researchers and practitioners. This item is printed on demand. Shipping may be from our UK warehouse or from our Australian or US warehouses, depending on stock availability.
- Tapa blanda
- Impresión bajo demanda
Librería: moluna, Greven, Alemaniamoluna
Contactar con el vendedorVendedor de 5 estrellasCondición: Nuevo
EUR 42,05
Envío por EUR 48,99Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Condición: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. The MRS Symposium Proceeding series is an internationally recognised reference suitable for researchers and practitioners.KlappentextThe MRS Symposium Proceeding series is an internationally recognised reference suita…ble for research.
