Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing: Volume 611 (Paperback)

Idioma: inglés

Editorial: Cambridge University Press, Cambridge, 2014

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Paperback. As the feature size of microelectronic devices approaches the deep submicron regime, the process development and integration issues related to gate stack and silicide processing are key challenges. Gate leakage is rising due to direct tunneling. Power and reliability concerns are expected to limit the ultimate scaling of SiO2-based insulators to about 1.5nm. Gate insulators must not deleteriously affect the interface quality, thermal stability, charge trapping, or process integration. Metal gate materials and damascene gates are being investigated, in conjunction with the application of a high-permittivity gate insulator, to provide sufficient device performance at ULSI dimensions. The silicidation process is also coming under pressure. Narrow device widths and decreasing junction depths are making the formation of low-leakage, low-resistance silicide straps extremely difficult. Producing shallower junctions via ion implantation is inhibited by transient enhanced diffusion and low beam currents at low implantation energies. Gate stack and contact film effects, such as point defect injection, extended defect formation, and stress on ultrashallow junction formation must be considered. The MRS Symposium Proceeding series is an internationally recognised reference suitable for researchers and practitioners. This item is printed on demand. Shipping may be from our UK warehouse or from our Australian or US warehouses, depending on stock availability.…

N° de ref. del artículo 9781107413160

Título
Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing: Volume 611 (Paperback)
Autor
L.A. Clevenger
Editorial
Cambridge University Press, Cambridge
Año de publicación
2014
Estado
new
Encuadernación
Paperback
Idioma
inglés
ISBN 10
1107413168
ISBN 13
9781107413160

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