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9780792366867 - Defects in SiO2 and Related Dielectrics: Science and Technology: 2 (NATO Science Series II: Mathematics, Physics and Chemistry, 2) (15 resultados)
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Defects in Sio2 and Related Dielectrics : Science and Technology
Libro 4 de 241: NATO Science Series II: Mathematics, Physics and ChemistryLibrería: Better World Books: West, Reno, NV, Estados Unidos de America
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Defects in Si02 and Related Dielectrics : Science and Technology
Libro 4 de 241: NATO Science Series II: Mathematics, Physics and ChemistryLibrería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de America
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Defects in SiO2 and Related Dielectrics: Science and Technology (NATO Science Series II: Mathematics, Physics and Chemistry, 2)
Libro 4 de 241: NATO Science Series II: Mathematics, Physics and ChemistryLibrería: California Books, Miami, FL, Estados Unidos de America
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Defects in Si02 and Related Dielectrics : Science and Technology
Libro 4 de 241: NATO Science Series II: Mathematics, Physics and ChemistryLibrería: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Reino Unido
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Defects in SiO2 and Related Dielectrics: Science and Technology (NATO Science Series II: Mathematics, Physics and Chemistry, 2)
Libro 4 de 241: NATO Science Series II: Mathematics, Physics and ChemistryLibrería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
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Defects in Si02 and Related Dielectrics : Science and Technology
Libro 4 de 241: NATO Science Series II: Mathematics, Physics and ChemistryLibrería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de America
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Defects in SiO2 and Related Dielectrics: Science and Technology
Libro 4 de 241: NATO Science Series II: Mathematics, Physics and ChemistryLibrería: preigu, Osnabrück, Alemania
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Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. Defects in SiO2 and Related Dielectrics: Science and Technology | Gianfranco Pacchioni (u. a.) | Taschenbuch | Einband - flex.(Paperback) | Englisch | 2000 | Springer | EAN 9780792366867 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Netherlands, Haberstr. 7, 69126 Heidelberg, buchhandel-buch[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu.
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Defects in Si02 and Related Dielectrics : Science and Technology
Libro 4 de 241: NATO Science Series II: Mathematics, Physics and ChemistryLibrería: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Reino Unido
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Defects in SiO2 and Related Dielectrics: Science and Technology
Libro 4 de 241: NATO Science Series II: Mathematics, Physics and ChemistryIdioma: Inglés
Publicado por Kluwer Academic Publishers, 2000
ISBN 10: 0792366867 ISBN 13: 9780792366867
Librería: Kennys Bookshop and Art Galleries Ltd., Galway, GY, Irlanda
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Añadir al carritoCondición: New. Proceedings of the NATO Advanced Study Institute, Erice, Italy, April 8-20, 2000 Editor(s): Pacchioni, Gianfranco; Skuja, Linards; Griscom, David L. Series: NATO Science Series II. Num Pages: 624 pages, 87 black & white illustrations, biography. BIC Classification: PHK; TGM. Category: (G) General (US: Trade); (P) Professional & Vocational; (UP) Postgraduate, Research & Scholarly; (UU) Undergraduate. Dimension: 234 x 153 x 20. Weight in Grams: 892. . 2000. Softcover reprint of the original 1st ed. 2000. Paperback. . . . .
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Defects in SiO2 and Related Dielectrics: Science and Technology
Libro 4 de 241: NATO Science Series II: Mathematics, Physics and ChemistryIdioma: Inglés
Publicado por Springer Netherlands, Springer, 2000
ISBN 10: 0792366867 ISBN 13: 9780792366867
Librería: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Alemania
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Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Silicon dioxide plays a central role in most contemporary electronic and photonic technologies, from fiber optics for communications and medical applications to metal-oxide-semiconductor devices. Many of these applications directly involve point defects, which can either be introduced during the manufacturing process or by exposure to ionizing radiation. They can also be deliberately created to exploit new technologies. This book provides a general description of the influence that point defects have on the global properties of the bulk material and their spectroscopic characterization through ESR and optical spectroscopy.
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Defects in Si02 and Related Dielectrics: Science and Technology
Libro 4 de 241: NATO Science Series II: Mathematics, Physics and ChemistryLibrería: Revaluation Books, Exeter, Reino Unido
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Añadir al carritoPaperback. Condición: Brand New. 632 pages. 9.50x6.50x1.50 inches. In Stock.
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Defects in SiO2 and Related Dielectrics: Science and Technology
Libro 4 de 241: NATO Science Series II: Mathematics, Physics and ChemistryIdioma: Inglés
Publicado por Kluwer Academic Publishers, 2000
ISBN 10: 0792366867 ISBN 13: 9780792366867
Librería: Kennys Bookstore, Olney, MD, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
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Añadir al carritoCondición: New. Proceedings of the NATO Advanced Study Institute, Erice, Italy, April 8-20, 2000 Editor(s): Pacchioni, Gianfranco; Skuja, Linards; Griscom, David L. Series: NATO Science Series II. Num Pages: 624 pages, 87 black & white illustrations, biography. BIC Classification: PHK; TGM. Category: (G) General (US: Trade); (P) Professional & Vocational; (UP) Postgraduate, Research & Scholarly; (UU) Undergraduate. Dimension: 234 x 153 x 20. Weight in Grams: 892. . 2000. Softcover reprint of the original 1st ed. 2000. Paperback. . . . . Books ship from the US and Ireland.
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Defects in SiO2 and Related Dielectrics: Science and Technology
Libro 4 de 241: NATO Science Series II: Mathematics, Physics and ChemistryLibrería: moluna, Greven, Alemania
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Añadir al carritoCondición: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Proceedings of the NATO Advanced Study Institute, Erice, Italy, April 8-20, 2000 Silicon dioxide plays a central role in most contemporary electronic and photonic technologies, from fiber optics for communications and medical applications to metal-ox.
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Defects in SiO2 and Related Dielectrics: Science and Technology
Libro 4 de 241: NATO Science Series II: Mathematics, Physics and ChemistryIdioma: Inglés
Publicado por Springer Netherlands Dez 2000, 2000
ISBN 10: 0792366867 ISBN 13: 9780792366867
Librería: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, Alemania
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Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Silicon dioxide plays a central role in most contemporary electronic and photonic technologies, from fiber optics for communications and medical applications to metal-oxide-semiconductor devices. Many of these applications directly involve point defects, which can either be introduced during the manufacturing process or by exposure to ionizing radiation. They can also be deliberately created to exploit new technologies. This book provides a general description of the influence that point defects have on the global properties of the bulk material and their spectroscopic characterization through ESR and optical spectroscopy. 636 pp. Englisch.
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Defects in SiO2 and Related Dielectrics: Science and Technology
Libro 4 de 241: NATO Science Series II: Mathematics, Physics and ChemistryIdioma: Inglés
Publicado por Springer Netherlands, Springer Dez 2000, 2000
ISBN 10: 0792366867 ISBN 13: 9780792366867
Librería: buchversandmimpf2000, Emtmannsberg, BAYE, Alemania
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Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Silicon dioxide plays a central role in most contemporary electronic and photonic technologies, from fiber optics for communications and medical applications to metal-oxide-semiconductor devices. Many of these applications directly involve point defects, which can either be introduced during the manufacturing process or by exposure to ionizing radiation. They can also be deliberately created to exploit new technologies.This book provides a general description of the influence that point defects have on the global properties of the bulk material and their spectroscopic characterization through ESR and optical spectroscopy.Springer-Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg 636 pp. Englisch.
