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Defects in SiO2 and Related Dielectrics: Science and Technology: 2 (NATO Science Series II: Mathematics, Physics and Chemistry, 2) - Tapa blanda
Libro 4 de 241: NATO Science Series II: Mathematics, Physics and Chemistry
Sinopsis
Silicon dioxide plays a central role in most contemporary electronic and photonic technologies, from fiber optics for communications and medical applications to metal-oxide-semiconductor devices. Many of these applications directly involve point defects, which can either be introduced during the manufacturing process or by exposure to ionizing radiation. They can also be deliberately created to exploit new technologies. This book provides a general description of the influence that point defects have on the global properties of the bulk material and their spectroscopic characterization through ESR and optical spectroscopy.
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Reseña del editor
Silicon dioxide plays a central role in most contemporary electronic and photonic technologies, from fiber optics for communications and medical applications to metal-oxide-semiconductor devices. Many of these applications directly involve point defects, which can either be introduced during the manufacturing process or by exposure to ionizing radiation. They can also be deliberately created to exploit new technologies.
This book provides a general description of the influence that point defects have on the global properties of the bulk material and their spectroscopic characterization through ESR and optical spectroscopy.
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Defects in SiO2 and Related Dielectrics: Science and Technology
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Springer Netherlands, 2000
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Condición: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Proceedings of the NATO Advanced Study Institute, Erice, Italy, April 8-20, 2000 Silicon dioxide plays a central role in most contemporary electronic and photonic technologies, from fiber optics for communications and medical applications to metal-ox. Nº de ref. del artículo: 5969608
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Defects in SiO2 and Related Dielectrics: Science and Technology (NATO Science Series II: Mathematics, Physics and Chemistry, 2)
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Taschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Silicon dioxide plays a central role in most contemporary electronic and photonic technologies, from fiber optics for communications and medical applications to metal-oxide-semiconductor devices. Many of these applications directly involve point defects, which can either be introduced during the manufacturing process or by exposure to ionizing radiation. They can also be deliberately created to exploit new technologies. This book provides a general description of the influence that point defects have on the global properties of the bulk material and their spectroscopic characterization through ESR and optical spectroscopy. 636 pp. Englisch. Nº de ref. del artículo: 9780792366867
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Taschenbuch. Condición: Neu. Defects in SiO2 and Related Dielectrics: Science and Technology | Gianfranco Pacchioni (u. a.) | Taschenbuch | Einband - flex.(Paperback) | Englisch | 2000 | Springer | EAN 9780792366867 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Netherlands, Haberstr. 7, 69126 Heidelberg, buchhandel-buch[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu Print on Demand. Nº de ref. del artículo: 101889627
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Defects in SiO2 and Related Dielectrics: Science and Technology
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Kluwer Academic Publishers, 2000
ISBN 10: 0792366867
ISBN 13: 9780792366867
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Condición: New. Proceedings of the NATO Advanced Study Institute, Erice, Italy, April 8-20, 2000 Editor(s): Pacchioni, Gianfranco; Skuja, Linards; Griscom, David L. Series: NATO Science Series II. Num Pages: 624 pages, 87 black & white illustrations, biography. BIC Classification: PHK; TGM. Category: (G) General (US: Trade); (P) Professional & Vocational; (UP) Postgraduate, Research & Scholarly; (UU) Undergraduate. Dimension: 234 x 153 x 20. Weight in Grams: 892. . 2000. Softcover reprint of the original 1st ed. 2000. Paperback. . . . . Nº de ref. del artículo: V9780792366867
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