Redwing joan m (30 resultados)
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Advances in Gan, Gaas, Sic and Related Alloys on Silicon Substrates : Symposium Held March 24-28, 2008, San Francisco, California, U.s.a
Dadgar, A. (EDT); Li, T. (EDT); Mastro, M. (EDT); Piner, E. l. (EDT); Redwing, J. (EDT)
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Advances in Gan, Gaas, Sic and Related Alloys on Silicon Substrates : Symposium Held March 24-28, 2008, San Francisco, California, U.s.a
Dadgar, A. (EDT); Li, T. (EDT); Mastro, M. (EDT); Piner, E. l. (EDT); Redwing, J. (EDT)
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Advances in GaN, GaAs, SIC and Related Alloys on Silicon Substrates: Volume 1068
. Ed(s): Li, Tingkai; Dadgar, Armin; Redwing, Joan M.; Piner, Edwin L.; Mastro, Michael
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Condición: New. The MRS Symposium Proceeding series is an internationally recognised reference suitable for researchers and practitioners. Editor(s): Li, Tingkai; Dadgar, Armin; Redwing, Joan M.; Piner, Edwin L.; Mastro, Michael. Series: MRS Proceedings. Num Pages: 289 pages, Illustrations. BIC Classification: TGM. Category: (U)… Tertiary Education (US: College). Dimension: 228 x 152 x 23. Weight in Grams: 541. . 2008. Hardback. . . . .
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Advances in GaN, GaAs, SIC and Related Alloys on Silicon Substrates: Volume 1068
. Ed(s): Li, Tingkai; Dadgar, Armin; Redwing, Joan M.; Piner, Edwin L.; Mastro, Michael
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Condición: New. The MRS Symposium Proceeding series is an internationally recognised reference suitable for researchers and practitioners. Editor(s): Li, Tingkai; Dadgar, Armin; Redwing, Joan M.; Piner, Edwin L.; Mastro, Michael. Series: MRS Proceedings. Num Pages: 289 pages, Illustrations. BIC Classification: TGM. Category: (U)… Tertiary Education (US: College). Dimension: 228 x 152 x 23. Weight in Grams: 541. . 2008. Hardback. . . . . Books ship from the US and Ireland.
Advances in Gan, Gaas, Sic and Related Alloys on Silicon Substrates: Symposium Held March 24-28, 2008, San Francisco, California, U.s.a: Vol 1068
Li, Tingkai (Editor) / Redwing, Joan M. (Editor) / Mastro, Michael (Editor) / Piner, Edwin L. (Editor) / Dadgar, Armin (Editor)
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Hardcover. Condición: Brand New. 1st edition. 289 pages. 9.20x6.10x0.90 inches. In Stock.
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Taschenbuch. Condición: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - To meet increasingly challenging and complex system requirements, as well as to stay cost effective, it is not enough to use one single semiconductor materials system. Major efforts have, therefore, been made to combine the low cost and well establ…ished Si-based CMOS processing attributes with the superior performance attributes of compound semiconductors (CS). Such a combination will enable performance superior to that achievable with either CS and CMOS alone, with CMOS affordability. The strong and increasing interest in GaN, GaAs, SiC and related alloys on silicon substrates indicates the worldwide importance of these materials and devices. This book represents the latest technical advancements and information on III-V materials and devices on silicon substrates from universities, national laboratories and industries worldwide. Topics include: GaN-based electronic devices and sensors on silicon; GaN-based optical devices on silicon; GaN and related alloys on silicon growth and integration techniques; conventional III-V materials and devices on silicon; and silicon and other materials on silicon.
Advances in Gan, Gaas, Sic and Related Alloys on Silicon Substrates : Symposium Held March 24-28, 2008, San Francisco, California, U.s.a
Dadgar, A. (EDT); Li, T. (EDT); Mastro, M. (EDT); Piner, E. l. (EDT); Redwing, J. (EDT)
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Advances in Gan, Gaas, Sic and Related Alloys on Silicon Substrates : Symposium Held March 24-28, 2008, San Francisco, California, U.s.a
Dadgar, A. (EDT); Li, T. (EDT); Mastro, M. (EDT); Piner, E. l. (EDT); Redwing, J. (EDT)
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Advances in GaN, GaAs, SiC and Related Alloys on Silicon Substrates: Volume 1068
Edited by Tingkai Li , Joan M. Redwing , Michael Mastro , Edwin L. Piner , Armin Dadgar
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Paperback. Condición: Brand New. 1st edition. 312 pages. 9.02x5.98x0.67 inches. In Stock. This item is printed on demand.
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Advances in Gan, Gaas, Sic and Related Alloys on Silicon Substrates
Dadgar Armin Piner Edwin L. Mastro Michael Redwing Joan M. Li Tingkai
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Advances in Gan, Gaas, Sic and Related Alloys on Silicon Substrates: Symposium Held March 24-28, 2008, San Francisco, California, U.s.a: Vol 1068
Li, Tingkai (Editor) / Redwing, Joan M. (Editor) / Mastro, Michael (Editor) / Piner, Edwin L. (Editor) / Dadgar, Armin (Editor)
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Hardcover. Condición: Brand New. 1st edition. 289 pages. 9.20x6.10x0.90 inches. In Stock. This item is printed on demand.
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Paperback. Condición: new. Paperback. To meet increasingly challenging and complex system requirements, as well as to stay cost effective, it is not enough to use one single semiconductor materials system. Major efforts have, therefore, been made to combine the low cost and well established Si-based CMOS processing attributes wi…th the superior performance attributes of compound semiconductors (CS). Such a combination will enable performance superior to that achievable with either CS and CMOS alone, with CMOS affordability. The strong and increasing interest in GaN, GaAs, SiC and related alloys on silicon substrates indicates the worldwide importance of these materials and devices. This book represents the latest technical advancements and information on III-V materials and devices on silicon substrates from universities, national laboratories and industries worldwide. Topics include: GaN-based electronic devices and sensors on silicon; GaN-based optical devices on silicon; GaN and related alloys on silicon growth and integration techniques; conventional III-V materials and devices on silicon; and silicon and other materials on silicon. The MRS Symposium Proceeding series is an internationally recognised reference suitable for researchers and practitioners. This item is printed on demand. Shipping may be from our UK warehouse or from our Australian or US warehouses, depending on stock availability.
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Condición: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. The MRS Symposium Proceeding series is an internationally recognised reference suitable for researchers and practitioners.InhaltsverzeichnisPreface Acknowledgments Part I. GaN Based Electronic Device and Sensors on Si…licon Part II.
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Advances in Gan, Gaas, Sic and Related Alloys on Silicon Substrates
Dadgar Armin Piner Edwin L. Mastro Michael Redwing Joan M. Li Tingkai
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Buch. Condición: Neu. Adv GaN, GaAs, SiC Relted All v1068 | Tingkai Li (u. a.) | Buch | Gebunden | Englisch | 2008 | Cambridge University Press | EAN 9781605110387 | Verantwortliche Person für die EU: Libri GmbH, Europaallee 1, 36244 Bad Hersfeld, gpsr[at]libri[dot]de | Anbieter: preigu Print on Demand.
