E todd ryan (16 resultados)
Creepy Campfire Quarterly
Coplin, James E.; Falcone, Ryan Neil; Cort, Jim; Glaser, Dale W.; Obermeyer, Fredrick; Stolliker, Ambrose; Todd, Jeffrey; Nafpliotis, Nick; Hivner, Christopher; Lamb, Lisamarie
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Personality and Social Psychology Bulletin ; Volume 25 Number 12 December 1999
Suls, Jerry (editor) ; Jurjen ledema, Matthijs Poppe, Inna D. Rivkin, Shelley E. Taylor, Richard L. Moreland, Jamie G. McMinn, Bradley D. Olson, David L. Evans, Richard M. Ryan, Valery I. Chirkov, Todd D. Little, Kennon M. Sheldon, Elena Timoshina, Edward L. Deci, et al.
Editorial: Sage Publications, Inc, Thousand Oaks, CA, 1999
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Añadir al carritoSoftcover. First Edition, First Printing. Book condition is Very Good, bound in glossy wraps. Some rubbing and edgewear to exterior. Text is clean and unmarked. ; 4to. 11"h x 8 1/2"w. Contents: "Expectations of Others' Social Value Orientations in Specific and General Populations" by Jurjen ledema and Matthijs Poppe "The Effects… of Mental Simulation on Coping With Controllable Stressful Events" by Inna D. Rivkin and Shelley E. Taylor "Effects of the Difference in the Amount of Group Preferential Information on Illusory Correlation" by Woo-Young Chun and Hoon-Koo Lee "Gone but Not Forgotten: Loyalty and Betrayal Among Ex-Members of Small Groups" by Richard L. Moreland and Jamie G. McMinn "Neosexism Among Women: The Role of Personally Experienced Social Mobility Attempts" by Francine Tougas, Rupert Brown, Ann M. Beaton, and Line St-Pierre "The Role of the Big Five Personality Dimensions in the Direction and Affective Consequences of Everyday Social Comparisons" by Bradley D. Olson and David L. Evans "The American Dream in Russia: Extrinsic Aspirations and Well-Being in Two Cultures" by Richard M. Ryan, Valery I. Chirkov, Todd D. Little, Kennon M. Sheldon, Elena Timoshina, and Edward L. Deci.
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Falcone, R: CREEPY CAMPFIRE QUARTERLY
Coplin, James E.; Falcone, Ryan Neil; Cort, Jim; Glaser, Dale W.; Obermeyer, Fredrick; Stolliker, Ambrose; Todd, Jeffrey; Nafpliotis, Nick; Hivner, Christopher; Lamb, Lisamarie
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Taschenbuch. Condición: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - In 2004, the microelectronics industry quietly ushered in the Nanoelectronics Era with the mass production of sub-100nm node devices. The current leading-edge semiconductor chips in mass production - the so-called 90nm node devices - have a transis…tor gate length of less than 50nm. This rapid technological advancement in the semiconductor industry has been made possible by innovations in materials employed in both transistor fabrication (front-end-of-the-line, FEOL) and interconnect fabrication (back-end-of-the-line, BEOL). The 90nm node BEOL features copper (Cu) interconnects and dielectric materials with a low-dielectric constant (k) of about 3.0. However, for the next generations of 65nm node and beyond, evolutionary and revolutionary innovations in BEOL materials and processes are needed to fuel the continued, healthy growth of the semiconductor. This book provides a forum to exchange advances in materials, processes, integration, and reliability in advanced interconnects and packaging. The book also addresses interconnects for emerging technologies, including 3D chip stacking and optical interconnects, as well as interconnects for optoelectronics, plastic electronics and molecular electronics.
Materials, Processes, Integration and Reliability in Advanced Interconnects for Micro- and Nanoelectronics: Symposium Held April 10-12, 2007, San Francisco, California, U.S.A.: Volume 990
Edited by Qinghuang Lin , E. Todd Ryan , Wen-li Wu , Do Yeung Yoon
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Paperback. Condición: new. Paperback. In 2004, the microelectronics industry quietly ushered in the Nanoelectronics Era with the mass production of sub-100nm node devices. The current leading-edge semiconductor chips in mass production - the so-called 90nm node devices - have a transistor gate length of less than 50nm. This rapi…d technological advancement in the semiconductor industry has been made possible by innovations in materials employed in both transistor fabrication (front-end-of-the-line, FEOL) and interconnect fabrication (back-end-of-the-line, BEOL). The 90nm node BEOL features copper (Cu) interconnects and dielectric materials with a low-dielectric constant (k) of about 3.0. However, for the next generations of 65nm node and beyond, evolutionary and revolutionary innovations in BEOL materials and processes are needed to fuel the continued, healthy growth of the semiconductor. This book provides a forum to exchange advances in materials, processes, integration, and reliability in advanced interconnects and packaging. The book also addresses interconnects for emerging technologies, including 3D chip stacking and optical interconnects, as well as interconnects for optoelectronics, plastic electronics and molecular electronics. This book provides a forum to exchange advances in materials, processes, integration, and reliability in advanced interconnects and packaging. The book also addresses interconnects for emerging technologies, including 3D chip stacking and optical interconnects, as well as interconnects for optoelectronics, plastic electronics and molecular electronics. This item is printed on demand. Shipping may be from our UK warehouse or from our Australian or US warehouses, depending on stock availability.
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