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Random Access Memory
Idioma: Inglés
Publicado por French Bread Publications, 2006
ISBN 10: 097690490X ISBN 13: 9780976904908
Librería: Books of Paradise, Magalia, CA, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 5,22
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Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritoSoftcover. Condición: Near Fine. Review Copy. Review copy sticker on front cover, very slight edgewear; 320 pages.
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Random Access Memory
Idioma: Inglés
Publicado por French Bread Publications, 2006
ISBN 10: 097690490X ISBN 13: 9780976904908
Librería: World of Books (was SecondSale), Montgomery, IL, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 13,50
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Añadir al carritoCondición: Good. Item in good condition. Textbooks may not include supplemental items i.e. CDs, access codes etc.
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Random Access Memory
Idioma: Inglés
Publicado por French Bread Publications, 2006
ISBN 10: 097690490X ISBN 13: 9780976904908
Librería: Bookmans, Tucson, AZ, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 11,91
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Cross Section of DRAM (Dynamic Random Access Memory)
Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 14,49
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Cross Section of DRAM (Dynamic Random Access Memory)
Librería: Rarewaves USA, OSWEGO, IL, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 16,81
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Cross Section of DRAM (Dynamic Random Access Memory)
Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 14,78
Envío por EUR 2,25
Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Añadir al carritoCondición: As New. Unread book in perfect condition.
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Cross Section of DRAM (Dynamic Random Access Memory)
Librería: Rarewaves.com USA, London, LONDO, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 18,96
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Random Access Memory
Publicado por English, 2014
ISBN 10: 9350450712 ISBN 13: 9789350450710
Librería: Majestic Books, Hounslow, Reino Unido
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 7,90
Envío por EUR 7,50
Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 4 disponibles
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Random Access Memory
Publicado por English, 2014
ISBN 10: 9350450712 ISBN 13: 9789350450710
Librería: Books Puddle, New York, NY, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 12,80
Envío por EUR 3,40
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Random Access Memory
Publicado por English, 2014
ISBN 10: 9350450712 ISBN 13: 9789350450710
Librería: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Alemania
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 8,60
Envío por EUR 9,95
Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 4 disponibles
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Resistive Random Access Memory (RRAM) (Paperback)
Idioma: Inglés
Publicado por Springer International Publishing AG, Cham, 2016
ISBN 10: 3031009029 ISBN 13: 9783031009020
Librería: Grand Eagle Retail, Bensenville, IL, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 35,13
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Añadir al carritoPaperback. Condición: new. Paperback. RRAM technology has made significant progress in the past decade as a competitive candidate for the next generation non-volatile memory (NVM). This lecture is a comprehensive tutorial of metal oxide-based RRAM technology from device fabrication to array architecture design. State-of-the-art RRAM device performances, characterization, and modeling techniques are summarized, and the design considerations of the RRAM integration to large-scale array with peripheral circuits are discussed. Chapter 2 introduces the RRAM device fabrication techniques and methods to eliminate the forming process, and will show its scalability down to sub-10 nm regime. Then the device performances such as programming speed, variability control, and multi-level operation are presented, and finally the reliability issues such as cycling endurance and data retention are discussed. Chapter 3 discusses the RRAM physical mechanism, and the materials characterization techniques to observe the conductive filaments andthe electrical characterization techniques to study the electronic conduction processes. It also presents the numerical device modeling techniques for simulating the evolution of the conductive filaments as well as the compact device modeling techniques for circuit-level design. Chapter 4 discusses the two common RRAM array architectures for large-scale integration: one-transistor-one-resistor (1T1R) and cross-point architecture with selector. The write/read schemes are presented and the peripheral circuitry design considerations are discussed. Finally, a 3D integration approach is introduced for building ultra-high density RRAM array. Chapter 5 is a brief summary and will give an outlook for RRAMs potential novel applications beyond the NVM applications. State-of-the-art RRAM device performances, characterization, and modeling techniques are summarized, and the design considerations of the RRAM integration to large-scale array with peripheral circuits are discussed. Shipping may be from multiple locations in the US or from the UK, depending on stock availability.
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Cross Section of DRAM (Dynamic Random Access Memory)
Librería: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 19,12
Envío por EUR 17,30
Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Añadir al carritoCondición: New.
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Cross Section of DRAM (Dynamic Random Access Memory)
Librería: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 22,12
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Añadir al carritoCondición: As New. Unread book in perfect condition.
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Resistive Random Access Memory (RRAM)
Librería: Revaluation Books, Exeter, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 29,69
Envío por EUR 11,53
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Añadir al carritoPaperback. Condición: Brand New. 78 pages. 9.25x7.51x9.25 inches. In Stock.
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Resistive Random Access Memory (RRAM) (Synthesis Lectures on Emerging Engineering Technologies)
Librería: Books Puddle, New York, NY, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 43,65
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Añadir al carritoCondición: New. 1st edition NO-PA16APR2015-KAP.
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Development of a Six-Transistor Static Random-Access Memory Unit for Reduced Power Dissipation and Improved Characteristics in Sleep State
Librería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 33,04
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Añadir al carritoCondición: New. In.
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Resistive Random Access Memory (RRAM) (Synthesis Lectures on Emerging Engineering Technologies)
Idioma: Inglés
Publicado por Morgan & Claypool Publishers, 2016
ISBN 10: 1627059296 ISBN 13: 9781627059299
Librería: Our Kind Of Books, Liphook, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 23,76
Envío por EUR 25,55
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Añadir al carritoSoft cover. Condición: As New. This book has been in storage since publication and is unread. Hence the description as new. Synopsis: RRAM technology has made significant progress in the past decade as a competitive candidate for the next generation non-volatile memory (NVM). This lecture is a comprehensive tutorial of metal oxide-based RRAM technology from device fabrication to array architecture design. State-of-the-art RRAM device performances, characterization, and modeling techniques are summarized, and the design considerations of the RRAM integration to large-scale array with peripheral circuits are discussed.
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RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY
Idioma: Inglés
Publicado por Morgan & Claypool Publishers, 2016
ISBN 10: 1627059296 ISBN 13: 9781627059299
Librería: Basi6 International, Irving, TX, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 52,64
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Añadir al carritoCondición: Brand New. New. US edition. Expediting shipping for all USA and Europe orders excluding PO Box. Excellent Customer Service.
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Resistive Random Access Memory (RRAM) (Synthesis Lectures on Emerging Engineering Technologies)
Idioma: Inglés
Publicado por Morgan & Claypool Publishers (edition ), 2016
ISBN 10: 1627059296 ISBN 13: 9781627059299
Librería: BooksRun, Philadelphia, PA, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 59,23
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Añadir al carritoPaperback. Condición: Very Good. It's a well-cared-for item that has seen limited use. The item may show minor signs of wear. All the text is legible, with all pages included. It may have slight markings and/or highlighting.
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Resistive Random Access Memory (RRAM) (Synthesis Lectures on Emerging Engineering Technologies)
Idioma: Inglés
Publicado por Morgan & Claypool Publishers (edition ), 2016
ISBN 10: 1627059296 ISBN 13: 9781627059299
Librería: BooksRun, Philadelphia, PA, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 59,23
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Añadir al carritoPaperback. Condición: Very Good. It's a well-cared-for item that has seen limited use. The item may show minor signs of wear. All the text is legible, with all pages included. It may have slight markings and/or highlighting.
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Resistive Random Access Memory (RRAM) (Synthesis Lectures on Emerging Engineering Technologies)
Idioma: Inglés
Publicado por Morgan & Claypool Publishers (edition ), 2016
ISBN 10: 1627059296 ISBN 13: 9781627059299
Librería: BooksRun, Philadelphia, PA, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
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Añadir al carritoPaperback. Condición: New. The item is brand new, never used or read. It's in perfect condition and may include supplements and/or access codes or come shrink-wrapped.
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Cross Section of DRAM (Dynamic Random Access Memory)
Librería: Rarewaves USA United, OSWEGO, IL, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 19,11
Envío por EUR 42,61
Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Añadir al carritoPaperback. Condición: New.
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Introduction to Magnetic Random-Access Memory
Librería: Scissortail, Oklahoma City, OK, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 68,78
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Añadir al carritoCondición: good. This is a pre-loved book that shows moderate signs of wear from previous reading. You may notice creases, edge wear, or a cracked spine, but it remains in solid, readable condition.Please note:-May include library or rental stickers, stamps, or markings.-Supplemental materials e.g., CDs, access codes, inserts are not guaranteed.-Box sets may not come with the original outer box. If it does, the box will not be in perfect condition. -Sourced from donation centers; authenticity not verified with publisher. Your satisfaction is our top priority! If you have any questions or concerns about your order, please don't hesitate to reach out. Thank you for shopping with us and supporting small businessâ"happy reading!
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Introduction to Magnetic Random-Access Memory
Librería: Scissortail, Oklahoma City, OK, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 68,78
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Añadir al carritoCondición: good. This is a pre-loved book that shows moderate signs of wear from previous reading. You may notice creases, edge wear, or a cracked spine, but it remains in solid, readable condition.Please note:-May include library or rental stickers, stamps, or markings.-Supplemental materials e.g., CDs, access codes, inserts are not guaranteed.-Box sets may not come with the original outer box. If it does, the box will not be in perfect condition. -Sourced from donation centers; authenticity not verified with publisher. Your satisfaction is our top priority! If you have any questions or concerns about your order, please don't hesitate to reach out. Thank you for shopping with us and supporting small businessâ"happy reading!
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Introduction to Magnetic Random-Access Memory
Librería: Scissortail, Oklahoma City, OK, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 68,78
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Añadir al carritoCondición: good. This is a pre-loved book that shows moderate signs of wear from previous reading. You may notice creases, edge wear, or a cracked spine, but it remains in solid, readable condition.Please note:-May include library or rental stickers, stamps, or markings.-Supplemental materials e.g., CDs, access codes, inserts are not guaranteed.-Box sets may not come with the original outer box. If it does, the box will not be in perfect condition. -Sourced from donation centers; authenticity not verified with publisher. Your satisfaction is our top priority! If you have any questions or concerns about your order, please don't hesitate to reach out. Thank you for shopping with us and supporting small businessâ"happy reading!
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Introduction to Magnetic Random-Access Memory
Librería: World of Books (was SecondSale), Montgomery, IL, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 69,88
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Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritoCondición: Good. Item in good condition. Textbooks may not include supplemental items i.e. CDs, access codes etc.
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Trends In Capacitorless Dynamic Random Access Memory
Idioma: Inglés
Publicado por LAP LAMBERT Academic Publishing, 2023
ISBN 10: 6206782441 ISBN 13: 9786206782445
Librería: Books Puddle, New York, NY, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 76,65
Envío por EUR 3,40
Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 4 disponibles
Añadir al carritoCondición: New.
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Trends In Capacitorless Dynamic Random Access Memory
Idioma: Inglés
Publicado por LAP LAMBERT Academic Publishing, 2023
ISBN 10: 6206782441 ISBN 13: 9786206782445
Librería: Majestic Books, Hounslow, Reino Unido
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 75,91
Envío por EUR 7,50
Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 4 disponibles
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Resistive Random Access Memory (RRAM) (Paperback)
Idioma: Inglés
Publicado por Springer International Publishing AG, Cham, 2016
ISBN 10: 3031009029 ISBN 13: 9783031009020
Librería: AussieBookSeller, Truganina, VIC, Australia
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 51,93
Envío por EUR 31,53
Se envía de Australia a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritoPaperback. Condición: new. Paperback. RRAM technology has made significant progress in the past decade as a competitive candidate for the next generation non-volatile memory (NVM). This lecture is a comprehensive tutorial of metal oxide-based RRAM technology from device fabrication to array architecture design. State-of-the-art RRAM device performances, characterization, and modeling techniques are summarized, and the design considerations of the RRAM integration to large-scale array with peripheral circuits are discussed. Chapter 2 introduces the RRAM device fabrication techniques and methods to eliminate the forming process, and will show its scalability down to sub-10 nm regime. Then the device performances such as programming speed, variability control, and multi-level operation are presented, and finally the reliability issues such as cycling endurance and data retention are discussed. Chapter 3 discusses the RRAM physical mechanism, and the materials characterization techniques to observe the conductive filaments andthe electrical characterization techniques to study the electronic conduction processes. It also presents the numerical device modeling techniques for simulating the evolution of the conductive filaments as well as the compact device modeling techniques for circuit-level design. Chapter 4 discusses the two common RRAM array architectures for large-scale integration: one-transistor-one-resistor (1T1R) and cross-point architecture with selector. The write/read schemes are presented and the peripheral circuitry design considerations are discussed. Finally, a 3D integration approach is introduced for building ultra-high density RRAM array. Chapter 5 is a brief summary and will give an outlook for RRAMs potential novel applications beyond the NVM applications. State-of-the-art RRAM device performances, characterization, and modeling techniques are summarized, and the design considerations of the RRAM integration to large-scale array with peripheral circuits are discussed. Shipping may be from our Sydney, NSW warehouse or from our UK or US warehouse, depending on stock availability.
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DRAM (Dynamic Random Access Memory) Process Flow
Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 86,43
Envío por EUR 2,25
Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Añadir al carritoCondición: New.
