Artículos relacionados a Resistive Random Access Memory (RRAM) (Synthesis Lectures...

Resistive Random Access Memory (RRAM) (Synthesis Lectures on Emerging Engineering Technologies) - Tapa blanda

 
9783031009020: Resistive Random Access Memory (RRAM) (Synthesis Lectures on Emerging Engineering Technologies)

Sinopsis

RRAM technology has made significant progress in the past decade as a competitive candidate for the next generation non-volatile memory (NVM). This lecture is a comprehensive tutorial of metal oxide-based RRAM technology from device fabrication to array architecture design. State-of-the-art RRAM device performances, characterization, and modeling techniques are summarized, and the design considerations of the RRAM integration to large-scale array with peripheral circuits are discussed. Chapter 2 introduces the RRAM device fabrication techniques and methods to eliminate the forming process, and will show its scalability down to sub-10 nm regime. Then the device performances such as programming speed, variability control, and multi-level operation are presented, and finally the reliability issues such as cycling endurance and data retention are discussed. Chapter 3 discusses the RRAM physical mechanism, and the materials characterization techniques to observe the conductive filaments and the electrical characterization techniques to study the electronic conduction processes. It also presents the numerical device modeling techniques for simulating the evolution of the conductive filaments as well as the compact device modeling techniques for circuit-level design. Chapter 4 discusses the two common RRAM array architectures for large-scale integration: one-transistor-one-resistor (1T1R) and cross-point architecture with selector. The write/read schemes are presented and the peripheral circuitry design considerations are discussed. Finally, a 3D integration approach is introduced for building ultra-high density RRAM array. Chapter 5 is a brief summary and will give an outlook for RRAM's potential novel applications beyond the NVM applications.

"Sinopsis" puede pertenecer a otra edición de este libro.

Acerca del autor

Shimeng Yu received his B.S. degree in microelectronics from Peking University, Beijing, China, in 2009, and his M.S. degree and Ph.D. degree in electrical engineering from Stanford University, Stanford, CA, in 2011, and 2013, respectively. He did summer internships in IMEC, Belgium, in 2011, and IBM TJ Watson Research Center in 2012. He is currently an assistant professor of electrical engineering and computer engineering at Arizona State University, Tempe, AZ U.S. His research interests are emerging nano-devices and circuits with focus on the resistive switching memories, and new computing paradigms with focus on the neuro-inspired computing. He has published over 40 journal papers and over 80 conference papers with citations of 2500 and H-index 25 by 2015. He was awarded the Stanford Graduate Fellowship from 2009–2012, the IEEE Electron Devices Society Masters Student Fellowship in 2010, the IEEE Electron Devices Society Ph.D. Student Fellowship in 2012, the DoD DTRA Young Investigator Award in 2015, and the NSF CAREER Award in 2016. He has been serving on the Technical Committee of Nanoelectronics and Gigascale Systems, IEEE Circuits and Systems Society since 2014.

"Sobre este título" puede pertenecer a otra edición de este libro.

Comprar usado

Condición: Como Nuevo
Unread book in perfect condition...
Ver este artículo

EUR 17,21 gastos de envío desde Estados Unidos de America a España

Destinos, gastos y plazos de envío

Comprar nuevo

Ver este artículo

EUR 5,19 gastos de envío desde Reino Unido a España

Destinos, gastos y plazos de envío

Otras ediciones populares con el mismo título

9781627059299: Resistive Random Access Memory (RRAM) (Synthesis Lectures on Emerging Engineering Technologies)

Edición Destacada

ISBN 10:  1627059296 ISBN 13:  9781627059299
Editorial: Morgan & Claypool Publishers, 2016
Tapa blanda

Resultados de la búsqueda para Resistive Random Access Memory (RRAM) (Synthesis Lectures...

Imagen de archivo

Yu, Shimeng
Publicado por Springer, 2016
ISBN 10: 3031009029 ISBN 13: 9783031009020
Nuevo Tapa blanda

Librería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino Unido

Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas Valoración 5 estrellas, Más información sobre las valoraciones de los vendedores

Condición: New. In. Nº de ref. del artículo: ria9783031009020_new

Contactar al vendedor

Comprar nuevo

EUR 34,18
Convertir moneda
Gastos de envío: EUR 5,19
De Reino Unido a España
Destinos, gastos y plazos de envío

Cantidad disponible: Más de 20 disponibles

Añadir al carrito

Imagen de archivo

Yu, Shimeng
Publicado por Springer, 2016
ISBN 10: 3031009029 ISBN 13: 9783031009020
Nuevo Tapa blanda

Librería: California Books, Miami, FL, Estados Unidos de America

Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas Valoración 5 estrellas, Más información sobre las valoraciones de los vendedores

Condición: New. Nº de ref. del artículo: I-9783031009020

Contactar al vendedor

Comprar nuevo

EUR 33,70
Convertir moneda
Gastos de envío: EUR 6,89
De Estados Unidos de America a España
Destinos, gastos y plazos de envío

Cantidad disponible: Más de 20 disponibles

Añadir al carrito

Imagen del vendedor

Shimeng Yu
ISBN 10: 3031009029 ISBN 13: 9783031009020
Nuevo Taschenbuch
Impresión bajo demanda

Librería: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, Alemania

Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas Valoración 5 estrellas, Más información sobre las valoraciones de los vendedores

Taschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -RRAM technology has made significant progress in the past decade as a competitive candidate for the next generation non-volatile memory (NVM). This lecture is a comprehensive tutorial of metal oxide-based RRAM technology from device fabrication to array architecture design. State-of-the-art RRAM device performances, characterization, and modeling techniques are summarized, and the design considerations of the RRAM integration to large-scale array with peripheral circuits are discussed. Chapter 2 introduces the RRAM device fabrication techniques and methods to eliminate the forming process, and will show its scalability down to sub-10 nm regime. Then the device performances such as programming speed, variability control, and multi-level operation are presented, and finally the reliability issues such as cycling endurance and data retention are discussed. Chapter 3 discusses the RRAM physical mechanism, and the materials characterization techniques to observe the conductive filaments and the electrical characterization techniques to study the electronic conduction processes. It also presents the numerical device modeling techniques for simulating the evolution of the conductive filaments as well as the compact device modeling techniques for circuit-level design. Chapter 4 discusses the two common RRAM array architectures for large-scale integration: one-transistor-one-resistor (1T1R) and cross-point architecture with selector. The write/read schemes are presented and the peripheral circuitry design considerations are discussed. Finally, a 3D integration approach is introduced for building ultra-high density RRAM array. Chapter 5 is a brief summary and will give an outlook for RRAM's potential novel applications beyond the NVM applications. 80 pp. Englisch. Nº de ref. del artículo: 9783031009020

Contactar al vendedor

Comprar nuevo

EUR 29,95
Convertir moneda
Gastos de envío: EUR 11,00
De Alemania a España
Destinos, gastos y plazos de envío

Cantidad disponible: 2 disponibles

Añadir al carrito

Imagen del vendedor

Shimeng Yu
Publicado por Springer International Publishing, 2016
ISBN 10: 3031009029 ISBN 13: 9783031009020
Nuevo Taschenbuch

Librería: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Alemania

Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas Valoración 5 estrellas, Más información sobre las valoraciones de los vendedores

Taschenbuch. Condición: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - RRAM technology has made significant progress in the past decade as a competitive candidate for the next generation non-volatile memory (NVM). This lecture is a comprehensive tutorial of metal oxide-based RRAM technology from device fabrication to array architecture design. State-of-the-art RRAM device performances, characterization, and modeling techniques are summarized, and the design considerations of the RRAM integration to large-scale array with peripheral circuits are discussed. Chapter 2 introduces the RRAM device fabrication techniques and methods to eliminate the forming process, and will show its scalability down to sub-10 nm regime. Then the device performances such as programming speed, variability control, and multi-level operation are presented, and finally the reliability issues such as cycling endurance and data retention are discussed. Chapter 3 discusses the RRAM physical mechanism, and the materials characterization techniques to observe the conductive filaments andthe electrical characterization techniques to study the electronic conduction processes. It also presents the numerical device modeling techniques for simulating the evolution of the conductive filaments as well as the compact device modeling techniques for circuit-level design. Chapter 4 discusses the two common RRAM array architectures for large-scale integration: one-transistor-one-resistor (1T1R) and cross-point architecture with selector. The write/read schemes are presented and the peripheral circuitry design considerations are discussed. Finally, a 3D integration approach is introduced for building ultra-high density RRAM array. Chapter 5 is a brief summary and will give an outlook for RRAM's potential novel applications beyond the NVM applications. Nº de ref. del artículo: 9783031009020

Contactar al vendedor

Comprar nuevo

EUR 29,95
Convertir moneda
Gastos de envío: EUR 11,99
De Alemania a España
Destinos, gastos y plazos de envío

Cantidad disponible: 1 disponibles

Añadir al carrito

Imagen del vendedor

Yu, Shimeng
Publicado por Springer 3/17/2016, 2016
ISBN 10: 3031009029 ISBN 13: 9783031009020
Nuevo Paperback or Softback

Librería: BargainBookStores, Grand Rapids, MI, Estados Unidos de America

Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas Valoración 5 estrellas, Más información sobre las valoraciones de los vendedores

Paperback or Softback. Condición: New. Resistive Random Access Memory (Rram) 0.34. Book. Nº de ref. del artículo: BBS-9783031009020

Contactar al vendedor

Comprar nuevo

EUR 32,27
Convertir moneda
Gastos de envío: EUR 10,76
De Estados Unidos de America a España
Destinos, gastos y plazos de envío

Cantidad disponible: 5 disponibles

Añadir al carrito

Imagen del vendedor

Yu, Shimeng
Publicado por Springer, 2016
ISBN 10: 3031009029 ISBN 13: 9783031009020
Nuevo Tapa blanda

Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de America

Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas Valoración 5 estrellas, Más información sobre las valoraciones de los vendedores

Condición: New. Nº de ref. del artículo: 44571047-n

Contactar al vendedor

Comprar nuevo

EUR 29,91
Convertir moneda
Gastos de envío: EUR 17,21
De Estados Unidos de America a España
Destinos, gastos y plazos de envío

Cantidad disponible: Más de 20 disponibles

Añadir al carrito

Imagen del vendedor

Shimeng Yu
Publicado por Springer International Publishing, 2016
ISBN 10: 3031009029 ISBN 13: 9783031009020
Nuevo Tapa blanda
Impresión bajo demanda

Librería: moluna, Greven, Alemania

Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas Valoración 5 estrellas, Más información sobre las valoraciones de los vendedores

Condición: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Shimeng Yu received his B.S. degree in microelectronics from Peking University, Beijing, China, in 2009, and his M.S. degree and Ph.D. degree in electrical engineering from Stanford University, Stanford, CA, in 2011, and 2013, respectively. He did summer in. Nº de ref. del artículo: 608129208

Contactar al vendedor

Comprar nuevo

EUR 28,42
Convertir moneda
Gastos de envío: EUR 19,49
De Alemania a España
Destinos, gastos y plazos de envío

Cantidad disponible: Más de 20 disponibles

Añadir al carrito

Imagen de archivo

Yu, Shimeng
Publicado por Springer 2016-03, 2016
ISBN 10: 3031009029 ISBN 13: 9783031009020
Nuevo PF

Librería: Chiron Media, Wallingford, Reino Unido

Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas Valoración 4 estrellas, Más información sobre las valoraciones de los vendedores

PF. Condición: New. Nº de ref. del artículo: 6666-IUK-9783031009020

Contactar al vendedor

Comprar nuevo

EUR 31,43
Convertir moneda
Gastos de envío: EUR 17,32
De Reino Unido a España
Destinos, gastos y plazos de envío

Cantidad disponible: 10 disponibles

Añadir al carrito

Imagen del vendedor

Yu, Shimeng
Publicado por Springer, 2016
ISBN 10: 3031009029 ISBN 13: 9783031009020
Antiguo o usado Tapa blanda

Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de America

Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas Valoración 5 estrellas, Más información sobre las valoraciones de los vendedores

Condición: As New. Unread book in perfect condition. Nº de ref. del artículo: 44571047

Contactar al vendedor

Comprar usado

EUR 33,42
Convertir moneda
Gastos de envío: EUR 17,21
De Estados Unidos de America a España
Destinos, gastos y plazos de envío

Cantidad disponible: Más de 20 disponibles

Añadir al carrito

Imagen de archivo

Yu, Shimeng
Publicado por Springer, 2016
ISBN 10: 3031009029 ISBN 13: 9783031009020
Nuevo Tapa blanda

Librería: Books Puddle, New York, NY, Estados Unidos de America

Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas Valoración 4 estrellas, Más información sobre las valoraciones de los vendedores

Condición: New. 1st edition NO-PA16APR2015-KAP. Nº de ref. del artículo: 26395061262

Contactar al vendedor

Comprar nuevo

EUR 40,89
Convertir moneda
Gastos de envío: EUR 9,90
De Estados Unidos de America a España
Destinos, gastos y plazos de envío

Cantidad disponible: 4 disponibles

Añadir al carrito

Existen otras 6 copia(s) de este libro

Ver todos los resultados de su búsqueda