9786139907861 - design of low leakage sram de tripathi, rajan prasad; verma, rahul kumar (9 resultados)
- Tapa blanda
Librería: Books Puddle, New York, NY, Estados Unidos de AmericaBooks Puddle
Contactar con el vendedorVendedor de 4 estrellasCondición: Nuevo
EUR 63,74
Envío por EUR 3,46Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 4 disponibles
Condición: New.
- Tapa blanda
Librería: Revaluation Books, Exeter, Reino UnidoRevaluation Books
Contactar con el vendedorVendedor de 5 estrellasCondición: Nuevo
EUR 70,40
Envío por EUR 11,68Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Paperback. Condición: Brand New. 56 pages. 8.66x5.91x0.13 inches. In Stock.
- Más imágenes
- Tapa blanda
Librería: preigu, Osnabrück, Alemaniapreigu
Contactar con el vendedorVendedor de 5 estrellasCondición: Nuevo
EUR 36,35
Envío por EUR 70,00Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 5 disponibles
Taschenbuch. Condición: Neu. Design of Low Leakage SRAM | Rajan Prasad Tripathi (u. a.) | Taschenbuch | 56 S. | Englisch | 2018 | LAP LAMBERT Academic Publishing | EAN 9786139907861 | Verantwortliche Person für die EU: preigu GmbH & Co. KG, Lengericher Landstr. 19, 49078 Osnabrück, mail[at]preigu[dot]de | Anbieter: preigu.
- Más imágenes
- Tapa blanda
- Impresión bajo demanda
Librería: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, AlemaniaBuchWeltWeit Ludwig Meier e.K.
Contactar con el vendedorVendedor de 5 estrellasCondición: Nuevo
EUR 39,90
Envío por EUR 23,00Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 2 disponibles
Taschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -The most research on the power consumption of circuits has been concentrated on the switching power and the power dissipated by the leakage current has been the relatively minor area. However, in the current VLSI process, the sub-th…reshold current becomes one of the major factors of the power consumption, especially in high-end memory. To reduce the leakage power in the SRAM, the power gating method can be applied and a major technique of the power gating is using sleep transistors to control the sub-threshold current. In this project, dual threshold voltages are adopted; normal SRAM cells have lower threshold voltages and the higher threshold voltages control the sleep transistors. The size of sleep transistors can be chosen by the worst case current and are applied to every block. 56 pp. Englisch.
- Tapa blanda
- Impresión bajo demanda
Librería: Majestic Books, Hounslow, Reino UnidoMajestic Books
Contactar con el vendedorVendedor de 4 estrellasCondición: Nuevo
EUR 62,90
Envío por EUR 7,59Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 4 disponibles
Condición: New. Print on Demand.
- Tapa blanda
- Impresión bajo demanda
Librería: Biblios, frankfurt am main, HESSE, AlemaniaBiblios
Contactar con el vendedorVendedor de 4 estrellasCondición: Nuevo
EUR 64,66
Envío por EUR 9,95Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 4 disponibles
Condición: New. PRINT ON DEMAND.
- Más imágenes
- Tapa blanda
- Impresión bajo demanda
Librería: moluna, Greven, Alemaniamoluna
Contactar con el vendedorVendedor de 5 estrellasCondición: Nuevo
EUR 34,25
Envío por EUR 48,99Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Condición: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Autor/Autorin: Tripathi Rajan PrasadMr.Rajan Prasad Tripathi works as an Assistant Professor in Department of Electronics and Communication Engineering, Amity School of Engineering and Technology. Mr. Rahul Kumar Verm…a works an Assistant Professor .
- Más imágenes
- Tapa blanda
- Impresión bajo demanda
Librería: buchversandmimpf2000, Emtmannsberg, BAYE, Alemaniabuchversandmimpf2000
Contactar con el vendedorVendedor de 5 estrellasCondición: Nuevo
EUR 39,90
Envío por EUR 60,00Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Taschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -The most research on the power consumption of circuits has been concentrated on the switching power and the power dissipated by the leakage current has been the relatively minor area. However, in the current VLSI process, the sub-thresh…old current becomes one of the major factors of the power consumption, especially in high-end memory. To reduce the leakage power in the SRAM, the power gating method can be applied and a major technique of the power gating is using sleep transistors to control the sub-threshold current. In this project, dual threshold voltages are adopted; normal SRAM cells have lower threshold voltages and the higher threshold voltages control the sleep transistors. The size of sleep transistors can be chosen by the worst case current and are applied to every block.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 56 pp. Englisch.
- Más imágenes
- Tapa blanda
- Impresión bajo demanda
Librería: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, AlemaniaAHA-BUCH GmbH
Contactar con el vendedorVendedor de 5 estrellasCondición: Nuevo
EUR 40,89
Envío por EUR 60,51Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Taschenbuch. Condición: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - The most research on the power consumption of circuits has been concentrated on the switching power and the power dissipated by the leakage current has been the relatively minor area. However, in the current VLSI process, the sub-thresho…ld current becomes one of the major factors of the power consumption, especially in high-end memory. To reduce the leakage power in the SRAM, the power gating method can be applied and a major technique of the power gating is using sleep transistors to control the sub-threshold current. In this project, dual threshold voltages are adopted; normal SRAM cells have lower threshold voltages and the higher threshold voltages control the sleep transistors. The size of sleep transistors can be chosen by the worst case current and are applied to every block.
