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9781786347152 - COUPLED DIFFUSION IMPURITY ATOMS & POINT DEFECTS SILICON de OLEG VELICHKO (22 resultados)
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Coupled Diffusion of Impurity Atoms and Point Defects in Silicon Crystals
Librería: Romtrade Corp., STERLING HEIGHTS, MI, Estados Unidos de America
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Coupled Diffusion of Impurity Atoms and Point Defects in Silicon Crystals
Librería: Basi6 International, Irving, TX, Estados Unidos de America
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COUPLED DIFFUSION OF IMPURITY ATOMS AND POINT DEFECTS IN SILICON CRYSTALS
Librería: Romtrade Corp., STERLING HEIGHTS, MI, Estados Unidos de America
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COUPLED DIFFUSION OF IMPURITY ATOMS AND POINT DEFECTS IN SILICON CRYSTALS
Librería: Basi6 International, Irving, TX, Estados Unidos de America
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Coupled Diffusion Of Impurity Atoms And Point Defects In Silicon Crystals
Librería: Books Puddle, New York, NY, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
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Coupled Diffusion Of Impurity Atoms And Point Defects In Silicon Crystals
Librería: Majestic Books, Hounslow, Reino Unido
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Coupled Diffusion Of Impurity Atoms And Point Defects In Silicon Crystals
Librería: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Alemania
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
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Coupled Diffusion of Impurity Atoms and Point Defects in Silicon Crystals
Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
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Coupled Diffusion Of Impurity Atoms And Point Defects In Silicon Crystals
Idioma: Inglés
Publicado por World Scientific Europe Ltd, 2019
ISBN 10: 1786347156 ISBN 13: 9781786347152
Librería: PBShop.store US, Wood Dale, IL, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
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Coupled Diffusion of Impurity Atoms and Point Defects in Silicon Crystals
Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
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Coupled Diffusion Of Impurity Atoms And Point Defects In Silicon Crystals
Idioma: Inglés
Publicado por World Scientific Europe Ltd, 2019
ISBN 10: 1786347156 ISBN 13: 9781786347152
Librería: PBShop.store UK, Fairford, GLOS, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
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Coupled Diffusion of Impurity Atoms and Point Defects in Silicon Crystals
Librería: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
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Coupled Diffusion of Impurity Atoms and Point Defects in Silicon Crystals
Idioma: Inglés
Publicado por World Scientific Publishing Europe Ltd, 2019
ISBN 10: 1786347156 ISBN 13: 9781786347152
Librería: Mispah books, Redhill, SURRE, Reino Unido
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 145,25
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Coupled Diffusion of Impurity Atoms and Point Defects in Silicon Crystals
Librería: Buchpark, Trebbin, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
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Añadir al carritoCondición: Hervorragend. Zustand: Hervorragend | Seiten: 404 | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | This work presents a comprehensive theory describing atomic diffusion in silicon crystals under strong nonequilibrium conditions caused by ion implantation and interaction with the surface or other interfaces. A set of generalized equations that describe diffusion of impurity atoms and point defects are presented in a form suitable for solving numerically. Based on this theory, partial diffusion models are constructed, and the simulation of many doping processes used in microelectronics is carried out.Coupled Diffusion of Impurity Atoms and Point Defects in Silicon Crystals is a useful text for researchers, engineers, and advanced students in semiconductor physics, microelectronics, and nanoelectronics. It helps readers acquire a deep understanding of the physics of diffusion and demonstrates the practical application of the theoretical ideas formulated to find cheaper solutions in the course of manufacturing semiconductor devices and integrated microcircuits.
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Coupled Diffusion of Impurity Atoms and Point Defects in Silicon Crystals
Librería: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 165,64
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Coupled Diffusion Impurity Atoms & Point Defects Silicon
Librería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 170,22
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Coupled Diffusion Of Impurity Atoms And Point Defects In Silicon Crystals
Idioma: Inglés
Publicado por World Scientific Europe Ltd, 2019
ISBN 10: 1786347156 ISBN 13: 9781786347152
Librería: THE SAINT BOOKSTORE, Southport, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 171,89
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Añadir al carritoHardback. Condición: New. New copy - Usually dispatched within 4 working days.
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Coupled Diffusion of Impurity Atoms and Point Defects in Silicon Crystals
Idioma: Inglés
Publicado por World Scientific Pub Co Inc, 2019
ISBN 10: 1786347156 ISBN 13: 9781786347152
Librería: Revaluation Books, Exeter, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 203,68
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Añadir al carritoHardcover. Condición: Brand New. 370 pages. 9.50x6.50x1.00 inches. In Stock.
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Coupled Diffusion Of Impurity Atoms And Point Defects In Silicon Crystals
Idioma: Inglés
Publicado por World Scientific Europe Ltd, 2019
ISBN 10: 1786347156 ISBN 13: 9781786347152
Librería: THE SAINT BOOKSTORE, Southport, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
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Coupled Diffusion of Impurity Atoms and Point Defects in Silicon Crystals
Librería: moluna, Greven, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
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Añadir al carritoCondición: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. KlappentextrnrnThis work presents a comprehensive theory describing atomic diffusion in silicon crystals under strong nonequilibrium conditions caused by ion implantation and interaction with the surface or other interfaces. A set of generalized.
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COUPLED DIFFUSION IMPURITY ATOMS & POINT DEFECTS SILICON
Librería: preigu, Osnabrück, Alemania
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Añadir al carritoBuch. Condición: Neu. COUPLED DIFFUSION IMPURITY ATOMS & POINT DEFECTS SILICON | Velichko Oleg | Buch | Gebunden | Englisch | 2019 | WSPC (Europe) | EAN 9781786347152 | Verantwortliche Person für die EU: Libri GmbH, Europaallee 1, 36244 Bad Hersfeld, gpsr[at]libri[dot]de | Anbieter: preigu Print on Demand.
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COUPLED DIFFUSION IMPURITY ATOMS & POINT DEFECTS SILICON
Librería: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Alemania
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Añadir al carritoBuch. Condición: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - This work presents a comprehensive theory describing atomic diffusion in silicon crystals under strong nonequilibrium conditions caused by ion implantation and interaction with the surface or other interfaces. A set of generalized equations that describe diffusion of impurity atoms and point defects are presented in a form suitable for solving numerically. Based on this theory, partial diffusion models are constructed, and the simulation of many doping processes used in microelectronics is carried out.Coupled Diffusion of Impurity Atoms and Point Defects in Silicon Crystals is a useful text for researchers, engineers, and advanced students in semiconductor physics, microelectronics, and nanoelectronics. It helps readers acquire a deep understanding of the physics of diffusion and demonstrates the practical application of the theoretical ideas formulated to find cheaper solutions in the course of manufacturing semiconductor devices and integrated microcircuits.
