COUPLED DIFFUSION IMPURITY ATOMS & POINT DEFECTS SILICON
Idioma: inglés
Editorial: WSPC (Europe), 2019
- Tapa dura
- Nuevo
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nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - This work presents a comprehensive theory describing atomic diffusion in silicon crystals under strong nonequilibrium conditions caused by ion implantation and interaction with the surface or other interfaces. A set of generalized equations that describe diffusion of impurity atoms and point defects are presented in a form suitable for solving numerically. Based on this theory, partial diffusion models are constructed, and the simulation of many doping processes used in microelectronics is carried out.Coupled Diffusion of Impurity Atoms and Point Defects in Silicon Crystals is a useful text for researchers, engineers, and advanced students in semiconductor physics, microelectronics, and nanoelectronics. It helps readers acquire a deep understanding of the physics of diffusion and demonstrates the practical application of the theoretical ideas formulated to find cheaper solutions in the course of manufacturing semiconductor devices and integrated microcircuits.…
N° de ref. del artículo 9781786347152
- Título
- COUPLED DIFFUSION IMPURITY ATOMS & POINT DEFECTS SILICON
- Autor
- Velichko Oleg
- Editorial
- WSPC (Europe)
- Año de publicación
- 2019
- Estado
- Neu
- Encuadernación
- Buch
- Idioma
- inglés
- ISBN 10
- 1786347156
- ISBN 13
- 9781786347152
- Peso del artículo
- 734 gramos
- Dimensiones
- 235x157x26 mm
This work presents a comprehensive theory describing atomic diffusion in silicon crystals under strong nonequilibrium conditions caused by ion implantation and interaction with the surface or other interfaces. A set of generalized equations that describe diffusion of impurity atoms and point defects are presented in a form suitable for solving numerically. Based on this theory, partial diffusion models are constructed, and the simulation of many doping processes used in microelectronics is carried out.
Coupled Diffusion of Impurity Atoms and Point Defects in Silicon Crystals is a useful text for researchers, engineers, and advanced students in semiconductor physics, microelectronics, and nanoelectronics. It helps readers acquire a deep understanding of the physics of diffusion and demonstrates the practical application of the theoretical ideas formulated to find cheaper solutions in the course of manufacturing semiconductor devices and integrated microcircuits.
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