Isbn: 9781605111285 - cmos gate-stack scaling - materials, interfaces and reliability implications: symposium held april 14-16, 2009, san francisco, california, u.s.a.: 1155 (mrs proceedings) (17 resultados)
Cmos Gate-stack Scaling Materials, Interfaces and Reliability Implications : Symposium Held April 14-16, 2009, San Francisco, California, U.s.a.
Butterbaugh, J. (EDT); Demkov, a (EDT); Harris, R. (EDT); Rachmady, W. (EDT); Taylor, B. (EDT)
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Cmos Gate-stack Scaling Materials, Interfaces and Reliability Implications : Symposium Held April 14-16, 2009, San Francisco, California, U.s.a.
Butterbaugh, J. (EDT); Demkov, a (EDT); Harris, R. (EDT); Rachmady, W. (EDT); Taylor, B. (EDT)
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Cmos Gate-stack Scaling - Materials, Interfaces and Reliability Implications: Volume 1155
. Ed(s): Demkov, Alexander A. (Freescale Semiconductor Inc., Austin, Texas); Taylor, Bill; Harris, H. Rusty; Butterbaugh, Jeffery W.; Rachmady, Willy
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Cmos Gate-stack Scaling - Materials, Interfaces and Reliability Implications: Volume 1155
. Ed(s): Demkov, Alexander A. (Freescale Semiconductor Inc., Austin, Texas); Taylor, Bill; Harris, H. Rusty; Butterbaugh, Jeffery W.; Rachmady, Willy
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Condición: New. The MRS Symposium Proceeding series is an internationally recognised reference suitable for researchers and practitioners. Editor(s): Demkov, Alexander A. (Freescale Semiconductor Inc., Austin, Texas); Taylor, Bill; Harris, H. Rusty; Butterbaugh, Jeffery W.; Rachmady, Willy. Series: MRS Proceedings. Num Pages: 194 pages, Illustrations. BIC Classification: TGM. Category: (U) Tertiary Education (US: College). Dimension: 228 x 152 x 13. Weight in Grams: 430. . 2009. Hardback. . . . . Books ship from the US and Ireland. …
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Buch. Condición: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - To address the increasing demands of device scaling, new materials are being introduced into conventional Si CMOS processing at an unprecedented rate. Presentations collected here focus on understanding, from a chemistry and materials perspective, the mechanism of interface formation and defects at interfaces, for both conventional Si and alternative channel (Ge or III-V) systems. Several papers address reliability concerns for high-k/metal gate (basic physical models, charge trapping, etc.), while others cover characterization of the thin films and interfaces which comprise the gate stack. Topics include: advanced Si-based gate stacks; and alternate channel materials.…
Cmos Gate-stack Scaling Materials, Interfaces and Reliability Implications : Symposium Held April 14-16, 2009, San Francisco, California, U.s.a.
Butterbaugh, J. (EDT); Demkov, a (EDT); Harris, R. (EDT); Rachmady, W. (EDT); Taylor, B. (EDT)
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Cmos Gate-stack Scaling Materials, Interfaces and Reliability Implications : Symposium Held April 14-16, 2009, San Francisco, California, U.s.a.
Butterbaugh, J. (EDT); Demkov, a (EDT); Harris, R. (EDT); Rachmady, W. (EDT); Taylor, B. (EDT)
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Cmos Gate-Stack Scaling-- Materials, Interfaces and Reliability Implications
Rachmady Willy Butterbaugh Jeffery W. Harris H. Rusty Taylor Bill Demkov Alexander A.
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Buch. Condición: Neu. CMOS Gate-Stack Scaling - Materials, Interfaces and Reliability Implications | Alexander A. Demkov (u. a.) | Buch | Englisch | 2016 | Cambridge University Press | EAN 9781605111285 | Verantwortliche Person für die EU: Libri GmbH, Europaallee 1, 36244 Bad Hersfeld, gpsr[at]libri[dot]de | Anbieter: preigu Print on Demand. …
