9780521024457 - photo-induced defects semiconductrs: 4 (cambridge studies in semiconductor physics and microelectronic engineering, series number 4) de redfield, david (16 resultados)
Idioma: Inglés
Editorial: Cambridge University Press, 1996
Serie: Cambridge Studies in Semiconductor Physics and Microelectronic Engineering, Libro 2 de 2. Libro 2 de 2 - Cambridge Studies in Semiconductor Physics and Microelectronic Engineering
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Idioma: Inglés
Editorial: Cambridge University Press, 2006
Serie: Cambridge Studies in Semiconductor Physics and Microelectronic Engineering, Libro 2 de 2. Libro 2 de 2 - Cambridge Studies in Semiconductor Physics and Microelectronic Engineering
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Idioma: Inglés
Editorial: Cambridge University Press, 2006
Serie: Cambridge Studies in Semiconductor Physics and Microelectronic Engineering, Libro 2 de 2. Libro 2 de 2 - Cambridge Studies in Semiconductor Physics and Microelectronic Engineering
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Idioma: Inglés
Editorial: Cambridge University Press, 2006
Serie: Cambridge Studies in Semiconductor Physics and Microelectronic Engineering, Libro 2 de 2. Libro 2 de 2 - Cambridge Studies in Semiconductor Physics and Microelectronic Engineering
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Editorial: Cambridge University Press, 2006
Serie: Cambridge Studies in Semiconductor Physics and Microelectronic Engineering, Libro 2 de 2. Libro 2 de 2 - Cambridge Studies in Semiconductor Physics and Microelectronic Engineering
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Idioma: Inglés
Editorial: Cambridge University Press 2008-08-21, 2008
Serie: Cambridge Studies in Semiconductor Physics and Microelectronic Engineering, Libro 2 de 2. Libro 2 de 2 - Cambridge Studies in Semiconductor Physics and Microelectronic Engineering
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Idioma: Inglés
Editorial: Cambridge University Press, 2008
Serie: Cambridge Studies in Semiconductor Physics and Microelectronic Engineering, Libro 2 de 2. Libro 2 de 2 - Cambridge Studies in Semiconductor Physics and Microelectronic Engineering
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Condición: New. A thorough review of the properties of deep-level, localized defects in semiconductors. Series Editor(s): Ahmad, Haroon; Pepper, Michael; Broers, Alec. Series: Cambridge Studies in Semiconductor Physics & Microelectronic Engineering. Num Pages: 232 pages, 106 b/w illus. BIC Classification: PHK; TJFD5. Category: (…P) Professional & Vocational. Dimension: 229 x 152 x 13. Weight in Grams: 350. . 2008. 1st Edition. paperback. . . . .
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Editorial: Cambridge University Press, 2006
Serie: Cambridge Studies in Semiconductor Physics and Microelectronic Engineering, Libro 2 de 2. Libro 2 de 2 - Cambridge Studies in Semiconductor Physics and Microelectronic Engineering
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Condición: New. A thorough review of the properties of deep-level, localized defects in semiconductors. Series Editor(s): Ahmad, Haroon; Pepper, Michael; Broers, Alec. Series: Cambridge Studies in Semiconductor Physics & Microelectronic Engineering. Num Pages: 232 pages, 106 b/w illus. BIC Classification: PHK; TJFD5. Category: (…P) Professional & Vocational. Dimension: 229 x 152 x 13. Weight in Grams: 350. . 2008. 1st Edition. paperback. . . . . Books ship from the US and Ireland.
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Editorial: Cambridge University Press, 2006
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Taschenbuch. Condición: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This is the first book to give a complete overview of the properties of deep-level, localized defects in semiconductors. Such comparatively long-lived (or metastable) defects exhibit complex interactions with the surrounding material, and can signi…ficantly affect the performance and stability of certain semiconductor devices. After an introductory discussion of metastable defects, the properties of DX and EL2 centres in III-V compounds are presented. Additional crystalline materials are also dealt with, before a detailed description is given of the properties and kinetics of photo-induced defects in amorphous semiconductors. The book closes with an examination of the effects of photo-induced defects in a range of practical applications. Throughout, unifying concepts and models are stressed, and the book will be of great use to graduate students and researchers interested in the physics and materials science of semiconductors.
Idioma: Inglés
Editorial: Cambridge Univ Pr, 2006
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Idioma: Inglés
Editorial: Cambridge University Press, 2006
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Editorial: Cambridge University Press CUP, 2006
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Editorial: Cambridge University Press, 2006
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Editorial: Cambridge University Press, 2006
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Editorial: Cambridge University Press, Cambridge, 2006
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Paperback. Condición: new. Paperback. This is the first book to give a complete overview of the properties of deep-level, localized defects in semiconductors. Such comparatively long-lived (or metastable) defects exhibit complex interactions with the surrounding material, and can significantly affect the performance and stabilit…y of certain semiconductor devices. After an introductory discussion of metastable defects, the properties of DX and EL2 centres in IIIV compounds are presented. Additional crystalline materials are also dealt with, before a detailed description is given of the properties and kinetics of photo-induced defects in amorphous semiconductors. The book closes with an examination of the effects of photo-induced defects in a range of practical applications. Throughout, unifying concepts and models are stressed, and the book will be of great use to graduate students and researchers interested in the physics and materials science of semiconductors. This is the first book to give a complete overview of the properties of deep-level, localized defects in semiconductors. These metastable defects exhibit complex interactions with the surrounding material, and can significantly affect the performance and stability of certain semiconductor devices. This item is printed on demand. Shipping may be from our UK warehouse or from our Australian or US warehouses, depending on stock availability.
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Editorial: Cambridge University Press, 2006
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