Park byung eun (38 resultados)
Idioma: Inglés
Editorial: Dordrecht, Springer., 2016
- Tapa dura
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XVIII, 347 p. Hardcover. Versand aus Deutschland / We dispatch from Germany via Air Mail. Einband bestoßen, daher Mängelexemplar gestempelt, sonst sehr guter Zustand. Imperfect copy due to slightly bumped cover, apart from this in very good condition. Stamped. Sprache: Englisch.
Idioma: Inglés
Editorial: Singapore, Springer., 2020
- Tapa dura
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2nd ed. 2020. XIV, 425 p. Hardcover. Einband bestoßen, daher Mängelexemplar gestempelt, sonst sehr guter Zustand. Imperfect copy due to slightly bumped cover, apart from this in very good condition. Stamped. Topics in Applied Physics, 131. Sprache: Englisch.
Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories. Device Physics and Applications.
Park, Byung-Eun/Ishiwara, Hiroshi/Okuyama, Masanori/Sakai, Shigeki/Yoon, Sung-Min (Hrsg.)
Idioma: Inglés
Editorial: Singapore, Springer Singapore., 2021
- Tapa blanda
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EUR 24,00
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2nd ed. 2020. 16 x 24 cm. XIV, 425 S. XIV, 425 p. 313 illus., 183 illus. in color. Softcover (Topics in Applied Physics). Sprache: Englisch.
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Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2016
- Tapa dura
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EUR 21,90
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Hardcover. 347 S. Ex-library with stamp and library-signature in good condition, some traces of use. C-00991 9789402408393 Sprache: Englisch Gewicht in Gramm: 550.
Idioma: Inglés
Editorial: SPRINGER NATURE, 2016
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Librería: Buchpark, Trebbin, AlemaniaBuchpark
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EUR 19,81
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Condición: Sehr gut. Zustand: Sehr gut | Seiten: 347 | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | Keine Beschreibung verfügbar.
Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2018
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Condición: New. pp. 365.
Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2021
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Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2018
- Tapa blanda
Librería: preigu, Osnabrück, Alemaniapreigu
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Taschenbuch. Condición: Neu. Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories | Device Physics and Applications | Byung-Eun Park (u. a.) | Taschenbuch | xviii | Englisch | 2018 | Springer | EAN 9789402414165 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at…]springer[dot]com | Anbieter: preigu.
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Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2018
- Tapa blanda
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EUR 130,67
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Taschenbuch. Condición: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book provides comprehensive coverage of the materials characteristics, process technologies, and device operations for memory field-effect transistors employing inorganic or organic ferroelectric thin films. This transistor-type ferroelectric…memory has interesting fundamental device physics and potentially large industrial impact. Among the various applications of ferroelectric thin films, the development of nonvolatile ferroelectric random access memory (FeRAM) has progressed most actively since the late 1980s and has achieved modest mass production levels for specific applications since 1995. There are two types of memory cells in ferroelectric nonvolatile memories. One is the capacitor-type FeRAM and the other is the field-effect transistor (FET)-type FeRAM. Although the FET-type FeRAM claims ultimate scalability and nondestructive readout characteristics, the capacitor-type FeRAMs have been the main interest for the major semiconductor memory companies, because the ferroelectric FET has fatal handicaps of cross-talk for random accessibility and short retention time.This book aims to provide readers with the development history, technical issues, fabrication methodologies, and promising applications of FET-type ferroelectric memory devices, presenting a comprehensive review of past, present, and future technologies. The topics discussed will lead to further advances in large-area electronics implemented on glass or plastic substrates as well as in conventional Si electronics.The book is composed of chapters written by leading researchers in ferroelectric materials and related device technologies, including oxide and organic ferroelectric thin films.
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Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2020
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EUR 139,09
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Buch. Condición: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book provides comprehensive coverage of the materials characteristics, process technologies, and device operations for memory field-effect transistors employing inorganic or organic ferroelectric thin films. This transistor-type ferroelectric memory…has interesting fundamental device physics and potentially large industrial impact.Among various applications of ferroelectric thin films, the development of nonvolatile ferroelectric random access memory (FeRAM) has been most actively progressed since the late 1980s and reached modest mass production for specific application since 1995. There are two types of memory cells in ferroelectric nonvolatile memories. One is the capacitor-type FeRAM and the other is the field-effect transistor (FET)-type FeRAM. Although the FET-type FeRAM claims the ultimate scalability and nondestructive readout characteristics, the capacitor-type FeRAMs have been the main interest for the major semiconductor memory companies, because the ferroelectric FET has fatal handicaps of cross-talk for random accessibility and short retention time. This book aims to provide the readers with development history, technical issues, fabrication methodologies, and promising applications of FET-type ferroelectric memory devices, presenting a comprehensive review of past, present, and future technologies. The topics discussed will lead to further advances in large-area electronics implemented on glass, plastic or paper substrates as well as in conventional Si electronics.The book is composed of chapters written by leading researchers in ferroelectric materials and related device technologies, including oxide and organic ferroelectric thin films.
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Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2021
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EUR 140,10
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Taschenbuch. Condición: Neu. Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories | Device Physics and Applications | Byung-Eun Park (u. a.) | Taschenbuch | Topics in Applied Physics | xiv | Englisch | 2021 | Springer | EAN 9789811512148 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelber…g, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu.
Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2018
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EUR 204,19
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Paperback. Condición: Brand New. reprint edition. 347 pages. 9.25x6.10x0.83 inches. In Stock.
Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2021
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Condición: New.
Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2020
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Idioma: Inglés
Editorial: Springer, Springer, 2021
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Taschenbuch. Condición: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book provides comprehensive coverage of the materials characteristics, process technologies, and device operations for memory field-effect transistors employing inorganic or organic ferroelectric thin films. This transistor-type ferroelectric…memory has interesting fundamental device physics and potentially large industrial impact.Among various applications of ferroelectric thin films, the development of nonvolatile ferroelectric random access memory (FeRAM) has been most actively progressed since the late 1980s and reached modest mass production for specific application since 1995. There are two types of memory cells in ferroelectric nonvolatile memories. One is the capacitor-type FeRAM and the other is the field-effect transistor (FET)-type FeRAM. Although the FET-type FeRAM claims the ultimate scalability and nondestructive readout characteristics, the capacitor-type FeRAMs have been the main interest for the major semiconductor memory companies, because the ferroelectric FET has fatal handicaps of cross-talk for random accessibility and short retention time. This book aims to provide the readers with development history, technical issues, fabrication methodologies, and promising applications of FET-type ferroelectric memory devices, presenting a comprehensive review of past, present, and future technologies. The topics discussed will lead to further advances in large-area electronics implemented on glass, plastic or paper substrates as well as in conventional Si electronics.The book is composed of chapters written by leading researchers in ferroelectric materials and related device technologies, including oxide and organic ferroelectric thin films.
Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2018
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Idioma: Inglés
Editorial: Springer Nature, 2021
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Paperback. Condición: Brand New. 2nd edition. 439 pages. 9.25x6.10x1.06 inches. In Stock.
Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2020
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EUR 260,68
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Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2021
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Librería: Mispah books, Redhill, SURRE, Reino UnidoMispah books
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Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2018
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Editorial: Springer, 2018
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Editorial: Springer, 2021
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Editorial: Springer, 2020
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Editorial: Springer, 2020
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Idioma: Inglés
Editorial: Springer Netherlands Jun 2018, 2018
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EUR 123,04
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Taschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -This book provides comprehensive coverage of the materials characteristics, process technologies, and device operations for memory field-effect transistors employing inorganic or organic ferroelectric thin films. This transistor-typ…e ferroelectric memory has interesting fundamental device physics and potentially large industrial impact. Among the various applications of ferroelectric thin films, the development of nonvolatile ferroelectric random access memory (FeRAM) has progressed most actively since the late 1980s and has achieved modest mass production levels for specific applications since 1995. There are two types of memory cells in ferroelectric nonvolatile memories. One is the capacitor-type FeRAM and the other is the field-effect transistor (FET)-type FeRAM. Although the FET-type FeRAM claims ultimate scalability and nondestructive readout characteristics, the capacitor-type FeRAMs have been the main interest for the major semiconductor memory companies, because the ferroelectric FET has fatal handicaps of cross-talk for random accessibility and short retention time.This book aims to provide readers with the development history, technical issues, fabrication methodologies, and promising applications of FET-type ferroelectric memory devices, presenting a comprehensive review of past, present, and future technologies. The topics discussed will lead to further advances in large-area electronics implemented on glass or plastic substrates as well as in conventional Si electronics.The book is composed of chapters written by leading researchers in ferroelectric materials and related device technologies, including oxide and organic ferroelectric thin films. 368 pp. Englisch.
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Idioma: Inglés
Editorial: Springer Nature Singapore Mrz 2020, 2020
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Librería: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, AlemaniaBuchWeltWeit Ludwig Meier e.K.
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Buch. Condición: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -This book provides comprehensive coverage of the materials characteristics, process technologies, and device operations for memory field-effect transistors employing inorganic or organic ferroelectric thin films. This transistor-type ferro…electric memory has interesting fundamental device physics and potentially large industrial impact.Among various applications of ferroelectric thin films, the development of nonvolatile ferroelectric random access memory (FeRAM) has been most actively progressed since the late 1980s and reached modest mass production for specific application since 1995. There are two types of memory cells in ferroelectric nonvolatile memories. One is the capacitor-type FeRAM and the other is the field-effect transistor (FET)-type FeRAM. Although the FET-type FeRAM claims the ultimate scalability and nondestructive readout characteristics, the capacitor-type FeRAMs have been the main interest for the major semiconductor memory companies, because the ferroelectric FET has fatal handicaps of cross-talk for random accessibility and short retention time. This book aims to provide the readers with development history, technical issues, fabrication methodologies, and promising applications of FET-type ferroelectric memory devices, presenting a comprehensive review of past, present, and future technologies. The topics discussed will lead to further advances in large-area electronics implemented on glass, plastic or paper substrates as well as in conventional Si electronics.The book is composed of chapters written by leading researchers in ferroelectric materials and related device technologies, including oxide and organic ferroelectric thin films. 440 pp. Englisch.
Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2018
- Tapa blanda
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Librería: Majestic Books, Hounslow, Reino UnidoMajestic Books
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EUR 179,81
Envío por EUR 7,62Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 4 disponibles
Condición: New. Print on Demand pp. 365.
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Idioma: Inglés
Editorial: Springer Nature Singapore Mrz 2021, 2021
- Tapa blanda
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EUR 160,49
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Editorial: Springer Nature Singapore, 2021
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Librería: moluna, Greven, Alemaniamoluna
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Condición: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Demonstrates that technology field of transistor-type ferroelectric memory has great impacts on both fundamental device physics and commercial industrial opportunitiesDeals with an insightful review to all the key tec…hnologies and applic.
