M kubat (22 resultados)
Idioma: Alemán
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Heft. Condición: Gut. 6 Seiten mit zahlr. Ill. Der hier angebotene Sonderdruck ist informativ und kurz gehalten. Er stammt aus der Separaten-Sammlung einer wissenschaftlichen Bibliothek und trägt einen den Text nicht verdeckenden Stempel. Insgesamt ordentlicher Erhaltungszustand. Aufgrund der Rarität und des geringen Umfangs des… Werkes bitten wir um Verständnis, dass dieser Sonderdruck vom Rückgaberecht ausgeschlossen ist. Sprache: Deutsch Gewicht in Gramm: 40.
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2nd Edition. xiii, 348 p. Hardcover. 2nd edition. Versand aus Deutschland / We dispatch from Germany via Air Mail. Einband bestoßen, daher Mängelexemplar gestempelt, sonst sehr guter Zustand. Imperfect copy due to slightly bumped cover, apart from this in very good condition. Stamped. Sprache: Englisch.
Editorial: Státní Zdravotnické Nakladatelství, 1954
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Librería: Librería El Cárabo, Valencia, V, EspañaLibrería El Cárabo
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Condición: Usado
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Rústica. 15x 20?5 cm En checo. Buen estado. 101 p Libro.
Entropy And Information In Science And Philosophy
Kubat, L. And J. Zeman (Editors); P C W Davies, O Costa De Beauregard, Richard Schlegel, M. J. Harrison, J. Peters, K. G. Denbigh, A. I. Uyemov, K. S. Trincher, N. Georgescu-Roegen, S. N. Braines, M. Strizenac, J. Linhart And S. Vohnik And P. Horak, Adolf Grunbaum, D. Ursul, H. Horz, B. Gal-Or, I. Szumilewicz, Jiri Zeman
Idioma: Inglés
Editorial: American Elsevier, New York, 1975
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- Primera edición
Librería: Arroyo Seco Books, Pasadena, Member IOBA, Pasadena, CA, Estados Unidos de AmericaArroyo Seco Books, Pasadena, Member IOBA
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Hardcover. Condición: Fine. 1st Edition. 260 Pp. Near Fine Book. First Printing.
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Condición: As New. Unread book in perfect condition.
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Hardcover. 507 Ex-library with stamp and library-signature. GOOD condition, some traces of use. Ehem. Bibliotheksexemplar mit Signatur und Stempel. GUTER Zustand, ein paar Gebrauchsspuren. C-05856 3540125698 Sprache: Englisch Gewicht in Gramm: 1150.
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Condición: New. pp. 536.
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Paperback. Condición: Brand New. reprint edition. 532 pages. 9.02x5.99x1.30 inches. In Stock.
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Taschenbuch. Condición: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - The book contains a summary of our knowledge of power semiconductor structures. It presents first a short historic introduction (Chap. I) as well as a brief selection of facts from solid state physics, in particular those related to power semicondu…ctors (Chap. 2). The book deals with diode structures in Chap. 3. In addition to fundamental facts in pn-junction theory, the book covers mainly the important processes of power structures. It describes the emitter efficiency and function of microleaks (shunts). the p +p and n + n junctions, and in particular the recent theory of the pin, pvn and p1tn junctions, whose role appears to be decisive for the forward mode not only of diode structures but also of more complex ones. For power diode structures the reverse mode is the decisive factor in pn-junction breakdown theory. The presentation given here uses engineering features (the multiplication factor M and the experimentally detected laws for the volume and surface of crystals), which condenses the presentation and makes the mathematical apparatus simpler. The discussion of diode structures is complemented by data on the tunnel phenomenon as well as on the properties of the semiconductor metal contact which forms the outer layers of the diode or more complex structure. A separate chapter (Chap. 4) is devoted to the two-transistor equivalent of the four layer structure and the solution of the four-layer structure in various modes. This presentation is also directed mainly towards the power aspect and the new components.
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Condición: Sehr gut. Zustand: Sehr gut | Seiten: 532 | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | Keine Beschreibung verfügbar.
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Librería: BUCHSERVICE / ANTIQUARIAT Lars Lutzer, Wahlstedt, AlemaniaBUCHSERVICE / ANTIQUARIAT Lars Lutzer
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Hardcover. Condición: gut. 1984. Power Semiconductors In deutscher Sprache. pages.
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Condición: Sehr gut. Zustand: Sehr gut | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | Keine Beschreibung verfügbar.
Machine Learning and Data Mining: Methods and Applications E1(Chinese Edition)(Old-Used)
( MEI ) Ryszard S.Michalski ?? Ivan Bratko ?? Miroslav Kubat
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paperback. Condición: Good. Ship out in 2 business day, And Fast shipping, Free Tracking number will be provided after the shipment.Machine Learning and Data Mining: Methods and Applications E1Four Satisfaction guaranteed,or money back.
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paperback. Condición: New. Language:Chinese.Paperback. Pub Date: 2019-01-01 Publisher: Machinery Industry Press reinforcement learning is an important machine learning methods. there are many applications in Agent forecasting and analysis and other fields. Python reinforcement learning combat: Application OpenAIGym and TensorFlo…w proficient reinforcement learning and depth of reinforcement learning a total of 13 chapters. including reinforcement learning .
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Taschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -The book contains a summary of our knowledge of power semiconductor structures. It presents first a short historic introduction (Chap. I) as well as a brief selection of facts from solid state physics, in particular those related to… power semiconductors (Chap. 2). The book deals with diode structures in Chap. 3. In addition to fundamental facts in pn-junction theory, the book covers mainly the important processes of power structures. It describes the emitter efficiency and function of microleaks (shunts). the p +p and n + n junctions, and in particular the recent theory of the pin, pvn and p1tn junctions, whose role appears to be decisive for the forward mode not only of diode structures but also of more complex ones. For power diode structures the reverse mode is the decisive factor in pn-junction breakdown theory. The presentation given here uses engineering features (the multiplication factor M and the experimentally detected laws for the volume and surface of crystals), which condenses the presentation and makes the mathematical apparatus simpler. The discussion of diode structures is complemented by data on the tunnel phenomenon as well as on the properties of the semiconductor metal contact which forms the outer layers of the diode or more complex structure. A separate chapter (Chap. 4) is devoted to the two-transistor equivalent of the four layer structure and the solution of the four-layer structure in various modes. This presentation is also directed mainly towards the power aspect and the new components. 536 pp. Englisch.
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Condición: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. The book contains a summary of our knowledge of power semiconductor structures. It presents first a short historic introduction (Chap. I) as well as a brief selection of facts from solid state physics, in particular t…hose related to power semiconductors (Ch.
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Taschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -The book contains a summary of our knowledge of power semiconductor structures. It presents first a short historic introduction (Chap. I) as well as a brief selection of facts from solid state physics, in particular those related to pow…er semiconductors (Chap. 2). The book deals with diode structures in Chap. 3. In addition to fundamental facts in pn-junction theory, the book covers mainly the important processes of power structures. It describes the emitter efficiency and function of microleaks (shunts). the p +p and n + n junctions, and in particular the recent theory of the pin, pvn and p1tn junctions, whose role appears to be decisive for the forward mode not only of diode structures but also of more complex ones. For power diode structures the reverse mode is the decisive factor in pn-junction breakdown theory. The presentation given here uses engineering features (the multiplication factor M and the experimentally detected laws for the volume and surface of crystals), which condenses the presentation and makes the mathematical apparatus simpler. The discussion of diode structures is complemented by data on the tunnel phenomenon as well as on the properties of the semiconductor metal contact which forms the outer layers of the diode or more complex structure. A separate chapter (Chap. 4) is devoted to the two-transistor equivalent of the four layer structure and the solution of the four-layer structure in various modes. This presentation is also directed mainly towards the power aspect and the new components.Springer-Verlag KG, Sachsenplatz 4-6, 1201 Wien 536 pp. Englisch.
