Erol ayse (37 resultados)
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Hardback. Condición: Very Good. xxxii + 590 pp. Springer series in materials science, 105. Rubber-stamped on front free endpaper. book.
Osmanli Devleti'nde bilim ve kültür ve kütüphaneler.
Prep. by ÖZLEM BAYRAM - ALI CAN - ERHAN ERKAN - AYSE GÜZELDERE - EROL YILMAZ.
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Soft cover. Condición: New. Paperback. Roy. 8vo. (23 x 16 cm). In Turkish. [viii], 246 p., b/w and color ills. Osmanli devleti'nde bilim ve kültür ve kütüphaneler. Libraries, culture and science in the Ottoman Empire.
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Softcover. 3. Auflage. 221 S. Leichte Lager- und Gebrauchsspuren. Messeexemplar, Kapital und Ecken leicht berieben, innen wie außen ansonsten ein sehr gutes Exemplar. Die Leseseiten sind sauber und ohne Anstreichungen oder Knicke. 9789754033557 tr Gewicht in Gramm: 505.
Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2021
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Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2021
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Condición: New. pp. 270 1st ed. 2021 edition NO-PA16APR2015-KAP.
Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2021
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Condición: New. Editors: Köse Badur, Ayse; Ülker, Erol Translator: pages.
Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2021
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Condición: New. pp. 270.
Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2021
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Condición: New.
Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2021
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Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2021
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Catisma Cözümleri ve Baris
E. Fuat Keyman; Ömer Tekdemir; Hamit Bozarslan; Abdullah Kıran; Ayşe Betül Çelik; Güneş Murat Tezcür; Nazan Üstündağ; Cengiz Aktar; Kerim Yıldız; Sabri Cigerli; Erol Katırcıoğlu
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Condición: New. Editors: Aktas, Murat Translator: 389 pages.
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Condición: New. Editors: Translator: 202 pages.
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Condición: Used. pp. xxxii + 592 2008th edition.
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Condición: Used. pp. xxxii + 592 Illus.
Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2021
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Hardcover. Condición: Brand New. 304 pages. 9.25x6.10x0.75 inches. In Stock.
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Condición: Used. pp. xxxii + 592.
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Taschenbuch. Condición: Neu. Dilute III-V Nitride Semiconductors and Material Systems | Physics and Technology | Ayse Erol | Taschenbuch | Springer Series in Materials Science | xxxii | Englisch | 2010 | Springer | EAN 9783642093937 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu. …
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Taschenbuch. Condición: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - A major current challenge for semiconductor devices is to develop materials for the next generation of optical communication systems and solar power conversion applications. Recently, extensive research has revealed that an introduction of only a few percentages of nitrogen into III-V semiconductor lattice leads to a dramatic reduction of the band gap. This discovery has opened the possibility of using these material systems for applications ranging from lasers to solar cells. 'Physics and Technology of Dilute III-V Nitride Semiconductors and Novel Dilute Nitride Material Systems' reviews the current status of research and development in dilute III-V nitrides, with 24 chapters from prominent research groups covering recent progress in growth techniques, experimental characterization of band structure, defects carrier transport, transport properties, dynamic behavior of N atoms, device applications, modeling of device design, novel optoelectronic integrated circuits, and novel nitrogen containing III-V materials.…
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Librería: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, AlemaniaAHA-BUCH GmbH
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Buch. Condición: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - A major current challenge for semiconductor devices is to develop materials for the next generation of optical communication systems and solar power conversion applications. Recently, extensive research has revealed that an introduction of only a few percentages of nitrogen into III-V semiconductor lattice leads to a dramatic reduction of the band gap. This discovery has opened the possibility of using these material systems for applications ranging from lasers to solar cells. 'Physics and Technology of Dilute III-V Nitride Semiconductors and Novel Dilute Nitride Material Systems' reviews the current status of research and development in dilute III-V nitrides, with 24 chapters from prominent research groups covering recent progress in growth techniques, experimental characterization of band structure, defects carrier transport, transport properties, dynamic behavior of N atoms, device applications, modeling of device design, novel optoelectronic integrated circuits, and novel nitrogen containing III-V materials.…
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