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The Canterbury Tales
Idioma: Inglés
Publicado por Barnes & Noble Classics/Published by Barnes & Noble Books/Barnes & Noble, Inc., New York, 2006
ISBN 10: 1593083122 ISBN 13: 9781593083120
Librería: gearbooks, The Bronx, NY, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 12,39
Envío por EUR 5,15
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Añadir al carritoMass Market Paperback. Condición: Good. Dutton & Sherman (Cover Design); Walter Appleton Clark (Cover Art) Ilustrador. 536 pp. Solidly bound copy with moderate use. Front cover torn along bottom edge. Slightly slanted spine.
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Suspicious Activity
Librería: California Books, Miami, FL, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 17,70
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Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Añadir al carritoCondición: New.
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Geology and Geohydrology of the Palo Duro Basin, Texas Panhandle : A Report on the Progress of Nuclear Waste Isolation Feasibility Studies (1978). (Bureau of Economic Geology, The University of Texas At Austin Geological Circular 79-1).
Publicado por Bureau of Economic Geology., 1979
Librería: Eryops Books, Stephenville, TX, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 7,74
Envío por EUR 5,16
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Añadir al carritoSoft cover. Condición: Very Good. ORIGINAL 1979 PUBLICATION; softcover; ex-corporate library; light creasing of corners of covers and a few leaves; o/w in very good condition. Book.
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Geology and Geohydrology of the Palo Duro Basin, Texas Panhandle : A Report on the Progress of Nuclear Waste Isolation Feasibility Studies (1978). (Bureau of Economic Geology, The University of Texas At Austin Geological Circular 79-1).
Publicado por Bureau of Economic Geology., 1979
Librería: Eryops Books, Stephenville, TX, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 7,92
Envío por EUR 5,16
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Añadir al carritoSoft cover. Condición: Very Good. ORIGINAL 1979 PUBLICATION; softcover; owner's blind stamps; o/w in very good condition. Book.
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Science, Technology, Human Values ; Volume 12 Issue 3 & 4 1987 No. 60 & 61 (Double Issue)
Publicado por John Wiley & Sons, New York, 1987
Librería: Evolving Lens Bookseller, Kingston, NY, Estados Unidos de America
Miembro de asociación: IOBA
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
Original o primera edición
EUR 30,98
Envío por EUR 4,28
Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritoSoftcover. First Edition, First Printing. Book condition is Very Good, bound in wraps. Some rubbing and edgewear to exterior. Text is clean and unmarked. ; 4to. 11"h x 8 1/2"w. Contents: The Technical and Ethical Aspects of Risk Communication : Frederick W. Allen, Leslie I. Boden, Phil Brown, Rosemary A. Chalk, Richard Davies, Thomas Dietz, Diana B. Dutton, Timothy Edgar, June Fessenden-Raden, Baruch Fischhoff, Janet M. Fitchen, John C. Fletcher, Vicki S. Freimuth, Sharon L. Hammond, Alice J. Hausman, Jenifer S. Heath, Stephen Hilgartner, Sheila Jasanoff, Richard P. Keeling, Sheldon Krimsky, Allan Mazur, David Ozonoff, Carolyn Needleman, Dorothy Nelkin, Alonzo Plough, Deborah Prothrow-Stith, James L. Regens, Judy B. Rosener, Sallie C. Russell, Robert W. Rycroft, Howard Spivak, Dorothy C. Wertz, Rae Zimmerman.
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Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits (NATO Science Series E:)
Librería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 60,50
Envío por EUR 13,85
Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Añadir al carritoCondición: New. In.
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Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits (Nato Science Series E:)
Librería: Chiron Media, Wallingford, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 57,22
Envío por EUR 17,91
Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 10 disponibles
Añadir al carritoPaperback. Condición: New.
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Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits (NATO Science Series E:, 62)
Librería: Solr Books, Lincolnwood, IL, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 74,48
Envío por EUR 6,86
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Añadir al carritoCondición: good. This book is in Good condition. There may be some notes and highligting but otherwise the book is in overall good condition.
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Australian Poetry 1964 - First Edition
Publicado por Sydney: Angus and Robertson, 1964
Librería: Benedict Wilson Books, Folkestone, KENT, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
Original o primera edición
EUR 26,80
Envío por EUR 23,13
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Añadir al carritoHardcover. Condición: Near Fine. Dust Jacket Included. 1st Edition. FIRST EDITION, first printing. Octavo (20 x 14cm), pp.x; 94. Publisher's green cloth titles in gilt to spine. Dust-jacket with printed price of 15s. to front flap. A little dustiness to edges, dust-jacket lightly handled, toned to spine. Near fine.
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Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits
Librería: Books Puddle, New York, NY, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 79,92
Envío por EUR 3,43
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Añadir al carritoCondición: New. pp. 638.
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Process and Device Simulation for M.O.S.-V.L.S.I. Circuits
Idioma: Inglés
Publicado por Martinus Nijhoff Publishers, 2013
ISBN 10: 9400968442 ISBN 13: 9789400968448
Librería: Revaluation Books, Exeter, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 83,84
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Añadir al carritoPaperback. Condición: Brand New. 636 pages. 9.25x6.10x1.44 inches. In Stock.
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Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits
Idioma: Inglés
Publicado por Springer Netherlands, Springer Netherlands, 2011
ISBN 10: 9400968442 ISBN 13: 9789400968448
Librería: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 59,97
Envío por EUR 64,75
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Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - P. Antognetti University of Genova, Italy Director of the NATO ASI The key importance of VLSI circuits is shown by the national efforts in this field taking place in several countries at differ ent levels (government agencies, private industries, defense de partments). As a result of the evolution of IC technology over the past two decades, component complexi ty has increased from one single to over 400,000 transistor functions per chip. Low cost of such single chip systems is only possible by reducing design cost per function and avoiding cost penalties for design errors. Therefore, computer simulation tools, at all levels of the design process, have become an absolute necessity and a cornerstone in the VLSI era, particularly as experimental investigations are very time-consuming, often too expensive and sometimes not at all feasible. As minimum device dimensions shrink, the need to understand the fabrication process in a quanti tati ve way becomes critical. Fine patterns, thin oxide layers, polycristalline silicon interco~ nections, shallow junctions and threshold implants, each become more sensitive to process variations. Each of these technologies changes toward finer structures requires increased understanding of the process physics. In addition, the tighter requirements for process control make it imperative that sensitivities be unde~ stood and that optimation be used to minimize the effect of sta tistical fluctuations.
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EDA for IC Implementation, Circuit Design, and Process Technology (Electronic Design Automation for Integrated Circuits Hdbk)
Libro 1 de 2: Electronic Design Automation for Integrated Circuits HdbkLibrería: Swan Trading Company, GEORGETOWN, TX, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 159,31
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Añadir al carritohardcover. Condición: Good. Hardcover ex-library with typical marks shows moderate cover wear. Text is unmarked. Ships FAST!
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EDA for IC Implementation, Circuit Design, and Process Technology (Electronic Design Automation for Integrated Circuits Hdbk)
Libro 1 de 2: Electronic Design Automation for Integrated Circuits HdbkLibrería: Chiron Media, Wallingford, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 186,61
Envío por EUR 17,91
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Añadir al carritoHardcover. Condición: New.
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Process and device simulation for MOS-VLSI circuits
Idioma: Inglés
Publicado por Martinus Nijhoff, Boston, MA, 1983
ISBN 10: 902472824X ISBN 13: 9789024728244
Librería: Peter Rhodes, Southampton, Reino Unido
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
Original o primera edición
EUR 173,88
Envío por EUR 41,29
Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritoOriginal Cloth. 1st Edition. NATO ASI series. Series E, Applied sciences No. 62. 24 x 16 cm., xii, 619 pp. The book is covered in white cloth with black lettering on the spine and front. CONDITION. VG+/ no dj. The pages are clean and tight. The corners and ends of the spine are lightly rubbed. Library marks and labels on spine and front end papers. Library stamps on page edges. Ex-Library.
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Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits (NATO Science Series E:, 62)
Librería: Mispah books, Redhill, SURRE, Reino Unido
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 213,18
Envío por EUR 28,91
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Añadir al carritohardcover. Condición: Good. Good. Dust Jacket NOT present. CD WILL BE MISSING. . SHIPS FROM MULTIPLE LOCATIONS. book.
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EDA for IC Implementation, Circuit Design, and Process Technology (Electronic Design Automation for Integrated Circuits Hdbk)
Libro 1 de 2: Electronic Design Automation for Integrated Circuits HdbkLibrería: BennettBooksLtd, Los Angeles, CA, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 248,86
Envío por EUR 5,97
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Añadir al carritoHardcover. Condición: New. In shrink wrap. Looks like an interesting title!
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Technology CAD ? Computer Simulation of IC Processes and Devices (The Springer International Series in Engineering and Computer Science, 243)
Libro 175 de 260: The Springer International Series in Engineering and Computer ScienceLibrería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 249,53
Envío por EUR 13,85
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Añadir al carritoCondición: New. In.
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Technology CAD ? Computer Simulation of IC Processes and Devices (The Springer International Series in Engineering and Computer Science)
Libro 175 de 260: The Springer International Series in Engineering and Computer ScienceLibrería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 249,53
Envío por EUR 13,85
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Technology CAD ? Computer Simulation of IC Processes and Devices (The Springer International Series in Engineering and Computer Science, 243)
Libro 175 de 260: The Springer International Series in Engineering and Computer ScienceLibrería: BennettBooksLtd, Los Angeles, CA, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 264,52
Envío por EUR 5,97
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Añadir al carritohardcover. Condición: New. In shrink wrap. Looks like an interesting title!
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Technology CAD - Computer Simulation of IC Processes and Devices
Libro 175 de 260: The Springer International Series in Engineering and Computer ScienceLibrería: preigu, Osnabrück, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 204,85
Envío por EUR 70,00
Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 5 disponibles
Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. Technology CAD - Computer Simulation of IC Processes and Devices | Robert W. Dutton (u. a.) | Taschenbuch | The Springer International Series in Engineering and Computer Science | xvii | Englisch | 2012 | Springer | EAN 9781461364085 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu.
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Technology CAD - Computer Simulation of IC Processes and Devices
Libro 175 de 260: The Springer International Series in Engineering and Computer ScienceLibrería: Books Puddle, New York, NY, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 301,13
Envío por EUR 3,43
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Añadir al carritoCondición: New. pp. 396.
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Technology CAD
Libro 175 de 260: The Springer International Series in Engineering and Computer ScienceIdioma: Inglés
Publicado por Kluwer Academic Publishers, 1993
ISBN 10: 0792393791 ISBN 13: 9780792393795
Librería: Kennys Bookshop and Art Galleries Ltd., Galway, GY, Irlanda
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 291,90
Envío por EUR 10,50
Se envía de Irlanda a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 15 disponibles
Añadir al carritoCondición: New. Presents a discourse on process and device CAD as interrelated subjects, building on a wide range of experiences and applications of the SUPREM program. Series: The Springer International Series in Engineering and Computer Science. Num Pages: 373 pages, biography. BIC Classification: TBC; TJFD. Category: (P) Professional & Vocational. Dimension: 234 x 156 x 22. Weight in Grams: 730. . 1993. Hardback. . . . .
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Technology CAD - Computer Simulation of IC Processes and Devices
Libro 175 de 260: The Springer International Series in Engineering and Computer ScienceLibrería: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 244,86
Envío por EUR 63,78
Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritoBuch. Condición: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - 129 3.6 Exercises 130 3.7 References. 131 4 PN Junctions 131 4.1 Introduction. 132 4.2 Carrier Densities: Equilibrium Case 4.3 Non-Equilibrium . . 139 4.4 Carrier Transport and Conservation 144 4.5 The pn Junction - Equilibrium Conditions. 147 155 4.6 The pn Junction - Non-equilibrium. 4.7 SEDAN Analysis . . . . . . . . . . . . . 166 4.7.1 Heavy Doping Effects . . 176 4.7.2 Analysis of High-Level Injection 181 190 4.7.3 Technology-Dependent Device Effects 4.8 Summary 193 4.9 Exercises 193 194 4.10 References. 5 MOS Structures 197 5.1 Introduction . . 197 5.2 The MOS Capacitor . . 198 5.3 Basic MOSFET I-V Characteristics. 208 5.4 Threshold Voltage in Nonuniform Substrate 217 5.5 MOS Device Design by Simulation . . . . . 224 5.5.1 Body-bias Sensitivity of Threshold Voltage 225 5.5.2 Two-region Model . . . . . . . . 231 5.5.3 MOSFET Design by Simulation. 234 5.6 Summary 240 5.7 Exercises 240 5.8 References. 242 6 Bipolar Transistors 243 6.1 Introduction . 243 6.2 Lateral pnp Transistor Operation 245 6.3 Transport Current Analysis . 252 6.4 Generalized Charge Storage Model 260 6.,1) Transistor Equivalent Circuits. 267 6.5.1 Charge Control Model .
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Technology CAD ? Computer Simulation of IC Processes and Devices (The Springer International Series in Engineering and Computer Science (243))
Libro 175 de 260: The Springer International Series in Engineering and Computer ScienceLibrería: Mispah books, Redhill, SURRE, Reino Unido
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 315,60
Envío por EUR 28,91
Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritoHardcover. Condición: Like New. Like New. book.
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Technology CAD
Libro 175 de 260: The Springer International Series in Engineering and Computer ScienceIdioma: Inglés
Publicado por Kluwer Academic Publishers, 1993
ISBN 10: 0792393791 ISBN 13: 9780792393795
Librería: Kennys Bookstore, Olney, MD, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 364,17
Envío por EUR 9,02
Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 15 disponibles
Añadir al carritoCondición: New. Presents a discourse on process and device CAD as interrelated subjects, building on a wide range of experiences and applications of the SUPREM program. Series: The Springer International Series in Engineering and Computer Science. Num Pages: 373 pages, biography. BIC Classification: TBC; TJFD. Category: (P) Professional & Vocational. Dimension: 234 x 156 x 22. Weight in Grams: 730. . 1993. Hardback. . . . . Books ship from the US and Ireland.
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Technology CAD: Computer Simulation of IC Processes and Devices
Publicado por Springer, New York, 2012
Librería: 32.1 Rare Books + Ephemera, IOBA, ESA, Princeton, NJ, Estados Unidos de America
Miembro de asociación: IOBA
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 221,28
Envío por EUR 4,73
Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritoHardcover. Condición: Very Good. 8vo., 396 pp. Black and white illustrations. Index.
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Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits (eng)
Librería: Brook Bookstore On Demand, Napoli, NA, Italia
Calificación del vendedor: 3 de 5 estrellas
EUR 46,22
Envío por EUR 8,00
Se envía de Italia a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Añadir al carritoCondición: new. Questo è un articolo print on demand.
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Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits
Idioma: Inglés
Publicado por Springer Netherlands, Springer Netherlands Okt 2011, 2011
ISBN 10: 9400968442 ISBN 13: 9789400968448
Librería: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 53,49
Envío por EUR 23,00
Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 2 disponibles
Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -P. Antognetti University of Genova, Italy Director of the NATO ASI The key importance of VLSI circuits is shown by the national efforts in this field taking place in several countries at differ ent levels (government agencies, private industries, defense de partments). As a result of the evolution of IC technology over the past two decades, component complexi ty has increased from one single to over 400,000 transistor functions per chip. Low cost of such single chip systems is only possible by reducing design cost per function and avoiding cost penalties for design errors. Therefore, computer simulation tools, at all levels of the design process, have become an absolute necessity and a cornerstone in the VLSI era, particularly as experimental investigations are very time-consuming, often too expensive and sometimes not at all feasible. As minimum device dimensions shrink, the need to understand the fabrication process in a quanti tati ve way becomes critical. Fine patterns, thin oxide layers, polycristalline silicon interco~ nections, shallow junctions and threshold implants, each become more sensitive to process variations. Each of these technologies changes toward finer structures requires increased understanding of the process physics. In addition, the tighter requirements for process control make it imperative that sensitivities be unde~ stood and that optimation be used to minimize the effect of sta tistical fluctuations. 636 pp. Englisch.
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Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits
Librería: Majestic Books, Hounslow, Reino Unido
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 76,90
Envío por EUR 7,52
Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 4 disponibles
Añadir al carritoCondición: New. Print on Demand pp. 638 Illus.
