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Phase-Locked Loops: System Perspectives and Circuit Design Aspects
Librería: Books From California, Simi Valley, CA, Estados Unidos de America
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Phase-locked Loops : System Perspectives and Circuit Design Aspects
Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
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Phase-locked Loops : System Perspectives and Circuit Design Aspects
Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
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Phase-locked Loops : System Perspectives and Circuit Design Aspects
Librería: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
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Phase-Locked Loops: System Perspectives and Circuit Design Aspects
Librería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
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Phase-locked Loops : System Perspectives and Circuit Design Aspects
Librería: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Reino Unido
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Phase 8211 Locked Loops System Perspe
Librería: Kennys Bookshop and Art Galleries Ltd., Galway, GY, Irlanda
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
Original o primera edición
EUR 149,56
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Phase-Locked Loops: System Perspectives and Circuit Design Aspects
Librería: Books Puddle, New York, NY, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
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Phase 8211 Locked Loops System Perspe
Librería: Kennys Bookstore, Olney, MD, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
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Technology CAD ? Computer Simulation of IC Processes and Devices (The Springer International Series in Engineering and Computer Science, 243)
Libro 175 de 260: The Springer International Series in Engineering and Computer ScienceLibrería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 249,60
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Technology CAD ? Computer Simulation of IC Processes and Devices (The Springer International Series in Engineering and Computer Science)
Libro 175 de 260: The Springer International Series in Engineering and Computer ScienceLibrería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino Unido
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Technology CAD ? Computer Simulation of IC Processes and Devices (The Springer International Series in Engineering and Computer Science, 243)
Libro 175 de 260: The Springer International Series in Engineering and Computer ScienceLibrería: BennettBooksLtd, Los Angeles, CA, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
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Technology CAD
Libro 175 de 260: The Springer International Series in Engineering and Computer ScienceIdioma: Inglés
Publicado por Kluwer Academic Publishers, 1993
ISBN 10: 0792393791 ISBN 13: 9780792393795
Librería: Kennys Bookshop and Art Galleries Ltd., Galway, GY, Irlanda
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 291,90
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Añadir al carritoCondición: New. Presents a discourse on process and device CAD as interrelated subjects, building on a wide range of experiences and applications of the SUPREM program. Series: The Springer International Series in Engineering and Computer Science. Num Pages: 373 pages, biography. BIC Classification: TBC; TJFD. Category: (P) Professional & Vocational. Dimension: 234 x 156 x 22. Weight in Grams: 730. . 1993. Hardback. . . . .
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Technology CAD ¿ Computer Simulation of IC Processes and Devices
Libro 175 de 260: The Springer International Series in Engineering and Computer ScienceLibrería: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
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Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - 129 3.6 Exercises 130 3.7 References. 131 4 PN Junctions 131 4.1 Introduction. 132 4.2 Carrier Densities: Equilibrium Case 4.3 Non-Equilibrium . . 139 4.4 Carrier Transport and Conservation 144 4.5 The pn Junction - Equilibrium Conditions. 147 155 4.6 The pn Junction - Non-equilibrium. 4.7 SEDAN Analysis . . . . . . . . . . . . . 166 4.7.1 Heavy Doping Effects . . 176 4.7.2 Analysis of High-Level Injection 181 190 4.7.3 Technology-Dependent Device Effects 4.8 Summary 193 4.9 Exercises 193 194 4.10 References. 5 MOS Structures 197 5.1 Introduction . . 197 5.2 The MOS Capacitor . . 198 5.3 Basic MOSFET I-V Characteristics. 208 5.4 Threshold Voltage in Nonuniform Substrate 217 5.5 MOS Device Design by Simulation . . . . . 224 5.5.1 Body-bias Sensitivity of Threshold Voltage 225 5.5.2 Two-region Model . . . . . . . . 231 5.5.3 MOSFET Design by Simulation. 234 5.6 Summary 240 5.7 Exercises 240 5.8 References. 242 6 Bipolar Transistors 243 6.1 Introduction . 243 6.2 Lateral pnp Transistor Operation 245 6.3 Transport Current Analysis . 252 6.4 Generalized Charge Storage Model 260 6.,1) Transistor Equivalent Circuits. 267 6.5.1 Charge Control Model .
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Technology CAD ? Computer Simulation of IC Processes and Devices (The Springer International Series in Engineering and Computer Science (243))
Libro 175 de 260: The Springer International Series in Engineering and Computer ScienceLibrería: Mispah books, Redhill, SURRE, Reino Unido
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EUR 315,69
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Technology CAD
Libro 175 de 260: The Springer International Series in Engineering and Computer ScienceIdioma: Inglés
Publicado por Kluwer Academic Publishers, 1993
ISBN 10: 0792393791 ISBN 13: 9780792393795
Librería: Kennys Bookstore, Olney, MD, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
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Añadir al carritoCondición: New. Presents a discourse on process and device CAD as interrelated subjects, building on a wide range of experiences and applications of the SUPREM program. Series: The Springer International Series in Engineering and Computer Science. Num Pages: 373 pages, biography. BIC Classification: TBC; TJFD. Category: (P) Professional & Vocational. Dimension: 234 x 156 x 22. Weight in Grams: 730. . 1993. Hardback. . . . . Books ship from the US and Ireland.
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Technology CAD: Computer Simulation of IC Processes and Devices
Publicado por Springer, New York, 2012
Librería: 32.1 Rare Books + Ephemera, IOBA, ESA, Princeton, NJ, Estados Unidos de America
Miembro de asociación: IOBA
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 223,36
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Añadir al carritoHardcover. Condición: Very Good. 8vo., 396 pp. Black and white illustrations. Index.
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Technology CAD ¿ Computer Simulation of IC Processes and Devices
Libro 175 de 260: The Springer International Series in Engineering and Computer ScienceLibrería: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
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Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -129 3.6 Exercises 130 3.7 References. 131 4 PN Junctions 131 4.1 Introduction. 132 4.2 Carrier Densities: Equilibrium Case 4.3 Non-Equilibrium . . 139 4.4 Carrier Transport and Conservation 144 4.5 The pn Junction - Equilibrium Conditions. 147 155 4.6 The pn Junction - Non-equilibrium. 4.7 SEDAN Analysis . . . . . . . . . . . . . 166 4.7.1 Heavy Doping Effects . . 176 4.7.2 Analysis of High-Level Injection 181 190 4.7.3 Technology-Dependent Device Effects 4.8 Summary 193 4.9 Exercises 193 194 4.10 References. 5 MOS Structures 197 5.1 Introduction . . 197 5.2 The MOS Capacitor . . 198 5.3 Basic MOSFET I-V Characteristics. 208 5.4 Threshold Voltage in Nonuniform Substrate 217 5.5 MOS Device Design by Simulation . . . . . 224 5.5.1 Body-bias Sensitivity of Threshold Voltage 225 5.5.2 Two-region Model . . . . . . . . 231 5.5.3 MOSFET Design by Simulation. 234 5.6 Summary 240 5.7 Exercises 240 5.8 References. 242 6 Bipolar Transistors 243 6.1 Introduction . 243 6.2 Lateral pnp Transistor Operation 245 6.3 Transport Current Analysis . 252 6.4 Generalized Charge Storage Model 260 6.,1) Transistor Equivalent Circuits. 267 6.5.1 Charge Control Model . 396 pp. Englisch.
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Technology CAD ¿ Computer Simulation of IC Processes and Devices
Libro 175 de 260: The Springer International Series in Engineering and Computer ScienceLibrería: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 197,94
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Añadir al carritoBuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -129 3.6 Exercises 130 3.7 References. 131 4 PN Junctions 131 4.1 Introduction. 132 4.2 Carrier Densities: Equilibrium Case 4.3 Non-Equilibrium . . 139 4.4 Carrier Transport and Conservation 144 4.5 The pn Junction - Equilibrium Conditions. 147 155 4.6 The pn Junction - Non-equilibrium. 4.7 SEDAN Analysis . . . . . . . . . . . . . 166 4.7.1 Heavy Doping Effects . . 176 4.7.2 Analysis of High-Level Injection 181 190 4.7.3 Technology-Dependent Device Effects 4.8 Summary 193 4.9 Exercises 193 194 4.10 References. 5 MOS Structures 197 5.1 Introduction . . 197 5.2 The MOS Capacitor . . 198 5.3 Basic MOSFET I-V Characteristics. 208 5.4 Threshold Voltage in Nonuniform Substrate 217 5.5 MOS Device Design by Simulation . . . . . 224 5.5.1 Body-bias Sensitivity of Threshold Voltage 225 5.5.2 Two-region Model . . . . . . . . 231 5.5.3 MOSFET Design by Simulation. 234 5.6 Summary 240 5.7 Exercises 240 5.8 References. 242 6 Bipolar Transistors 243 6.1 Introduction . 243 6.2 Lateral pnp Transistor Operation 245 6.3 Transport Current Analysis . 252 6.4 Generalized Charge Storage Model 260 6.,1) Transistor Equivalent Circuits. 267 6.5.1 Charge Control Model . 400 pp. Englisch.
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Technology CAD - Computer Simulation of IC Processes and Devices
Libro 175 de 260: The Springer International Series in Engineering and Computer ScienceLibrería: moluna, Greven, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 197,62
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Technology CAD - Computer Simulation of IC Processes and Devices
Libro 175 de 260: The Springer International Series in Engineering and Computer ScienceLibrería: moluna, Greven, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 197,62
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