Chi yaqing (34 resultados)
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Condición: New. Print on Demand.
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Condición: New. Print on Demand.
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Hardcover. Condición: new. Hardcover. Responding to the critical demands for radiation-hardened space electronics, this Reprint synthesizes cutting-edge advances in radiation effects research across advanced semiconductor technologies. It addresses dual industry challenges posed by escalating radiation susceptibility from device… scaling and the urgent need for new evaluation paradigms in radiation hardness assurance for complex electronic systems. The Reprint features pioneering research on CNN accelerators for aerospace computing, gallium nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs), high-barrier beta-gallium oxide (b-Ga2O3) Schottky Barrier Diodes (SBDs), silicon MOSFETs, and indium phosphide Heterojunction Bipolar Transistors (InP HBTs), collectively advancing radiation hardening methodologies and reliability assessment. By presenting novel hardening strategies with breakthrough radiation mitigation solutions, it delivers essential insights for navigating evolving challenges while positioning itself as a vital resource for advancing radiation tolerance electronics innovation. This item is printed on demand. Shipping may be from our UK warehouse or from our Australian or US warehouses, depending on stock availability.
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Buch. Condición: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - Responding to the critical demands for radiation-hardened space electronics, this Reprint synthesizes cutting-edge advances in radiation effects research across advanced semiconductor technologies. It addresses dual industry challenges posed by… escalating radiation susceptibility from device scaling and the urgent need for new evaluation paradigms in radiation hardness assurance for complex electronic systems. The Reprint features pioneering research on CNN accelerators for aerospace computing, gallium nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs), high-barrier beta-gallium oxide (ß-GäO¿) Schottky Barrier Diodes (SBDs), silicon MOSFETs, and indium phosphide Heterojunction Bipolar Transistors (InP HBTs), collectively advancing radiation hardening methodologies and reliability assessment. By presenting novel hardening strategies with breakthrough radiation mitigation solutions, it delivers essential insights for navigating evolving challenges while positioning itself as a vital resource for advancing radiation tolerance electronics innovation.
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Buch. Condición: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - As integrated circuit technologies continue to scale down and electronic devices become more complex, their susceptibility to ionizing radiation has introduced numerous exciting challenges, anticipated to drive research over the next decade. Co…nsequently, new solutions are necessary to mitigate radiation sensitivity in advanced devices and integrated circuits. The aim of this reprint is to disclose the basic mechanisms of radiation effects for advanced devices and the breakthrough of new solutions to assess and mitigate radiation sensitivity in advanced devices and integrated circuits. This reprint presents new modeling approaches that predict how radiation impacts electronic devices and circuits. Accurate models are essential for designing devices that can tolerate radiation without significant performance degradation. We also focus on the innovative design and fabrication techniques that enhance the radiation tolerance of integrated circuits. Moreover, some discussions highlight new testing protocols and methodologies that provide more accurate and comprehensive evaluations of radiation hardness, as well as the latest advancements and trends that are of particular interest to researchers and professionals in the radiation effects community. Overall, this issue offers valuable insights into the challenges and opportunities in this rapidly evolving field, highlighting the critical importance of continued innovation and collaboration to address the complex problems posed by radiation in modern electronics.
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Librería: preigu, Osnabrück, Alemaniapreigu
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Buch. Condición: Neu. Radiation Effects of Advanced Electronic Devices and Circuits | 2nd Edition | Buch | Englisch | 2025 | MDPI AG | EAN 9783725848331 | Verantwortliche Person für die EU: Libri GmbH, Europaallee 1, 36244 Bad Hersfeld, gpsr[at]libri[dot]de | Anbieter: preigu Print on Demand.
