Progress structures devices operating (26 resultados)
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Editorial: Springer 2002
Serie: NATO Science Series II: Mathematics, Physics and Chemistry, Libro 225 de 241. Libro 225 de 241 - NATO Science Series II: Mathematics, Physics and Chemistry
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Editorial: Springer 2002-04 2002
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Editorial: Springer 2002
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Taschenbuch. Condición: Neu. Progress in SOI Structures and Devices Operating at Extreme Conditions | Francis Balestra (u. a.) | Taschenbuch | x | Englisch | 2002 | Springer | EAN 9781402005763 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com… | Anbieter: preigu.
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Editorial: Kluwer Academic Publishers 2002
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Condición: New. Proceedings of the NATO Advanced Research Workshop, held in Kyiv, Ukraine, October 15-20, 2000 Editor(s): Balestra, Francis; Nazarov, Alexei N. (National Academy of Science of Ukraine); Lysenko, Vladimir S. Series: NATO Science Series II. Num Pages: 351 pages, biography. BIC Classification: TJFC; TJFD5. Category:… (P) Professional & Vocational; (UP) Postgraduate, Research & Scholarly. Dimension: 240 x 160 x 19. Weight in Grams: 516. . 2002. Softcover reprint of the original 1st ed. 2002. Paperback. . . . .
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Editorial: Kluwer Academic Publishers 2002
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Condición: New. Proceedings of the NATO Advanced Research Workshop, held in Kyiv, Ukraine, October 15-20, 2000 Editor(s): Balestra, Francis; Nazarov, Alexei N. (National Academy of Science of Ukraine); Lysenko, Vladimir S. Series: NATO Science Series II. Num Pages: 351 pages, biography. BIC Classification: TJFC; TJFD5. Category:… (P) Professional & Vocational; (UP) Postgraduate, Research & Scholarly. Dimension: 235 x 155 x 20. Weight in Grams: 691. . 2002. Hardback. . . . .
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Editorial: Springer Netherlands, Springer 2002
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Taschenbuch. Condición: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - A review of the electrical properties, performance and physical mechanisms of the main silicon-on-insulator (SOI) materials and devices. Particular attention is paid to the reliability of SOI structures operating in harsh conditions. The first part… of the book deals with material technology and describes the SIMOX and ELTRAN technologies, the smart-cut technique, SiCOI structures and MBE growth. The second part covers reliability of devices operating under extreme conditions, with an examination of low and high temperature operation of deep submicron MOSFETs and novel SOI technologies and circuits, SOI in harsh environments and the properties of the buried oxide. The third part deals with the characterization of advanced SOI materials and devices, covering laser-recrystallized SOI layers, ultrashort SOI MOSFETs and nanostructures, gated diodes and SOI devices produced by a variety of techniques. The last part reviews future prospects for SOI structures, analyzing wafer bonding techniques, applications of oxidized porous silicon, semi-insulating silicon materials, self-organization of silicon dots and wires on SOI and some new physical phenomena.
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Editorial: Springer 2002
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Editorial: Kluwer Academic Publishers 2002
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Condición: New. Proceedings of the NATO Advanced Research Workshop, held in Kyiv, Ukraine, October 15-20, 2000 Editor(s): Balestra, Francis; Nazarov, Alexei N. (National Academy of Science of Ukraine); Lysenko, Vladimir S. Series: NATO Science Series II. Num Pages: 351 pages, biography. BIC Classification: TJFC; TJFD5. Category:… (P) Professional & Vocational; (UP) Postgraduate, Research & Scholarly. Dimension: 240 x 160 x 19. Weight in Grams: 516. . 2002. Softcover reprint of the original 1st ed. 2002. Paperback. . . . . Books ship from the US and Ireland.
Idioma: Inglés
Editorial: Kluwer Academic Publishers 2002
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Condición: New. Proceedings of the NATO Advanced Research Workshop, held in Kyiv, Ukraine, October 15-20, 2000 Editor(s): Balestra, Francis; Nazarov, Alexei N. (National Academy of Science of Ukraine); Lysenko, Vladimir S. Series: NATO Science Series II. Num Pages: 351 pages, biography. BIC Classification: TJFC; TJFD5. Category:… (P) Professional & Vocational; (UP) Postgraduate, Research & Scholarly. Dimension: 235 x 155 x 20. Weight in Grams: 691. . 2002. Hardback. . . . . Books ship from the US and Ireland.
Idioma: Inglés
Editorial: Springer Apr 2002 2002
Serie: NATO Science Series II: Mathematics, Physics and Chemistry, Libro 225 de 241. Libro 225 de 241 - NATO Science Series II: Mathematics, Physics and Chemistry
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Buch. Condición: Neu. Neuware - A review of the electrical properties, performance and physical mechanisms of the main silicon-on-insulator (SOI) materials and devices. Particular attention is paid to the reliability of SOI structures operating in harsh conditions. The first part of the book deals with material technology and de…scribes the SIMOX and ELTRAN technologies, the smart-cut technique, SiCOI structures and MBE growth. The second part covers reliability of devices operating under extreme conditions, with an examination of low and high temperature operation of deep submicron MOSFETs and novel SOI technologies and circuits, SOI in harsh environments and the properties of the buried oxide. The third part deals with the characterization of advanced SOI materials and devices, covering laser-recrystallized SOI layers, ultrashort SOI MOSFETs and nanostructures, gated diodes and SOI devices produced by a variety of techniques. The last part reviews future prospects for SOI structures, analyzing wafer bonding techniques, applications of oxidized porous silicon, semi-insulating silicon materials, self-organization of silicon dots and wires on SOI and some new physical phenomena.
Idioma: Inglés
Editorial: Springer Netherlands, Springer Netherlands Apr 2002 2002
Serie: NATO Science Series II: Mathematics, Physics and Chemistry, Libro 225 de 241. Libro 225 de 241 - NATO Science Series II: Mathematics, Physics and Chemistry
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Librería: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, , AlemaniaBuchWeltWeit Ludwig Meier e.K.
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Taschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -A review of the electrical properties, performance and physical mechanisms of the main silicon-on-insulator (SOI) materials and devices. Particular attention is paid to the reliability of SOI structures operating in harsh conditions…. The first part of the book deals with material technology and describes the SIMOX and ELTRAN technologies, the smart-cut technique, SiCOI structures and MBE growth. The second part covers reliability of devices operating under extreme conditions, with an examination of low and high temperature operation of deep submicron MOSFETs and novel SOI technologies and circuits, SOI in harsh environments and the properties of the buried oxide. The third part deals with the characterization of advanced SOI materials and devices, covering laser-recrystallized SOI layers, ultrashort SOI MOSFETs and nanostructures, gated diodes and SOI devices produced by a variety of techniques. The last part reviews future prospects for SOI structures, analyzing wafer bonding techniques, applications of oxidized porous silicon, semi-insulating silicon materials, self-organization of silicon dots and wires on SOI and some new physical phenomena. 364 pp. Englisch.
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Editorial: Springer Netherlands, Springer Apr 2002 2002
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Taschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -A review of the electrical properties, performance and physical mechanisms of the main silicon-on-insulator (SOI) materials and devices. Particular attention is paid to the reliability of SOI structures operating in harsh conditions. Th…e first part of the book deals with material technology and describes the SIMOX and ELTRAN technologies, the smart-cut technique, SiCOI structures and MBE growth. The second part covers reliability of devices operating under extreme conditions, with an examination of low and high temperature operation of deep submicron MOSFETs and novel SOI technologies and circuits, SOI in harsh environments and the properties of the buried oxide. The third part deals with the characterization of advanced SOI materials and devices, covering laser-recrystallized SOI layers, ultrashort SOI MOSFETs and nanostructures, gated diodes and SOI devices produced by a variety of techniques. The last part reviews future prospects for SOI structures, analyzing wafer bonding techniques, applications of oxidized porous silicon, semi-insulating silicon materials, self-organization of silicon dots and wires on SOI and some new physical phenomena.Springer-Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg 364 pp. Englisch.
