Physics submicron structures (26 resultados)
Editorial: New York, Plenum Press 1984 figures, 1984
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Taschenbuch. Condición: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Research on electronic transport in ultra small dimensions has been highly stimulated by the sensational developments in silicon technology and very large scale integration. The papers in this volume, however, have been influenced to no lesser exte…nt by the advent of molecular beam epitaxy and metal/organic chemical vapor deposition which has made possible the control of semiconductor boundaries on a quantum level. This new control of boundary condi tions in ultra small electronic research is the mathematical reason for a whole set of innovative ideas. For the first time in the history of semiconductors, it is possible to design device functions from physical considerations involving ~ngstom scale dimensions. At the time the meeting was held, July 1982, it was one of the first strong signals of the powerful developments in this area. During the meeting, important questions have been answered concerning ballistic transport, Monte Carlo simulations of high field transport and other developments pertinent to new device concepts and the understanding of small devices from physics to function. The committee members want to express their deep appreciation to the speakers who have made the meeting a success. The USER pro ject of DOD has been a vital stimulous and thanks go to the Army Research Office and the Office of Naval Research for financial sup port. Urbana, January 1984 K. Hess, Conference Chairman J. R. Brews L. R. Cooper, Ex Officio D. K. Ferry H. L. Grubin G. J. Iafrate M. I. Nathan A. F.
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Taschenbuch. Condición: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This volume presents a discussion of the latest results in the physics of low-dimensional structures. At the winter school major breakthroughs were reported, and some of the excitement of the participants is reflected in the contributions. The topi…cs treated range from the fabrication of microstructures and the physical background of future semiconductor devices to vertical transport in nanostructures, universal conductance fluctuations, and the transition from two-dimensional to one-dimensional conduction in semiconductor structures.
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Taschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Research on electronic transport in ultra small dimensions has been highly stimulated by the sensational developments in silicon technology and very large scale integration. The papers in this volume, however, have been influenced t…o no lesser extent by the advent of molecular beam epitaxy and metal/organic chemical vapor deposition which has made possible the control of semiconductor boundaries on a quantum level. This new control of boundary condi tions in ultra small electronic research is the mathematical reason for a whole set of innovative ideas. For the first time in the history of semiconductors, it is possible to design device functions from physical considerations involving ~ngstom scale dimensions. At the time the meeting was held, July 1982, it was one of the first strong signals of the powerful developments in this area. During the meeting, important questions have been answered concerning ballistic transport, Monte Carlo simulations of high field transport and other developments pertinent to new device concepts and the understanding of small devices from physics to function. The committee members want to express their deep appreciation to the speakers who have made the meeting a success. The USER pro ject of DOD has been a vital stimulous and thanks go to the Army Research Office and the Office of Naval Research for financial sup port. Urbana, January 1984 K. Hess, Conference Chairman J. R. Brews L. R. Cooper, Ex Officio D. K. Ferry H. L. Grubin G. J. Iafrate M. I. Nathan A. F. 376 pp. Englisch.
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Taschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Research on electronic transport in ultra small dimensions has been highly stimulated by the sensational developments in silicon technology and very large scale integration. The papers in this volume, however, have been influenced to no… lesser extent by the advent of molecular beam epitaxy and metal/organic chemical vapor deposition which has made possible the control of semiconductor boundaries on a quantum level. This new control of boundary condi tions in ultra small electronic research is the mathematical reason for a whole set of innovative ideas. For the first time in the history of semiconductors, it is possible to design device functions from physical considerations involving ~ngstom scale dimensions. At the time the meeting was held, July 1982, it was one of the first strong signals of the powerful developments in this area. During the meeting, important questions have been answered concerning ballistic transport, Monte Carlo simulations of high field transport and other developments pertinent to new device concepts and the understanding of small devices from physics to function. The committee members want to express their deep appreciation to the speakers who have made the meeting a success. The USER pro ject of DOD has been a vital stimulous and thanks go to the Army Research Office and the Office of Naval Research for financial sup port. Urbana, January 1984 K. Hess, Conference Chairman J. R. Brews L. R. Cooper, Ex Officio D. K. Ferry H. L. Grubin G. J. Iafrate M. I. Nathan A. F.Springer-Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg 376 pp. Englisch.
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Taschenbuch. Condición: Neu. The Physics of Submicron Structures | Harold L. Grubin | Taschenbuch | x | Englisch | 2011 | Springer | EAN 9781461297147 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu Print on Demand.
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