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Principles and Technology of Modulation Doped Field Effect Transistors: v. 1
Librería: Ammareal, Morangis, Francia
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 22,50 gastos de envío desde Francia a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritoHardcover. Condición: Très bon. Ancien livre de bibliothèque. Légères traces d'usure sur la couverture. Couverture différente. Edition 1991. Ammareal reverse jusqu'à 15% du prix net de cet article à des organisations caritatives. ENGLISH DESCRIPTION Book Condition: Used, Very good. Former library book. Slight signs of wear on the cover. Different cover. Edition 1991. Ammareal gives back up to 15% of this item's net price to charity organizations.
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Modulation-doped Field-effect Transistors: Applications And Circuits
Librería: Majestic Books, Hounslow, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 28,77
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Modulation-doped Field-effect Transistors: Applications And Circuits
Librería: Books Puddle, New York, NY, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 33,38
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Modulation-doped Field-effect Transistors: Applications And Circuits
Librería: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 32,84
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Modulation-doped Field-effect Transistors: Applications And Circuits
Librería: Romtrade Corp., STERLING HEIGHTS, MI, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 44,61
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Modulation-Doped Field-Effect Transistors: Principles, Design and Technology
Librería: Romtrade Corp., STERLING HEIGHTS, MI, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 44,61
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Modulation-Doped Field-Effect Transistors: Principles, Design and Technology
Librería: Basi6 International, Irving, TX, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 44,61
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Modulation-doped Field-effect Transistors: Applications And Circuits
Librería: Basi6 International, Irving, TX, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
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Temperature Dependent Current-Voltage Measurements of Neutron Irradiated Al0.27ga0.73n/Gan Modulation Doped Field Effect Transistors
Librería: Lucky's Textbooks, Dallas, TX, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 48,81
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Temperature Dependent Current-Voltage Measurements of Neutron Irradiated Al0.27ga0.73n/Gan Modulation Doped Field Effect Transistors
Librería: Best Price, Torrance, CA, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 45,28
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Modulation-Doped Field-Effect Transistors: Principles, Design and Technology
Librería: ALLBOOKS1, Direk, SA, Australia
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 53,40
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Modulation-Doped Field-Effect Transistors: Applications and Circuits
Librería: ALLBOOKS1, Direk, SA, Australia
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
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Principles and Technology of Modulation Doped Field Effect Transistors Morkoc, Hadis; etc.; Unlu, H. and Ji, G.
Librería: Librairie Parrêsia, Figeac, Francia
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 30,00
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Añadir al carritoCondición: Used: Very Good. Principles and Technology of Modulation Doped Field Effect Transistors: v. 1 | Morkoc et alii | Wiley, 1991, in-8 cartonnage éditeur, 261 pages. Couverture propre. Dos solide. Intérieur frais. Exemplaire de bibliothèque : petit code barre en pied de 1re de couv., cotation au dos, rares et discrets petits tampons à l'intérieur de l'ouvrage. Bel état ! [BT19+].
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Modulation-Doped Field-Effect Transistors: Applications and Circuits
Librería: StainesBook, Weybridge, SURRE, Reino Unido
Calificación del vendedor: 1 de 5 estrellas
EUR 30,74
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Temperature Dependent Current-Voltage Measurements of Neutron Irradiated Al0.27ga0.73n/Gan Modulation Doped Field Effect Transistors
Librería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 52,80
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An Analysis of the Effects of Low Energy Electron Radiation on A1xga1-Xn/Gan Modulation-Doped Field-Effect Transistors
Librería: Books Puddle, New York, NY, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 63,96
Convertir monedaEUR 3,40 gastos de envío en Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 4 disponibles
Añadir al carritoCondición: New. pp. 146.
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Temperature Dependent Current-Voltage Measurements of Neutron Irradiated Al0.27ga0.73n/Gan Modulation Doped Field Effect Transistors
Librería: Books Puddle, New York, NY, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 64,41
Convertir monedaEUR 3,40 gastos de envío en Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 4 disponibles
Añadir al carritoCondición: New. pp. 192.
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Modulation-Doped Field-Effect Transistors
Publicado por IEEE Operations Center, 1842
ISBN 10: 0879422556 ISBN 13: 9780879422554
Idioma: Inglés
Librería: Majestic Books, Hounslow, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 72,22
Convertir monedaEUR 7,51 gastos de envío desde Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritoCondición: Used. pp. 516.
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Modulation-Doped Field-Effect Transistors
Publicado por IEEE Operations Center, 1842
ISBN 10: 0879422556 ISBN 13: 9780879422554
Idioma: Inglés
Librería: Books Puddle, New York, NY, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 78,38
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Modulation-Doped Field-Effect Transistors
Publicado por IEEE Operations Center, 1842
ISBN 10: 0879422556 ISBN 13: 9780879422554
Idioma: Inglés
Librería: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 77,16
Convertir monedaEUR 9,95 gastos de envío desde Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
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Modulation-Doped Field-Effect Transistors: Principles, Design and Technology
Librería: BennettBooksLtd, San Diego, NV, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 95,04
Convertir monedaEUR 5,93 gastos de envío en Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritohardcover. Condición: New. In shrink wrap. Looks like an interesting title!
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Temperature Dependent Current-Voltage Measurements of Neutron Irradiated Al0.27Ga0.73N/Gan Modulation Doped Field Effect Transistors
Librería: moluna, Greven, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 61,74
Convertir monedaEUR 48,99 gastos de envío desde Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Añadir al carritoCondición: New. KlappentextrnrnIn this research, the first ever neutron irradiation study of AlGaN/GaN MODFETs was conducted. Devices irradiated to a total 1 MeV Eq (Si) neutron fluence of 1.2x10 16 n/cm2 demonstrated the temperature dependence of irradiation a.
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Temperature Dependent Current-Voltage Measurements of Neutron Irradiated Al0.27ga0.73n/Gan Modulation Doped Field Effect Transistors
Librería: Mispah books, Redhill, SURRE, Reino Unido
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 101,19
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An Analysis of the Effects of Low Energy Electron Radiation on A1xga1-Xn/Gan Modulation-Doped Field-Effect Transistors
Librería: Mispah books, Redhill, SURRE, Reino Unido
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 101,19
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Modulation-Doped Field-Effect Transistors: Principles, Design and Technology
Publicado por IEEE Publications,U.S., 1990
ISBN 10: 0879422556 ISBN 13: 9780879422554
Idioma: Inglés
Librería: Buchpark, Trebbin, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 105,00 gastos de envío desde Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritoCondición: Sehr gut. Zustand: Sehr gut | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher.
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Temperature Dependent Current-Voltage Measurements of Neutron Irradiated Al0.27ga0.73n/Gan Modulation Doped Field Effect Transistors
Publicado por Creative Media Partners, LLC Okt 2012, 2012
ISBN 10: 1249836565 ISBN 13: 9781249836568
Idioma: Inglés
Librería: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 80,96
Convertir monedaEUR 61,77 gastos de envío desde Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 2 disponibles
Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. Neuware - In this research, the first ever neutron irradiation study of AlGaN/GaN MODFETs was conducted. Devices irradiated to a total 1 MeV Eq (Si) neutron fluence of 1.2x10 16 n/cm2 demonstrated the temperature dependence of irradiation and annealing. Devices irradiated at 80 K exhibited significant persistent electrical degradation at only 5.4 rad (Si), whereas those irradiated at elevated temperatures exhibit transient increases in gate and drain current up to 400 krad (Si). I-V measurements indicate substantial radiation-induced increased gate and drain currents occur only at low-temperature irradiations. The introduction of a high-density of donor defects is hypothesized as the primary cause of both increased values. Irradiating at temperatures gt; 300 K effectively reduces total accumulated dose effects even at 400 krad(Si).
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Modulation Doped Field Effect Transistors PrinciplesDesignAnd Technology
Publicado por Misc, 1991
Librería: Books in my Basket, New Delhi, India
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 52,12
Convertir monedaEUR 14,00 gastos de envío desde India a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritoN.A. Condición: New. ISBN:9780879422554.
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Temperature Dependent CurrentVoltage Measurements of Neutron Irradiated Al027ga073nGan Modulation Doped Field Effect Transistors
Librería: PBShop.store US, Wood Dale, IL, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 58,17
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Añadir al carritoPAP. Condición: New. New Book. Shipped from UK. THIS BOOK IS PRINTED ON DEMAND. Established seller since 2000.
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Temperature Dependent CurrentVoltage Measurements of Neutron Irradiated Al027ga073nGan Modulation Doped Field Effect Transistors
Librería: PBShop.store UK, Fairford, GLOS, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 55,32
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Añadir al carritoPAP. Condición: New. New Book. Delivered from our UK warehouse in 4 to 14 business days. THIS BOOK IS PRINTED ON DEMAND. Established seller since 2000.
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An Analysis of the Effects of Low Energy Electron Radiation on A1xga1-Xn/Gan Modulation-Doped Field-Effect Transistors
Librería: Majestic Books, Hounslow, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 64,87
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Añadir al carritoCondición: New. Print on Demand pp. 146.
