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An Analysis of the Effects of Low Energy Electron Radiation on A1xga1-Xn/Gan Modulation-Doped Field-Effect Transistors
Librería: California Books, Miami, FL, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 20,39
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Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
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An Analysis of the Effects of Low Energy Electron Radiation on A1xga1-Xn/Gan Modulation-Doped Field-Effect Transistors
Librería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 18,63
Envío por EUR 13,84
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Modulation-doped Field-effect Transistors: Applications And Circuits
Librería: Majestic Books, Hounslow, Reino Unido
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 37,27
Envío por EUR 7,51
Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
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Modulation-doped Field-effect Transistors: Applications And Circuits
Librería: Books Puddle, New York, NY, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 44,02
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Modulation-doped Field-effect Transistors: Applications And Circuits
Librería: Basi6 International, Irving, TX, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 49,29
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Modulation-doped Field-effect Transistors: Applications And Circuits
Librería: Romtrade Corp., STERLING HEIGHTS, MI, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 49,29
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Modulation-doped Field-effect Transistors: Applications And Circuits
Librería: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Alemania
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 39,62
Envío por EUR 9,95
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Temperature Dependent Current-Voltage Measurements of Neutron Irradiated Al0.27Ga0.73N/Gan Modulation Doped Field Effect Transistors
Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 51,73
Envío por EUR 2,27
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Temperature Dependent Current-Voltage Measurements of Neutron Irradiated Al0.27ga0.73n/Gan Modulation Doped Field Effect Transistors (Paperback or Softback)
Idioma: Inglés
Publicado por Biblioscholar 10/17/2012, 2012
ISBN 10: 1249836565 ISBN 13: 9781249836568
Librería: BargainBookStores, Grand Rapids, MI, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 54,08
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Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 5 disponibles
Añadir al carritoPaperback or Softback. Condición: New. Temperature Dependent Current-Voltage Measurements of Neutron Irradiated Al0.27ga0.73n/Gan Modulation Doped Field Effect Transistors. Book.
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Temperature Dependent Current-Voltage Measurements of Neutron Irradiated Al0.27ga0.73n/Gan Modulation Doped Field Effect Transistors
Librería: California Books, Miami, FL, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 56,75
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MODULATION-DOPED FIELD-EFFECT TRANSISTORS PRINCIPLES/DESIGN/AND TECHNOLOGY
Librería: Basi6 International, Irving, TX, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 43,55
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Principles and Technology of Modulation Doped Field Effect Transistors Morkoc, Hadis; etc.; Unlu, H. and Ji, G.
Librería: Librairie Parrêsia, Figeac, Francia
Calificación del vendedor: 3 de 5 estrellas
EUR 30,00
Envío por EUR 32,50
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Añadir al carritoApr 29, 1991. Condición: Used: Very Good. Principles and Technology of Modulation Doped Field Effect Transistors: v. 1 | Morkoc et alii | Wiley, 1991, in-8 cartonnage éditeur, 261 pages. Couverture propre. Dos solide. Intérieur frais. Exemplaire de bibliothèque : petit code barre en pied de 1re de couv., cotation au dos, rares et discrets petits tampons à l'intérieur de l'ouvrage. Bel état ! [BT19+].
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Modulation-Doped Field-Effect Transistors: Applications and Circuits
Librería: StainesBook, Weybridge, SURRE, Reino Unido
Calificación del vendedor: 1 de 5 estrellas
EUR 31,03
Envío por EUR 34,67
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Modulation-Doped Field-Effect Transistors: Principles, Design and Technology
Librería: Basi6 International, Irving, TX, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 49,29
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Modulation-Doped Field-Effect Transistors: Principles, Design and Technology
Librería: Romtrade Corp., STERLING HEIGHTS, MI, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
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Temperature Dependent Current-Voltage Measurements of Neutron Irradiated Al0.27ga0.73n/Gan Modulation Doped Field Effect Transistors
Librería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 53,00
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Temperature Dependent Current-Voltage Measurements of Neutron Irradiated Al0.27Ga0.73N/Gan Modulation Doped Field Effect Transistors
Librería: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 52,98
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Añadir al carritoCondición: New.
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An Analysis of the Effects of Low Energy Electron Radiation on A1xga1-Xn/Gan Modulation-Doped Field-Effect Transistors
Librería: moluna, Greven, Alemania
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 24,00
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Añadir al carritoCondición: New. KlappentextrnrnThe effects of radiation on AlxGa1-xN/GaN MODFETs is an area of increasing interest to the USAF as these devices become developed and integrated in satellite-based systems. Irradiation is also a valuable tool for analyzing the qua.
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Edición internacionalMODULATION-DOPED FIELD-EFFECT TRANSISTORS PRINCIPLES/DESIGN/AND TECHNOLOGY
Librería: UK BOOKS STORE, London, LONDO, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 56,84
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Modulation-Doped Field-Effect Transistors: Principles, Design and Technology
Librería: SHIMEDIA, Brooklyn, NY, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
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Modulation-Doped Field-Effect Transistors
Idioma: Inglés
Publicado por IEEE Operations Center, 1842
ISBN 10: 0879422556 ISBN 13: 9780879422554
Librería: Majestic Books, Hounslow, Reino Unido
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 54,41
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Añadir al carritoCondición: New. pp. 516.
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An Analysis of the Effects of Low Energy Electron Radiation on A1xga1-Xn/Gan Modulation-Doped Field-Effect Transistors
Librería: PBShop.store US, Wood Dale, IL, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 20,77
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Añadir al carritoPAP. Condición: New. New Book. Shipped from UK. THIS BOOK IS PRINTED ON DEMAND. Established seller since 2000.
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Modulation-Doped Field-Effect Transistors: Principles, Design and Technology
Librería: BennettBooksLtd, Los Angeles, CA, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 95,93
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Añadir al carritohardcover. Condición: New. In shrink wrap. Looks like an interesting title!
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Modulation-Doped Field-Effect Transistors
Idioma: Inglés
Publicado por IEEE Operations Center, 1842
ISBN 10: 0879422556 ISBN 13: 9780879422554
Librería: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Alemania
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 56,55
Envío por EUR 9,95
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Modulation-Doped Field-Effect Transistors
Idioma: Inglés
Publicado por IEEE Operations Center, 1842
ISBN 10: 0879422556 ISBN 13: 9780879422554
Librería: Books Puddle, New York, NY, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 65,39
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Modulation-Doped Field-Effect Transistors: Applications and Circuits
Librería: SHIMEDIA, Brooklyn, NY, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 110,83
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An Analysis of the Effects of Low Energy Electron Radiation on A1xga1-Xn/Gan Modulation-Doped Field-Effect Transistors
Idioma: Inglés
Publicado por Biblioscholar Okt 2012, 2012
ISBN 10: 1286861640 ISBN 13: 9781286861646
Librería: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 46,50
Envío por EUR 61,36
Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 2 disponibles
Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. Neuware - The effects of radiation on AlxGa1-xN/GaN MODFETs is an area of increasing interest to the USAF as these devices become developed and integrated in satellite-based systems. Irradiation is also a valuable tool for analyzing the quantum-level characteristics and properties that are responsible for device operation. AlxGa1-xN/GaN MODFETs were fabricated and irradiated at liquid nitrogen temperatures by 0.45 -1.2 MeV electrons up to doses of 6 1016 e /cm2. Following irradiation, low temperature I-V measurements were recorded providing dose-dependent measurements. Temperature-dependent I-V measurements were also made during room temperature annealing following irradiation. I-V measurements indicate radiation-induced changes occur in these devices creating increased gate and drain currents. These increased currents are only maintained at low temperatures (T greater than 300 K). It is believed that the increase in gate current is caused by an increase in the electron trap concentration of the AlxGa1-xN layer. This increase in trap concentration directly increases the trap-assisted tunneling current resulting in the observed increase in gate current. The mechanism causing the increase in drain current is unknown. Several theories explaining this increase are presented along with the additional research necessary to illuminate the correct theory. This is the first experiment involving electron radiation of AlxGa1-xN/GaN MODFETs.
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Temperature Dependent Current-Voltage Measurements of Neutron Irradiated Al0.27Ga0.73N/Gan Modulation Doped Field Effect Transistors
Librería: moluna, Greven, Alemania
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 61,74
Envío por EUR 48,99
Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Añadir al carritoCondición: New. KlappentextrnrnIn this research, the first ever neutron irradiation study of AlGaN/GaN MODFETs was conducted. Devices irradiated to a total 1 MeV Eq (Si) neutron fluence of 1.2x10 16 n/cm2 demonstrated the temperature dependence of irradiation a.
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An Analysis of the Effects of Low Energy Electron Radiation on A1xga1-Xn/Gan Modulation-Doped Field-Effect Transistors
Librería: PBShop.store UK, Fairford, GLOS, Reino Unido
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 18,67
Envío por EUR 4,81
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Añadir al carritoPAP. Condición: New. New Book. Delivered from our UK warehouse in 4 to 14 business days. THIS BOOK IS PRINTED ON DEMAND. Established seller since 2000.
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Temperature Dependent Current-Voltage Measurements of Neutron Irradiated Al0.27Ga0.73N/Gan Modulation Doped Field Effect Transistors
Librería: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 110,68
Envío por EUR 17,33
Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Añadir al carritoCondición: As New. Unread book in perfect condition.
