An Analysis of the Effects of Low Energy Electron Radiation on A1xga1-Xn/Gan Modulation-Doped Field-Effect Transistors

Idioma: inglés

Editorial: Creative Media Partners, LLC Okt 2012, 2012

1286861640 / 9781286861646

  • Tapa blanda
  • Nuevo
Ver todos los detalles

Librería: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, AlemaniaAHA-BUCH GmbH

Vendedor de 5 estrellas

Vendedor de AbeBooks desde 14 de agosto de 2006

Ver los artículos de este vendedor
Tapa blanda

Condición: Nuevo

EUR 29,89

Envío por EUR 30,50 
Se envía de Alemania a Estados Unidos de America

Cantidad disponible: 2 disponibles

Añadir al carrito
Devoluciones gratuitas de 30 días

Descripción del artículo del vendedor

Neuware - The effects of radiation on AlxGa1-xN/GaN MODFETs is an area of increasing interest to the USAF as these devices become developed and integrated in satellite-based systems. Irradiation is also a valuable tool for analyzing the quantum-level characteristics and properties that are responsible for device operation. AlxGa1-xN/GaN MODFETs were fabricated and irradiated at liquid nitrogen temperatures by 0.45 -1.2 MeV electrons up to doses of 6 1016 e /cm2. Following irradiation, low temperature I-V measurements were recorded providing dose-dependent measurements. Temperature-dependent I-V measurements were also made during room temperature annealing following irradiation. I-V measurements indicate radiation-induced changes occur in these devices creating increased gate and drain currents. These increased currents are only maintained at low temperatures (T greater than 300 K). It is believed that the increase in gate current is caused by an increase in the electron trap concentration of the AlxGa1-xN layer. This increase in trap concentration directly increases the trap-assisted tunneling current resulting in the observed increase in gate current. The mechanism causing the increase in drain current is unknown. Several theories explaining this increase are presented along with the additional research necessary to illuminate the correct theory. This is the first experiment involving electron radiation of AlxGa1-xN/GaN MODFETs.

N° de ref. del artículo 9781286861646

Título
An Analysis of the Effects of Low Energy Electron Radiation on A1xga1-Xn/Gan Modulation-Doped Field-Effect Transistors
Autor
James M Sattler
Editorial
Creative Media Partners, LLC Okt 2012
Año de publicación
2012
Estado
Neu
Encuadernación
Taschenbuch
Idioma
inglés
ISBN 10
1286861640
ISBN 13
9781286861646
Peso del artículo
213 gramos
Dimensiones
234x156x8 mm

AHA-BUCH GmbH

Einbeck, Alemania

Vendedor de 5 estrellas

Vendedor de AbeBooks desde 14 de agosto de 2006

Tarifas de envío de Alemania a Estados Unidos de America

ArtículoDe 5 a 7 días hábilesDe 7 a 10 días hábiles
Primer artículoEUR 30,50EUR 30,50
Los plazos de entrega los establecen los vendedores y varían según el transportista y la ubicación. Los pedidos que pasan por la aduana pueden sufrir retrasos y los compradores son responsables de los aranceles o tarifas asociadas. Los vendedores pueden ponerse en contacto con usted en relación con cargos adicionales para cubrir cualquier aumento en los costes de envío de los artículos.

Métodos de pago

  • Visa
  • Mastercard
  • American Express
  • Carte Bleue
  • Apple Pay
  • Google Pay
  • Cheque
  • Giro bancario
  • PayPal

Descripción de la tienda

Das Unternehmen AHA-BUCH GmbH: Seit der Gründung von AHA-BUCH im Juli 2005 ist unser Hauptziel, zufriedenen Kunden so schnell und so preisgünstig wie möglich ihren Bücherwunsch zu erfüllen. Unsere Firma beschäftigt 16 Mitarbeiter, die nur ein Ziel kennen: den Kunden und seine Wünsche! Auf über 3700 m2 Fläche haben wir über 100.000 Bücher, Modernes Antiquariat und Spiele auf Lager.

Especialidad

Kinderbücher & Kinderhör Casetten, German Books, Software, Natur & Tiere, Ratgeber, Sachbücher, Englische Bücher, Medizin & Gesundheit, Universität & Studium

Información empresarial del vendedor

AHA-BUCH GmbH

Garlebsen 48
Einbeck, Alemania 37574