An Analysis of the Effects of Low Energy Electron Radiation on A1xga1-Xn/Gan Modulation-Doped Field-Effect Transistors

Idioma: inglés

Editorial: BIBLIOSCHOLAR, 2012

1286861640 / 9781286861646

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KlappentextrnrnThe effects of radiation on AlxGa1-xN/GaN MODFETs is an area of increasing interest to the USAF as these devices become developed and integrated in satellite-based systems. Irradiation is also a valuable tool for analyzing the qua.

N° de ref. del artículo 6548606

Título
An Analysis of the Effects of Low Energy Electron Radiation on A1xga1-Xn/Gan Modulation-Doped Field-Effect Transistors
Autor
Sattler, James M.
Editorial
BIBLIOSCHOLAR
Año de publicación
2012
Estado
New
Encuadernación
Encuadernación de tapa blanda
Idioma
inglés
ISBN 10
1286861640
ISBN 13
9781286861646

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