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Temperature Dependent Current-Voltage Measurements of Neutron Irradiated Al0.27Ga0.73N/Gan Modulation Doped Field Effect Transistors
Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de America
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Temperature Dependent Current-Voltage Measurements of Neutron Irradiated Al0.27ga0.73n/Gan Modulation Doped Field Effect Transistors (Paperback or Softback)
Idioma: Inglés
Publicado por Biblioscholar 10/17/2012, 2012
ISBN 10: 1249836565 ISBN 13: 9781249836568
Librería: BargainBookStores, Grand Rapids, MI, Estados Unidos de America
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Librería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino Unido
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Librería: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Reino Unido
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Librería: moluna, Greven, Alemania
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Añadir al carritoCondición: New. KlappentextrnrnIn this research, the first ever neutron irradiation study of AlGaN/GaN MODFETs was conducted. Devices irradiated to a total 1 MeV Eq (Si) neutron fluence of 1.2x10 16 n/cm2 demonstrated the temperature dependence of irradiation a.
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Librería: Mispah books, Redhill, SURRE, Reino Unido
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Temperature Dependent Current-Voltage Measurements of Neutron Irradiated Al0.27ga0.73n/Gan Modulation Doped Field Effect Transistors
Idioma: Inglés
Publicado por Creative Media Partners, LLC Okt 2012, 2012
ISBN 10: 1249836565 ISBN 13: 9781249836568
Librería: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Alemania
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Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. Neuware - In this research, the first ever neutron irradiation study of AlGaN/GaN MODFETs was conducted. Devices irradiated to a total 1 MeV Eq (Si) neutron fluence of 1.2x10 16 n/cm2 demonstrated the temperature dependence of irradiation and annealing. Devices irradiated at 80 K exhibited significant persistent electrical degradation at only 5.4 rad (Si), whereas those irradiated at elevated temperatures exhibit transient increases in gate and drain current up to 400 krad (Si). I-V measurements indicate substantial radiation-induced increased gate and drain currents occur only at low-temperature irradiations. The introduction of a high-density of donor defects is hypothesized as the primary cause of both increased values. Irradiating at temperatures gt; 300 K effectively reduces total accumulated dose effects even at 400 krad(Si).
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Temperature Dependent Current-Voltage Measurements of Neutron Irradiated Al0.27ga0.73n/Gan Modulation Doped Field Effect Transistors
Idioma: Inglés
Publicado por Creative Media Partners, LLC, 2012
ISBN 10: 1249836565 ISBN 13: 9781249836568
Librería: PBShop.store US, Wood Dale, IL, Estados Unidos de America
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Temperature Dependent Current-Voltage Measurements of Neutron Irradiated Al0.27ga0.73n/Gan Modulation Doped Field Effect Transistors
Idioma: Inglés
Publicado por Creative Media Partners, LLC, 2012
ISBN 10: 1249836565 ISBN 13: 9781249836568
Librería: PBShop.store UK, Fairford, GLOS, Reino Unido
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Librería: THE SAINT BOOKSTORE, Southport, Reino Unido
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Librería: Majestic Books, Hounslow, Reino Unido
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Librería: Books Puddle, New York, NY, Estados Unidos de America
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Librería: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Alemania
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