Modeling simulation theory practice (123 resultados)
Idioma: Inglés
Editorial: Birkhäuser, 2009
Serie: Libro 23 de 55 - Modeling and Simulation in Science, Engineering and Technology
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Paperback. Condición: New. A reprint of the classic text, this book popularized compact modeling of electronic and semiconductor devices and components for college and graduate-school classrooms, and manufacturing engineering, over a decade ago. The first comprehensive book on MOS transistor compact modeling, it was the most cited among similar books in the area and remains the most frequently cited today. The coverage is device-physics based and continues to be relevant to the latest advances in MOS transistor modeling. This is also the only book that discusses in detail how to measure device model parameters required for circuit simulations.The book deals with the MOS Field Effect Transistor (MOSFET) models that are derived from basic semiconductor theory. Various models are developed, ranging from simple to more sophisticated models that take into account new physical effects observed in submicron transistors used in today's (1993) MOS VLSI technology. The assumptions used to arrive at the models are emphasized so that the accuracy of the models in describing the device characteristics are clearly understood. Due to the importance of designing reliable circuits, device reliability models are also covered. Understanding these models is essential when designing circuits for state-of-the-art MOS ICs.…
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Idioma: Inglés
Editorial: World Scientific Publishing Co Pte Ltd, Singapore, 2007
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Paperback. Condición: new. Paperback. A reprint of the classic text, this book popularized compact modeling of electronic and semiconductor devices and components for college and graduate-school classrooms, and manufacturing engineering, over a decade ago. The first comprehensive book on MOS transistor compact modeling, it was the most cited among similar books in the area and remains the most frequently cited today. The coverage is device-physics based and continues to be relevant to the latest advances in MOS transistor modeling. This is also the only book that discusses in detail how to measure device model parameters required for circuit simulations.The book deals with the MOS Field Effect Transistor (MOSFET) models that are derived from basic semiconductor theory. Various models are developed, ranging from simple to more sophisticated models that take into account new physical effects observed in submicron transistors used in today's (1993) MOS VLSI technology. The assumptions used to arrive at the models are emphasized so that the accuracy of the models in describing the device characteristics are clearly understood. Due to the importance of designing reliable circuits, device reliability models are also covered. Understanding these models is essential when designing circuits for state-of-the-art MOS ICs. Shipping may be from multiple locations in the US or from the UK, depending on stock availability.…
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Idioma: Inglés
Editorial: World Scientific Publishing Company, Incorporated, 2023
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Idioma: Inglés
Editorial: World Scientific Publishing Company, Incorporated, 2023
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Idioma: Inglés
Editorial: World Scientific Publishing Company, Incorporated, 2023
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Librería: Biblios, frankfurt am main, HESSE, AlemaniaBiblios
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Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2016
Serie: Libro 106 de 538 - Studies in Computational Intelligence
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Librería: Studibuch, Stuttgart, AlemaniaStudibuch
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paperback. Condición: Sehr gut. 160 Seiten; 9784431561569.2 Gewicht in Gramm: 6.
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Condición: As New. Unread book in perfect condition.
Physical Multiscale Modeling and Numerical Simulation of Electrochemical Devices for Energy Conversion and Storage : From Theory to Engineering to Practice
Franco, Alejandro A. (EDT); Doublet, Marie Liesse (EDT); Bessler, Wolfgang G. (EDT)
Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2016
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Paperback. Condición: Brand New. reprint edition. 632 pages. 9.02x6.22x1.30 inches. In Stock.
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Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2016
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