Based high dielectrics process (12 resultados)
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Librería: BookOrders, Russell, IA, Estados Unidos de AmericaBookOrders
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EUR 27,16
Envío por EUR 3,52Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Soft Cover. Condición: Acceptable. Ex-library with the usual features. Library label on front cover. The interior is clean and tight. Several pages have corner bent. Binding is good. Cover shows light edge wear and has one corner bent. Ex-Library.
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Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de AmericaGreatBookPrices
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Condición: As New. Unread book in perfect condition.
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Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de AmericaGreatBookPrices
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Condición: New.
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Librería: Books Puddle, New York, NY, Estados Unidos de AmericaBooks Puddle
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Envío por EUR 3,51Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 4 disponibles
Condición: New. 1st edition NO-PA16APR2015-KAP.
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Librería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino UnidoRia Christie Collections
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Condición: New. In English.
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Librería: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Reino UnidoGreatBookPricesUK
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Condición: New.
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Librería: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Reino UnidoGreatBookPricesUK
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Envío por EUR 17,56Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Condición: As New. Unread book in perfect condition.
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Librería: The Book Spot, Sioux Falls, MN, Estados Unidos de AmericaThe Book Spot
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Gastos de envío gratisSe envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Paperback. Condición: New.
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Librería: preigu, Osnabrück, Alemaniapreigu
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Envío por EUR 70,00Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 5 disponibles
Taschenbuch. Condición: Neu. Hf-Based High-k Dielectrics | Process Development, Performance Characterization, and Reliability | Young-Hee Kim (u. a.) | Taschenbuch | Synthesis Lectures on Solid State Materials and Devices | x | Englisch | 2007 | Springer | EAN 9783031014246 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag Gm…bH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu.
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Librería: Majestic Books, Hounslow, Reino UnidoMajestic Books
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Condición: New. Print on Demand.
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Librería: Biblios, frankfurt am main, HESSE, AlemaniaBiblios
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Condición: New. PRINT ON DEMAND.
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Librería: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, AlemaniaAHA-BUCH GmbH
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Taschenbuch. Condición: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - In this work, the reliability of HfO2 (hafnium oxide) with poly gate and dual metal gate electrode (Ru-Ta alloy, Ru) was investigated. Hard breakdown and soft breakdown, particularly the Weibull slopes, were studied under constant voltag…e stress. Dynamic stressing has also been used. It was found that the combination of trapping and detrapping contributed to the enhancement of the projected lifetime. The results from the polarity dependence studies showed that the substrate injection exhibited a shorter projected lifetime and worse soft breakdown behavior, compared to the gate injection. The origin of soft breakdown (first breakdown) was studied and the results suggested that the soft breakdown may be due to one layer breakdown in the bilayer structure (HfO2/SiO2: 4 nm/4 nm). Low Weibull slope was in part attributed to the lower barrier height of HfO2 at the interface layer. Interface layer optimization was conducted in terms of mobility, swing, and short channel effect using deep submicron MOSFET devices.
