ISBN: 9789812565211 - radiation defect engineering: 37 (selected topics in electronics and systems) (19 resultados)
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Radiation Defect Engineering (Selected Topics in Electronics and Systems: Volume 37)
Vitali, St Petersburg State Technical University Russia Kozlovski; Vera, Institute Of Microelectronics Technology And High Purity Materials Russia Abrosimova
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Editorial: World Scientific Publishing Company, Incorporated, 2005
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Idioma: Inglés
Editorial: World Scientific Publishing Company, Incorporated, 2005
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RADIATION DEFECT ENGINEERING (VOL 37)
Vitali, St Petersburg State Technical University Russia Kozlovski; Vera, Institute Of Microelectronics Technology And High Purity Materials Russia Abrosimova
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Idioma: Inglés
Editorial: World Scientific Publishing Company, Incorporated, 2005
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RADIATION DEFECT ENGINEERING (VOL 37)
Vitali, St Petersburg State Technical University Russia Kozlovski; Vera, Institute Of Microelectronics Technology And High Purity Materials Russia Abrosimova
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RADIATION DEFECT ENGINEERING (Selected Topics in Electronics and Systems)
Vitali, St Petersburg State Technical University Russia Kozlovski; Vera, Institute Of Microelectronics Technology And High Purity Materials Russia Abrosimova
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Condición: New. Explores radiation doping: the intentional, directional modification of the properties of semiconductors under the action of various types of radiation. This book considers the basic principles of proton interactions with single crystal semiconductors on th.
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Idioma: Inglés
Editorial: World Scientific Publishing Company Nov 2005, 2005
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Buch. Condición: Neu. Neuware - The increasing complexity of problems in semiconductor electronics and optoelectronics has exposed the insufficient potential of the technological doping processes currently used. One of the most promising techniques, which this book explores, is radiation doping: the intentional, directional modification of the properties of semiconductors under the action of various types of radiation. The authors consider the basic principles of proton interactions with single crystal semiconductors on the basis of both theory as well as practical results. All types of proton modifications of the materials known presently are analyzed in detail and exciting new fields of research in this direction are discussed.…
