9789400763395 - high mobility and quantum well transistors: design and tcad simulation: 42 (springer series in advanced microelectronics, 42) de hellings, geert; de meyer, kristin (15 resultados)
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Editorial: Springer, 2013
Serie: Libro 35 de 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics
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Editorial: Springer, 2013
Serie: Libro 35 de 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics
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Editorial: Springer, 2013
Serie: Libro 35 de 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics
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Editorial: Springer, 2013
Serie: Libro 35 de 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics
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Editorial: Springer, 2013
Serie: Libro 35 de 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics
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Editorial: Springer Verlag, 2013
Serie: Libro 35 de 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics
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Editorial: Springer Netherlands, Springer Netherlands, 2013
Serie: Libro 35 de 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics
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Buch. Condición: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - For many decades, the semiconductor industry has miniaturized transistors, delivering increased computing power to consumers at decreased cost. However, mere transistor downsizing does no longer provide the same improvements. One interesting option to fur…ther improve transistor characteristics is to use high mobility materials such as germanium and III-V materials. However, transistors have to be redesigned in order to fully benefit from these alternative materials.High Mobility and Quantum Well Transistors: Design and TCAD Simulation investigates planar bulk Germanium pFET technology in chapters 2-4, focusing on both the fabrication of such a technology and on the process and electrical TCAD simulation. Furthermore, this book shows that Quantum Well based transistors can leverage the benefits of these alternative materials, since they confine the charge carriers to the high-mobility material using a heterostructure. The design and fabrication of one particular transistor structure - the SiGe Implant-Free Quantum Well pFET - is discussed. Electrical testing shows remarkable short-channel performance and prototypes are found to be competitive with a state-of-the-art planar strained-silicon technology. High mobility channels, providing high drive current, and heterostructure confinement, providing good short-channel control, make a promising combination for future technology nodes.
Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2013
Serie: Libro 35 de 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics
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Editorial: Springer, 2013
Serie: Libro 35 de 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics
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Editorial: Springer Netherlands Apr 2013, 2013
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Buch. Condición: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -For many decades, the semiconductor industry has miniaturized transistors, delivering increased computing power to consumers at decreased cost. However, mere transistor downsizing does no longer provide the same improvements. One interesti…ng option to further improve transistor characteristics is to use high mobility materials such as germanium and III-V materials. However, transistors have to be redesigned in order to fully benefit from these alternative materials.High Mobility and Quantum Well Transistors: Design and TCAD Simulation investigates planar bulk Germanium pFET technology in chapters 2-4, focusing on both the fabrication of such a technology and on the process and electrical TCAD simulation. Furthermore, this book shows that Quantum Well based transistors can leverage the benefits of these alternative materials, since they confine the charge carriers to the high-mobility material using a heterostructure. The design and fabrication of one particular transistor structure - the SiGe Implant-Free Quantum Well pFET - is discussed. Electrical testing shows remarkable short-channel performance and prototypes are found to be competitive with a state-of-the-art planar strained-silicon technology. High mobility channels, providing high drive current, and heterostructure confinement, providing good short-channel control, make a promising combination for future technology nodes. 160 pp. Englisch.
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Editorial: Springer Netherlands, 2013
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Condición: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. A comprehensive explanation of Quantum Well-based transistors and their electrical behaviourA consistent set of TCAD models and parameters allows simulating the fabrication process and the electrical behaviour of a Ge…rmanium pFET technology.
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Editorial: Springer, 2013
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Editorial: Springer, 2013
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Buch. Condición: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -For many decades, the semiconductor industry has miniaturized transistors, delivering increased computing power to consumers at decreased cost. However, mere transistor downsizing does no longer provide the same improvements. One interesting o…ption to further improve transistor characteristics is to use high mobility materials such as germanium and III-V materials. However, transistors have to be redesigned in order to fully benefit from these alternative materials.High Mobility and Quantum Well Transistors: Design and TCAD Simulation investigates planar bulk Germanium pFET technology in chapters 2-4, focusing on both the fabrication of such a technology and on the process and electrical TCAD simulation. Furthermore, this book shows that Quantum Well based transistors can leverage the benefits of these alternative materials, since they confine the charge carriers to the high-mobility material using a heterostructure. The design and fabrication of one particular transistor structure - the SiGe Implant-Free Quantum Well pFET ¿ is discussed. Electrical testing shows remarkable short-channel performance and prototypes are found to be competitive with a state-of-the-art planar strained-silicon technology. High mobility channels, providing high drive current, and heterostructure confinement, providing good short-channel control, make a promising combination for future technology nodes.Springer-Verlag KG, Sachsenplatz 4-6, 1201 Wien 160 pp. Englisch.
