Isbn: 9783709119334 - strain-induced effects in advanced mosfets: 0 (computational microelectronics) (11 resultados)
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Editorial: Springer, 2016
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Editorial: Springer Vienna, 2016
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Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2016
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Editorial: Springer, 2016
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Taschenbuch. Condición: Neu. Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs | Viktor Sverdlov | Taschenbuch | Computational Microelectronics | xiv | Englisch | 2016 | Springer | EAN 9783709119334 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu. …
Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2016
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Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2016
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Taschenbuch. Condición: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given.…
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Editorial: Springer, 2016
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Idioma: Inglés
Editorial: Springer Vienna Aug 2016, 2016
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Taschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given. 268 pp. Englisch.…
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Editorial: Springer, 2016
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Editorial: Springer Vienna, Springer Aug 2016, 2016
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Taschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given.Springer-Verlag KG, Sachsenplatz 4-6, 1201 Wien 268 pp. Englisch.…
Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2016
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