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9783709119334 - Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs: 0 (Computational Microelectronics) de Sverdlov, Viktor (11 resultados)
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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs (Computational Microelectronics)
Libro 3 de 17: Computational MicroelectronicsLibrería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 163,95
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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs
Libro 3 de 17: Computational MicroelectronicsLibrería: moluna, Greven, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 136,16
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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs (Computational Microelectronics)
Libro 3 de 17: Computational MicroelectronicsLibrería: Books Puddle, New York, NY, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 194,71
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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs
Libro 3 de 17: Computational MicroelectronicsLibrería: preigu, Osnabrück, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 140,00
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Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs | Viktor Sverdlov | Taschenbuch | Computational Microelectronics | xiv | Englisch | 2016 | Springer | EAN 9783709119334 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu.
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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs
Libro 3 de 17: Computational MicroelectronicsLibrería: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 160,49
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Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given.
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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs
Libro 3 de 17: Computational MicroelectronicsLibrería: Revaluation Books, Exeter, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 231,84
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Añadir al carritoPaperback. Condición: Brand New. reprint edition. 252 pages. 9.45x6.61x0.61 inches. In Stock.
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Sverdlov:Strain-Induced Effects in Adva (eng)
Libro 3 de 17: Computational MicroelectronicsLibrería: Brook Bookstore On Demand, Napoli, NA, Italia
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EUR 126,26
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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs
Libro 3 de 17: Computational MicroelectronicsIdioma: Inglés
Publicado por Springer Vienna Aug 2016, 2016
ISBN 10: 3709119332 ISBN 13: 9783709119334
Librería: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 160,49
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Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given. 268 pp. Englisch.
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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs (Computational Microelectronics)
Libro 3 de 17: Computational MicroelectronicsLibrería: Majestic Books, Hounslow, Reino Unido
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 200,28
Envío por EUR 7,51
Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 4 disponibles
Añadir al carritoCondición: New. Print on Demand pp. 266.
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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs (Computational Microelectronics)
Libro 3 de 17: Computational MicroelectronicsLibrería: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Alemania
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 203,78
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Añadir al carritoCondición: New. PRINT ON DEMAND pp. 266.
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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs
Libro 3 de 17: Computational MicroelectronicsIdioma: Inglés
Publicado por Springer Vienna, Springer Aug 2016, 2016
ISBN 10: 3709119332 ISBN 13: 9783709119334
Librería: buchversandmimpf2000, Emtmannsberg, BAYE, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 160,49
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Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given.Springer-Verlag KG, Sachsenplatz 4-6, 1201 Wien 268 pp. Englisch.
