ISBN: 9783662161111 - halbleiterprobleme: in referaten des halbleiterausschusses des verbandes deutscher physikalischer gesellschaften mainz 1955: hp3 (advances in solid state physics) (15 resultados)

Condición: New.

Condición: New.

Condición: New. In English.

Condición: New. pp. 292.

Taschenbuch. Condición: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Befreiung von Elektronen aus Valenzband und Störstellen durch Feld und Stoß.- Diskussion zu Referat I.- Assoziation und Wechselwirkung von Störstellen in Ionenkristallen und Halbleitern.- Der p-n-Photoeffekt.- Diskussion zu Referat 3.- Die Eigenschaften der Oberfläche von Germanium und Silizium.- Diskussion zu Referat 4.- Electron and ion motion in oxide cathodes.- Diskussions-Bericht und-Beitrag des Herausgebers zu Referat 5.- Siliziumkarbid, Eigenschaften und Anwendung als Material für spannungsabhängige Widerstände.- Diskussion zu Referat 6.- Ioneschwingungsprobleme bei Übergängen lokalisierter Elektronen in, Halbleitern.- Diskussion zu Referat 7. …

Paperback. Condición: Brand New. 287 pages. German language. 9.70x6.70x0.80 inches. In Stock.

Taschenbuch. Condición: Neu. Halbleiterprobleme | In Referaten des Halbleiterausschusses des Verbandes Deutscher Physikalischer Gesellschaften Mainz 1955 | W. Schottky | Taschenbuch | Advances in Solid State Physics | vii | Deutsch | 2014 | Springer | EAN 9783662161111 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu.…

Paperback. Condición: Like New. LIKE NEW. SHIPS FROM MULTIPLE LOCATIONS. book.

Condición: As New. Unread book in perfect condition.

Condición: new. Questo è un articolo print on demand.

Taschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -InhaltsangabeBefreiung von Elektronen aus Valenzband und Störstellen durch Feld und Stoß.- Diskussion zu Referat I.- Assoziation und Wechselwirkung von Störstellen in Ionenkristallen und Halbleitern.- Der p-n-Photoeffekt.- Diskussion zu Referat 3.- Die Eigenschaften der Oberfläche von Germanium und Silizium.- Diskussion zu Referat 4.- Electron and ion motion in oxide cathodes.- Diskussions-Bericht und-Beitrag des Herausgebers zu Referat 5.- Siliziumkarbid, Eigenschaften und Anwendung als Material für spannungsabhängige Widerstände.- Diskussion zu Referat 6.- Ioneschwingungsprobleme bei Übergängen lokalisierter Elektronen in, Halbleitern.- Diskussion zu Referat 7. 292 pp. Deutsch. …

Condición: New. Print on Demand pp. 292 67:B&W 6.69 x 9.61 in or 244 x 170 mm (Pinched Crown) Perfect Bound on White w/Gloss Lam.

Condición: New. PRINT ON DEMAND pp. 292.

Condición: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Befreiung von Elektronen aus Valenzband und Stoerstellen durch Feld und Stoss.- Diskussion zu Referat I.- Assoziation und Wechselwirkung von Stoerstellen in Ionenkristallen und Halbleitern.- Der p-n-Photoeffekt.- Diskussion zu Referat 3.- Die Eigenschaften der.…

Taschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -InhaltsangabeBefreiung von Elektronen aus Valenzband und Störstellen durch Feld und Stoß.- Diskussion zu Referat I.- Assoziation und Wechselwirkung von Störstellen in Ionenkristallen und Halbleitern.- Der p-n-Photoeffekt.- Diskussion zu Referat 3.- Die Eigenschaften der Oberfläche von Germanium und Silizium.- Diskussion zu Referat 4.- Electron and ion motion in oxide cathodes.- Diskussions-Bericht und-Beitrag des Herausgebers zu Referat 5.- Siliziumkarbid, Eigenschaften und Anwendung als Material für spannungsabhängige Widerstände.- Diskussion zu Referat 6.- Ioneschwingungsprobleme bei Übergängen lokalisierter Elektronen in, Halbleitern.- Diskussion zu Referat 7.Springer-Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg 292 pp. Deutsch.…