9780852967782 - strained silicon heterostructures: materials and devices (materials, circuits and devices) de maiti, c. k.; chakrabarti, n. b.; ray, s. k. (24 resultados)
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Editorial: The Institution of Engineering and Technology, 2001
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Editorial: The Institution of Engineering and Technology, 2001
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Editorial: The Institution of Engineering and Technology, 2001
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Editorial: The Institution of Engineering and Technology, 2001
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Editorial: The Institution of Engineering and Technology, 2001
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Editorial: The Institution of Engineering and Technology, 2001
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Editorial: The Institution of Engineering and Technology, 2001
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Editorial: The Institution of Engineering and Technology, 2001
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Editorial: Institution of Engineering and Technology, GB, 2001
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Hardback. Condición: New. This book comprehensively covers the areas of materials growth, characterisation and descriptions for the new devices in siliconheterostructure material systems. In recent years, the development of powerful epitaxial growth techniques such as molecular beam epitaxy (MBE), ultra-high vacuum chemical vapo…ur deposition (UHVCVD) and other low temperature epitaxy techniques has given rise to a new area of research of bandgap engineering in silicon-based materials. This has paved the way not only for heterojunction bipolar and field effect transistors, but also for other fascinating novel quantum devices. This book provides an excellent introduction and valuable references for postgraduate students and research scientists.
Idioma: Inglés
Editorial: The Institution of Engineering and Technology, 2001
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Editorial: The Institution of Engineering and Technology, 2001
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Idioma: Inglés
Editorial: The Institution of Engineering and Technology, 2001
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Idioma: Inglés
Editorial: Institution of Engineering and Technology, GB, 2001
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Hardback. Condición: New. This book comprehensively covers the areas of materials growth, characterisation and descriptions for the new devices in siliconheterostructure material systems. In recent years, the development of powerful epitaxial growth techniques such as molecular beam epitaxy (MBE), ultra-high vacuum chemical vapo…ur deposition (UHVCVD) and other low temperature epitaxy techniques has given rise to a new area of research of bandgap engineering in silicon-based materials. This has paved the way not only for heterojunction bipolar and field effect transistors, but also for other fascinating novel quantum devices. This book provides an excellent introduction and valuable references for postgraduate students and research scientists.
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Condición: New. Inhaltsverzeichnisrnrnn Chapter 1: Introductionn Chapter 2: Strained Layer Epitaxyn Chapter 3: Electronic Properties of Alloy Layersn Chapter 4: Gate Dielectrics on Strained Layersn Chapter 5: SiGe Het.
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Editorial: Institution Of Engineering & Technology Nov 2001, 2001
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Buch. Condición: Neu. Neuware - This book comprehensively covers the areas of materials growth, characterisation and descriptions for the new devices in silicon-heterostructure, material systems.
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