Snowden christopher (56 resultados)
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Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de AmericaGreatBookPrices
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EUR 13,58
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Librería: INDOO, Avenel, NJ, Estados Unidos de AmericaINDOO
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Condición: As New. Unread copy in mint condition.
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Condición: New.
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Condición: New. Brand New.
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Librería: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Reino UnidoGreatBookPricesUK
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EUR 16,53
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Condición: New.
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EUR 18,80
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Condición: As New. Unread book in perfect condition.
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Librería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino UnidoRia Christie Collections
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Condición: New. In.
- Tapa dura
Librería: Budget Books, Pasadena, CA, Estados Unidos de AmericaBudget Books
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EUR 36,08
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Hardcover. Condición: Near Fine. No Jacket. Inside front and back cover there is some fading. The text and the outside cover is unaffected. Otherwise the book is new. This book is hardcover.
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Librería: MostlyAcademic, Berrima, NSW, AustraliaMostlyAcademic
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EUR 12,42
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Soft cover. Condición: Near Fine.
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Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de AmericaGreatBookPrices
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EUR 54,51
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Condición: As New. Unread book in perfect condition.
- Tapa blanda
Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de AmericaGreatBookPrices
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EUR 54,99
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Condición: New.
- Tapa blanda
Librería: Rarewaves.com USA, London, LONDO, Reino UnidoRarewaves.com USA
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EUR 57,38
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Paperback. Condición: New. This book deals mainly with physical device models which are developed from the carrier transport physics and device geometry considerations. The text concentrates on silicon and gallium arsenide devices and includes models of silicon bipolar junction transistors, junction field effect transistors (JFE…Ts), MESFETs, silicon and GaAs MESFETs, transferred electron devices, pn junction diodes and Schottky varactor diodes. The modelling techniques of more recent devices such as the heterojunction bipolar transistors (HBT) and the high electron mobility transistors are discussed. This book contains details of models for both equilibrium and non-equilibrium transport conditions. The modelling Technique of Small-scale devices is discussed and techniques applicable to submicron-dimensioned devices are included. A section on modern quantum transport analysis techniques is included. Details of essential numerical schemes are given and a variety of device models are used to illustrate the application of these techniques in various fields.
Idioma: Inglés
Editorial: World Scientific Publishing Co Pte Ltd, Singapore, 1987
- Tapa blanda
Librería: Grand Eagle Retail, Bensenville, IL, Estados Unidos de AmericaGrand Eagle Retail
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EUR 64,67
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Paperback. Condición: new. Paperback. This book deals mainly with physical device models which are developed from the carrier transport physics and device geometry considerations. The text concentrates on silicon and gallium arsenide devices and includes models of silicon bipolar junction transistors, junction field effect trans…istors (JFETs), MESFETs, silicon and GaAs MESFETs, transferred electron devices, pn junction diodes and Schottky varactor diodes. The modelling techniques of more recent devices such as the heterojunction bipolar transistors (HBT) and the high electron mobility transistors are discussed. This book contains details of models for both equilibrium and non-equilibrium transport conditions. The modelling Technique of Small-scale devices is discussed and techniques applicable to submicron-dimensioned devices are included. A section on modern quantum transport analysis techniques is included. Details of essential numerical schemes are given and a variety of device models are used to illustrate the application of these techniques in various fields. Shipping may be from multiple locations in the US or from the UK, depending on stock availability.
- Tapa blanda
Librería: Rarewaves USA, OSWEGO, IL, Estados Unidos de AmericaRarewaves USA
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EUR 64,83
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Paperback. Condición: New. This book deals mainly with physical device models which are developed from the carrier transport physics and device geometry considerations. The text concentrates on silicon and gallium arsenide devices and includes models of silicon bipolar junction transistors, junction field effect transistors (JFE…Ts), MESFETs, silicon and GaAs MESFETs, transferred electron devices, pn junction diodes and Schottky varactor diodes. The modelling techniques of more recent devices such as the heterojunction bipolar transistors (HBT) and the high electron mobility transistors are discussed. This book contains details of models for both equilibrium and non-equilibrium transport conditions. The modelling Technique of Small-scale devices is discussed and techniques applicable to submicron-dimensioned devices are included. A section on modern quantum transport analysis techniques is included. Details of essential numerical schemes are given and a variety of device models are used to illustrate the application of these techniques in various fields.
- Tapa dura
- Primera edición
Librería: Webbooks, Wigtown, Wigtown, Reino UnidoWebbooks, Wigtown
Contactar con el vendedorVendedor de 5 estrellasMiembro de asociación: PBFA
Condición: Usado - Bueno
EUR 32,28
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Hardcover. Condición: Very Good. No Jacket. First Edition. Ex library with the usual blemishes. A00000331.
- Tapa blanda
Librería: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Reino UnidoGreatBookPricesUK
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EUR 52,05
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Condición: New.
- Tapa blanda
Librería: moluna, Greven, Alemaniamoluna
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EUR 21,79
Envío por EUR 48,99Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Condición: New. Eating sugary food, drinking alcohol and smoking are legal. But politicians still use laws to discourage them. What can justify such paternalism? Killjoys reviews the justifications that have been offered: from the idea that people are irrational to the i.
- Tapa blanda
Librería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino UnidoRia Christie Collections
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EUR 60,72
Envío por EUR 13,90Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Condición: New. In.
- Tapa blanda
Librería: Chiron Media, Wallingford, Reino UnidoChiron Media
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EUR 57,09
Envío por EUR 17,98Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 10 disponibles
PF. Condición: New.
Editorial: Library stamps/marks on first free endpapers and titelpage. Text clean. World Scientific.
- Tapa dura
Librería: Antiquariaat Ovidius, Bredevoort, HolandaAntiquariaat Ovidius
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EUR 24,00
Envío por EUR 22,00Se envía de Holanda a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Condición: Gebraucht / Used. 1986. Hardcover. xv,222pp.
- Tapa blanda
Librería: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Reino UnidoGreatBookPricesUK
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EUR 57,66
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Condición: As New. Unread book in perfect condition.
Semiconductor Device Modelling
Snowden, Christopher M.; Baets, Roel; Barker, John; Barnard, Joseph A.; Barton, Trevor M.; Clarke, Margaret E.; Cappy, Alain; Howes, Michael J.; Ingham, Derek; Miles, Robert E.; Mobbs, Stephen D.; Al-Mudares, Mustafa; Selberherr, Siegfried and Shur, Michael
- Tapa dura
- Primera edición
Librería: Westland Books, Wymondham, Reino UnidoWestland Books
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EUR 59,77
Envío por EUR 22,05Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Good. UK stocked, available immediately. Hardcover, published by Springer in 1989. First edition. Very minor rubbing to the printed board covers, the front endpaper has been clipped. The text is unmarked throughout, a nice copy. Illustrated. Weight (unpacked) is 678 grams.
- Tapa blanda
Librería: Books Puddle, New York, NY, Estados Unidos de AmericaBooks Puddle
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EUR 80,52
Envío por EUR 3,49Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 4 disponibles
Condición: New. pp. 300.
- Tapa blanda
Librería: Revaluation Books, Exeter, Reino UnidoRevaluation Books
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EUR 76,45
Envío por EUR 11,61Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 2 disponibles
Paperback. Condición: Brand New. 238 pages. 8.58x5.91x0.55 inches. In Stock.
Idioma: Inglés
Editorial: London School Of Economics And Political Science Jan 2018, 2018
- Tapa blanda
Librería: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, AlemaniaAHA-BUCH GmbH
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EUR 25,65
Envío por EUR 61,16Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 2 disponibles
Taschenbuch. Condición: Neu. Neuware - 'This publication is based on research that forms part of the Paragon Initiative.'.
- Tapa blanda
Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de AmericaGreatBookPrices
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EUR 88,82
Envío por EUR 2,31Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Condición: As New. Unread book in perfect condition.
- Tapa blanda
Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de AmericaGreatBookPrices
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EUR 92,31
Envío por EUR 2,31Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Condición: New.
- Tapa blanda
Librería: Revaluation Books, Exeter, Reino UnidoRevaluation Books
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EUR 80,02
Envío por EUR 14,51Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 2 disponibles
Paperback. Condición: Brand New. 296 pages. 9.25x6.10x0.68 inches. In Stock.
- Tapa blanda
Librería: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Reino UnidoGreatBookPricesUK
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EUR 90,78
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Condición: As New. Unread book in perfect condition.
- Tapa blanda
Librería: Rarewaves USA United, OSWEGO, IL, Estados Unidos de AmericaRarewaves USA United
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EUR 67,20
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Paperback. Condición: New. This book deals mainly with physical device models which are developed from the carrier transport physics and device geometry considerations. The text concentrates on silicon and gallium arsenide devices and includes models of silicon bipolar junction transistors, junction field effect transistors (JFE…Ts), MESFETs, silicon and GaAs MESFETs, transferred electron devices, pn junction diodes and Schottky varactor diodes. The modelling techniques of more recent devices such as the heterojunction bipolar transistors (HBT) and the high electron mobility transistors are discussed. This book contains details of models for both equilibrium and non-equilibrium transport conditions. The modelling Technique of Small-scale devices is discussed and techniques applicable to submicron-dimensioned devices are included. A section on modern quantum transport analysis techniques is included. Details of essential numerical schemes are given and a variety of device models are used to illustrate the application of these techniques in various fields.
