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CMOS SRAM Design and analysis of low leakage and high speed SRAM cell
Idioma: Inglés
Publicado por LAP LAMBERT Academic Publishing, 2016
ISBN 10: 3659861111 ISBN 13: 9783659861116
Librería: Books Puddle, New York, NY, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 85,83
Envío por EUR 3,44
Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 4 disponibles
Añadir al carritoCondición: New.
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CMOS SRAM Design and analysis of low leakage and high speed SRAM cell
Idioma: Inglés
Publicado por LAP LAMBERT Academic Publishing, 2016
ISBN 10: 3659861111 ISBN 13: 9783659861116
Librería: Revaluation Books, Exeter, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 86,15
Envío por EUR 11,58
Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritoPaperback. Condición: Brand New. 108 pages. 8.66x5.91x0.25 inches. In Stock.
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CMOS SRAM Conception et analyse d'une cellule SRAM à faible fuite et à grande vitesse (French Edition)
Idioma: Francés
Publicado por Editions Notre Savoir, 2024
ISBN 10: 6208332001 ISBN 13: 9786208332006
Librería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 52,65
Envío por EUR 13,87
Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
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Thermodynamic Crystal Analysis
Idioma: Inglés
Publicado por LAP LAMBERT Academic Publishing, 2015
ISBN 10: 3659763764 ISBN 13: 9783659763762
Librería: preigu, Osnabrück, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 36,25
Envío por EUR 70,00
Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 5 disponibles
Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. Thermodynamic Crystal Analysis | Chunesh B. Dua | Taschenbuch | 76 S. | Englisch | 2015 | LAP LAMBERT Academic Publishing | EAN 9783659763762 | Verantwortliche Person für die EU: preigu GmbH & Co. KG, Lengericher Landstr. 19, 49078 Osnabrück, mail[at]preigu[dot]de | Anbieter: preigu.
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CMOS SRAM Design and analysis of low leakage and high speed SRAM cell
Idioma: Inglés
Publicado por LAP LAMBERT Academic Publishing, 2016
ISBN 10: 3659861111 ISBN 13: 9783659861116
Librería: preigu, Osnabrück, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 47,85
Envío por EUR 70,00
Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 5 disponibles
Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. CMOS SRAM Design and analysis of low leakage and high speed SRAM cell | Rohin Gupta (u. a.) | Taschenbuch | 108 S. | Englisch | 2016 | LAP LAMBERT Academic Publishing | EAN 9783659861116 | Verantwortliche Person für die EU: preigu GmbH & Co. KG, Lengericher Landstr. 19, 49078 Osnabrück, mail[at]preigu[dot]de | Anbieter: preigu.
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Reinventing Management: Organizational Ethics From Objectivism
Idioma: Inglés
Publicado por CreateSpace Independent Publishing Platform, 2018
ISBN 10: 1723496855 ISBN 13: 9781723496851
Librería: Revaluation Books, Exeter, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 10,92
Envío por EUR 14,47
Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritoPaperback. Condición: Brand New. 140 pages. 9.00x6.00x0.32 inches. This item is printed on demand.
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CMOS SRAM Design and analysis of low leakage and high speed SRAM cell
Idioma: Inglés
Publicado por LAP LAMBERT Academic Publishing, 2016
ISBN 10: 3659861111 ISBN 13: 9783659861116
Librería: Mispah books, Redhill, SURRE, Reino Unido
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 158,60
Envío por EUR 28,94
Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
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CMOS SRAM Diseño y análisis de celdas SRAM de baja fuga y alta velocidad
Idioma: Español
Publicado por Ediciones Nuestro Conocimiento, 2024
ISBN 10: 6208331994 ISBN 13: 9786208331993
Librería: preigu, Osnabrück, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 47,20
Envío por EUR 70,00
Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 5 disponibles
Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. CMOS SRAM Diseño y análisis de celdas SRAM de baja fuga y alta velocidad | Rohin Gupta (u. a.) | Taschenbuch | Spanisch | 2024 | Ediciones Nuestro Conocimiento | EAN 9786208331993 | Verantwortliche Person für die EU: preigu GmbH & Co. KG, Lengericher Landstr. 19, 49078 Osnabrück, mail[at]preigu[dot]de | Anbieter: preigu.
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CMOS SRAM Projeto e análise de uma célula SRAM de baixa fuga e alta velocidade (Portuguese Edition)
Idioma: Portugués
Publicado por Edicoes Nosso Conhecimento, 2024
ISBN 10: 6208332060 ISBN 13: 9786208332068
Librería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 52,65
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CMOS SRAM Entwurf und Analyse von SRAM-Zellen mit geringem Leckstrom und hoher Geschwindigkeit (German Edition)
Librería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 52,65
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SRAM CMOS Progettazione e analisi di una cella SRAM a bassa perdita e ad alta velocità (Italian Edition)
Librería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 52,65
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CMOS SRAM Conception et analyse d'une cellule SRAM à faible fuite et à grande vitesse
Idioma: Francés
Publicado por Editions Notre Savoir, 2024
ISBN 10: 6208332001 ISBN 13: 9786208332006
Librería: preigu, Osnabrück, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 47,85
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Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. CMOS SRAM Conception et analyse d'une cellule SRAM à faible fuite et à grande vitesse | Rohin Gupta (u. a.) | Taschenbuch | Einband - flex.(Paperback) | Französisch | 2024 | Editions Notre Savoir | EAN 9786208332006 | Verantwortliche Person für die EU: preigu GmbH & Co. KG, Lengericher Landstr. 19, 49078 Osnabrück, mail[at]preigu[dot]de | Anbieter: preigu.
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SRAM CMOS Progettazione e analisi di una cella SRAM a bassa perdita e ad alta velocità
Librería: preigu, Osnabrück, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 47,85
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Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. SRAM CMOS Progettazione e analisi di una cella SRAM a bassa perdita e ad alta velocità | Rohin Gupta (u. a.) | Taschenbuch | Einband - flex.(Paperback) | Italienisch | 2024 | Edizioni Sapienza | EAN 9786208332020 | Verantwortliche Person für die EU: SIA OmniScriptum Publishing, Brivibas Gatve 197, 1039 RIGA, LETTLAND, customerservice[at]vdm-vsg[dot]de | Anbieter: preigu.
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CMOS SRAM Razrabotka i analiz qchejki SRAM s nizkim urownem utechki i wysokoj skorost'ü raboty
Librería: preigu, Osnabrück, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 47,85
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Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. CMOS SRAM Razrabotka i analiz qchejki SRAM s nizkim urownem utechki i wysokoj skorost'ü raboty | Rohin Gupta (u. a.) | Taschenbuch | Russisch | 2024 | Sciencia Scripts | EAN 9786208332013 | Verantwortliche Person für die EU: SIA OmniScriptum Publishing, Brivibas Gatve 197, 1039 RIGA, LETTLAND, customerservice[at]vdm-vsg[dot]de | Anbieter: preigu.
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CMOS SRAM Projeto e análise de uma célula SRAM de baixa fuga e alta velocidade
Idioma: Portugués
Publicado por Edições Nosso Conhecimento, 2024
ISBN 10: 6208332060 ISBN 13: 9786208332068
Librería: preigu, Osnabrück, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 47,85
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Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. CMOS SRAM Projeto e análise de uma célula SRAM de baixa fuga e alta velocidade | Rohin Gupta (u. a.) | Taschenbuch | Einband - flex.(Paperback) | Portugiesisch | 2024 | Edições Nosso Conhecimento | EAN 9786208332068 | Verantwortliche Person für die EU: SIA OmniScriptum Publishing, Brivibas Gatve 197, 1039 RIGA, LETTLAND, customerservice[at]vdm-vsg[dot]de | Anbieter: preigu.
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CMOS SRAM Entwurf und Analyse von SRAM-Zellen mit geringem Leckstrom und hoher Geschwindigkeit
Librería: preigu, Osnabrück, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 54,90
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Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. CMOS SRAM Entwurf und Analyse von SRAM-Zellen mit geringem Leckstrom und hoher Geschwindigkeit | Rohin Gupta (u. a.) | Taschenbuch | 88 S. | Deutsch | 2024 | Verlag Unser Wissen | EAN 9786208331986 | Verantwortliche Person für die EU: BoD - Books on Demand, In de Tarpen 42, 22848 Norderstedt, info[at]bod[dot]de | Anbieter: preigu.
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CMOS SRAM Entwurf und Analyse von SRAM-Zellen mit geringem Leckstrom und hoher Geschwindigkeit (German Edition)
Librería: Mispah books, Redhill, SURRE, Reino Unido
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 162,17
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Thermodynamic Crystal Analysis
Idioma: Inglés
Publicado por LAP LAMBERT Academic Publishing Sep 2015, 2015
ISBN 10: 3659763764 ISBN 13: 9783659763762
Librería: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 39,90
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Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -In the present book, a comprehensive study of the crystals using various thermodynamic relations and equation of states has been done.This is a research oriented book helpful for the students of Crystallography and Material Study and for scientists, engineers and students who are working with empirical equations of state and thermodynamic approximations.In this work, the proper analysis of high pressure, high temperature properties of different crystals is done that can be used to acknowledge the research in different regions.This book gives a brief preview of various equations of state that can be used for calculations in various fields. 76 pp. Englisch.
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CMOS SRAM Conception et analyse d'une cellule SRAM ? faible fuite et ? grande vitesse
Idioma: Francés
Publicado por Editions Notre Savoir, 2024
ISBN 10: 6208332001 ISBN 13: 9786208332006
Librería: PBShop.store US, Wood Dale, IL, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 56,78
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Añadir al carritoPAP. Condición: New. New Book. Shipped from UK. THIS BOOK IS PRINTED ON DEMAND. Established seller since 2000.
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CMOS SRAM Design and analysis of low leakage and high speed SRAM cell
Idioma: Inglés
Publicado por LAP LAMBERT Academic Publishing Apr 2016, 2016
ISBN 10: 3659861111 ISBN 13: 9783659861116
Librería: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 54,90
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Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -In this work The novel single ended 5T and 6T SRAM cell is presented. This transistor is high density cell or takes less area than conventional 6T SRAM cell. Leakage current of this cell is very low as compared to other 5T or conventional 6T cell. There is a requirement of precharge circuit for this cell as that in conventional 6T SRAM cell. This cell is also power efficient. Also results show that the data stored in this cell is highly stable.There is always scope of improvement in any type of circuit or application. With the proposed configuration we can improve it with various techniques. We can change aspect ratio of the cell for better results. We can apply clock gating for power efficient circuit. We can improve peripheral circuit for better performance. 108 pp. Englisch.
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CMOS SRAM Conception et analyse d'une cellule SRAM ? faible fuite et ? grande vitesse
Idioma: Francés
Publicado por Editions Notre Savoir, 2024
ISBN 10: 6208332001 ISBN 13: 9786208332006
Librería: PBShop.store UK, Fairford, GLOS, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 54,99
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Añadir al carritoPAP. Condición: New. New Book. Delivered from our UK warehouse in 4 to 14 business days. THIS BOOK IS PRINTED ON DEMAND. Established seller since 2000.
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Thermodynamic Crystal Analysis
Idioma: Inglés
Publicado por LAP LAMBERT Academic Publishing, 2015
ISBN 10: 3659763764 ISBN 13: 9783659763762
Librería: moluna, Greven, Alemania
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 34,25
Envío por EUR 48,99
Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Añadir al carritoCondición: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Autor/Autorin: B. Dua ChuneshChunesh Bhalla Dua has worked as Faculty Applied Sciences in GJIET, Shambhu Kalan. She worked in various research projects in IISER, Mohali and Punjab State Council of Science and Technology. She earned her MS honors de.
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CMOS SRAM Design and analysis of low leakage and high speed SRAM cell
Idioma: Inglés
Publicado por LAP LAMBERT Academic Publishing, 2016
ISBN 10: 3659861111 ISBN 13: 9783659861116
Librería: Majestic Books, Hounslow, Reino Unido
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 85,27
Envío por EUR 7,53
Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 4 disponibles
Añadir al carritoCondición: New. Print on Demand.
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CMOS SRAM Design and analysis of low leakage and high speed SRAM cell
Idioma: Inglés
Publicado por LAP LAMBERT Academic Publishing, 2016
ISBN 10: 3659861111 ISBN 13: 9783659861116
Librería: moluna, Greven, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 45,45
Envío por EUR 48,99
Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Añadir al carritoCondición: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Autor/Autorin: Gupta RohinRohin Gupta is research scholar at GNDEC,Ludhiana and chairman of Brainiac Solutions firm (www.brainiacsolutions.in). Professor Sandeep Singh Gill is working as Professor and Head in ECE Department at GNDEC, Ludhiana.Navne.
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CMOS SRAM Design and analysis of low leakage and high speed SRAM cell
Idioma: Inglés
Publicado por LAP LAMBERT Academic Publishing, 2016
ISBN 10: 3659861111 ISBN 13: 9783659861116
Librería: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Alemania
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 87,07
Envío por EUR 9,95
Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 4 disponibles
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CMOS SRAM Diseño y análisis de celdas SRAM de baja fuga y alta velocidad
Idioma: Español
Publicado por Ediciones Nuestro Conocimiento Nov 2024, 2024
ISBN 10: 6208331994 ISBN 13: 9786208331993
Librería: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 54,90
Envío por EUR 23,00
Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 2 disponibles
Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware 88 pp. Spanisch.
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Thermodynamic Crystal Analysis
Idioma: Inglés
Publicado por LAP LAMBERT Academic Publishing Sep 2015, 2015
ISBN 10: 3659763764 ISBN 13: 9783659763762
Librería: buchversandmimpf2000, Emtmannsberg, BAYE, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 39,90
Envío por EUR 60,00
Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -In the present book, a comprehensive study of the crystals using various thermodynamic relations and equation of states has been done.This is a research oriented book helpful for the students of Crystallography and Material Study and for scientists, engineers and students who are working with empirical equations of state and thermodynamic approximations.In this work, the proper analysis of high pressure, high temperature properties of different crystals is done that can be used to acknowledge the research in different regions.This book gives a brief preview of various equations of state that can be used for calculations in various fields.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 76 pp. Englisch.
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Thermodynamic Crystal Analysis
Idioma: Inglés
Publicado por LAP LAMBERT Academic Publishing, 2015
ISBN 10: 3659763764 ISBN 13: 9783659763762
Librería: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 39,90
Envío por EUR 60,66
Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - In the present book, a comprehensive study of the crystals using various thermodynamic relations and equation of states has been done.This is a research oriented book helpful for the students of Crystallography and Material Study and for scientists, engineers and students who are working with empirical equations of state and thermodynamic approximations.In this work, the proper analysis of high pressure, high temperature properties of different crystals is done that can be used to acknowledge the research in different regions.This book gives a brief preview of various equations of state that can be used for calculations in various fields.
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CMOS SRAM Design and analysis of low leakage and high speed SRAM cell
Idioma: Inglés
Publicado por LAP LAMBERT Academic Publishing Apr 2016, 2016
ISBN 10: 3659861111 ISBN 13: 9783659861116
Librería: buchversandmimpf2000, Emtmannsberg, BAYE, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 54,90
Envío por EUR 60,00
Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -In this work The novel single ended 5T and 6T SRAM cell is presented. This transistor is high density cell or takes less area than conventional 6T SRAM cell. Leakage current of this cell is very low as compared to other 5T or conventional 6T cell. There is a requirement of precharge circuit for this cell as that in conventional 6T SRAM cell. This cell is also power efficient. Also results show that the data stored in this cell is highly stable.There is always scope of improvement in any type of circuit or application. With the proposed configuration we can improve it with various techniques. We can change aspect ratio of the cell for better results. We can apply clock gating for power efficient circuit. We can improve peripheral circuit for better performance.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 108 pp. Englisch.
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CMOS SRAM Design and analysis of low leakage and high speed SRAM cell
Idioma: Inglés
Publicado por LAP LAMBERT Academic Publishing, 2016
ISBN 10: 3659861111 ISBN 13: 9783659861116
Librería: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 54,90
Envío por EUR 60,90
Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - In this work The novel single ended 5T and 6T SRAM cell is presented. This transistor is high density cell or takes less area than conventional 6T SRAM cell. Leakage current of this cell is very low as compared to other 5T or conventional 6T cell. There is a requirement of precharge circuit for this cell as that in conventional 6T SRAM cell. This cell is also power efficient. Also results show that the data stored in this cell is highly stable.There is always scope of improvement in any type of circuit or application. With the proposed configuration we can improve it with various techniques. We can change aspect ratio of the cell for better results. We can apply clock gating for power efficient circuit. We can improve peripheral circuit for better performance.
