Marzouki ali (10 resultados)

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Editorial: Sahar-Publications de l'ENS, 2009
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Añadir al carritoBroché. Condición: Bon état. in-8 Description :Actes de colloque. 153 pp. Une pliure sur la couverture. Langue : Français Nb de volumes : 1.

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Librería: moluna, Greven, Alemaniamoluna
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Librería: preigu, Osnabrück, Alemaniapreigu
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Taschenbuch. Condición: Neu. Dopage de type p du ZnO | ZnO dopés à l'azote et à l'antimoine | Ali Marzouki | Taschenbuch | Englisch | 2011 | Éditions universitaires européennes | EAN 9786131584800 | Verantwortliche Person für die EU: preigu GmbH & Co. KG, Lengericher Landstr. 19, 49078 Osnabrück, mail[at]preigu[dot]de | Anbieter: preigu. …

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Idioma: Francés
Editorial: Éditions Universitaires Européennes Sep 2011, 2011
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Librería: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, AlemaniaBuchWeltWeit Ludwig Meier e.K.
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Taschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -L'objectif de cette thèse a été l'étude du dopage p dans les couches minces et les nano-fils de ZnO, élaborés par la technique MOCVD. Les échantillons ont été caractérisés par SIMS, MEB, TEM, RX, Raman, PL, effet Hall, I(V) et C(V). Les mesures électriques montrent que les couches dopées azote restent de type n même après avoir subi des traitements thermiques. Des signatures optiques des dopants sont néanmoins observées par photoluminescence et Raman : l'incorporation de l'azote se traduit par la présence des niveaux donneurs-accepteurs (DAP) observés par PL et des modes LVM en Raman. La bande DAP est sont beaucoup plus intense en dopant avec l'antimoine (Sb) qui s'incorpore facilement dans la matrice ZnO atteignant ainsi une concentration de l'ordre de 1020 at.cm-3. Nous avons réussi à réaliser des structures de diode ZnO:Sb/ZnO ayant les caractéristiques de jonction PN. 240 pp. Englisch. …

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Taschenbuch. Condición: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - L'objectif de cette thèse a été l'étude du dopage p dans les couches minces et les nano-fils de ZnO, élaborés par la technique MOCVD. Les échantillons ont été caractérisés par SIMS, MEB, TEM, RX, Raman, PL, effet Hall, I(V) et C(V). Les mesures électriques montrent que les couches dopées azote restent de type n même après avoir subi des traitements thermiques. Des signatures optiques des dopants sont néanmoins observées par photoluminescence et Raman : l'incorporation de l'azote se traduit par la présence des niveaux donneurs-accepteurs (DAP) observés par PL et des modes LVM en Raman. La bande DAP est sont beaucoup plus intense en dopant avec l'antimoine (Sb) qui s'incorpore facilement dans la matrice ZnO atteignant ainsi une concentration de l'ordre de 1020 at.cm-3. Nous avons réussi à réaliser des structures de diode ZnO:Sb/ZnO ayant les caractéristiques de jonction PN. …

Idioma: Francés
Editorial: Éditions Universitaires Européennes Sep 2011, 2011
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Librería: buchversandmimpf2000, Emtmannsberg, BAYE, Alemaniabuchversandmimpf2000
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EUR 59,00
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Taschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -L'objectif de cette thèse a été l'étude du dopage p dans les couches minces et les nano-fils de ZnO, élaborés par la technique MOCVD. Les échantillons ont été caractérisés par SIMS, MEB, TEM, RX, Raman, PL, effet Hall, I(V) et C(V). Les mesures électriques montrent que les couches dopées azote restent de type n même après avoir subi des traitements thermiques. Des signatures optiques des dopants sont néanmoins observées par photoluminescence et Raman : l¿incorporation de l¿azote se traduit par la présence des niveaux donneurs-accepteurs (DAP) observés par PL et des modes LVM en Raman. La bande DAP est sont beaucoup plus intense en dopant avec l'antimoine (Sb) qui s¿incorpore facilement dans la matrice ZnO atteignant ainsi une concentration de l¿ordre de 1020 at.cm-3. Nous avons réussi à réaliser des structures de diode ZnO:Sb/ZnO ayant les caractéristiques de jonction PN.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 240 pp. Englisch. …