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MATERIALS AND PHYSICS OF EMERGING NONVOLATILE MEMORIES
Idioma: Inglés
Publicado por Materials Research Society, 2012
ISBN 10: 1605114073 ISBN 13: 9781605114071
Librería: Basi6 International, Irving, TX, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 68,34
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Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 3 disponibles
Añadir al carritoCondición: Brand New. New. US edition. Expediting shipping for all USA and Europe orders excluding PO Box. Excellent Customer Service.
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Materials and Devices for End-of-Roadmap and Beyond CMOS Scaling: Volume 1252 (MRS Proceedings)
Idioma: Inglés
Publicado por Cambridge University Press, 2010
ISBN 10: 1605112291 ISBN 13: 9781605112299
Librería: Kennys Bookshop and Art Galleries Ltd., Galway, GY, Irlanda
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 135,09
Envío por EUR 10,50
Se envía de Irlanda a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Añadir al carritoCondición: New. The MRS Symposium Proceeding series is an internationally recognised reference suitable for researchers and practitioners. Editor(s): Ramanathan, Shriram; Guha, Supratik; Mannhart, Jochen; Kummel, Andrew C.; Watanabe, Heiji; Thayne, Iain; Majhi, Prashant; Bonafos, Caroline; Fujisaki, Yoshihisa; Dimitrakis, P. Series: MRS Proceedings. Num Pages: Illustrations. BIC Classification: TGM. Category: (U) Tertiary Education (US: College). Dimension: 228 x 152 x 15. Weight in Grams: 364. . 2010. hardcover. . . . .
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Materials and Physics for Novolatile Memories
Librería: Revaluation Books, Exeter, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 166,22
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Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 2 disponibles
Añadir al carritoHardcover. Condición: Brand New. 199 pages. 9.00x6.00x0.55 inches. In Stock.
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Materials and Devices for End-of-Roadmap and Beyond CMOS Scaling: Volume 1252 (MRS Proceedings)
Idioma: Inglés
Publicado por Cambridge University Press, 2010
ISBN 10: 1605112291 ISBN 13: 9781605112299
Librería: Kennys Bookstore, Olney, MD, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 172,36
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Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Añadir al carritoCondición: New. The MRS Symposium Proceeding series is an internationally recognised reference suitable for researchers and practitioners. Editor(s): Ramanathan, Shriram; Guha, Supratik; Mannhart, Jochen; Kummel, Andrew C.; Watanabe, Heiji; Thayne, Iain; Majhi, Prashant; Bonafos, Caroline; Fujisaki, Yoshihisa; Dimitrakis, P. Series: MRS Proceedings. Num Pages: Illustrations. BIC Classification: TGM. Category: (U) Tertiary Education (US: College). Dimension: 228 x 152 x 15. Weight in Grams: 364. . 2010. hardcover. . . . . Books ship from the US and Ireland.
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Materials and Physics for Nonvolatile Memories II: Spring 2010, April 5-9, San Francisco, California, U.s.a.
Librería: Revaluation Books, Exeter, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 176,30
Envío por EUR 14,48
Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 2 disponibles
Añadir al carritoHardcover. Condición: Brand New. 255 pages. 9.00x6.25x0.75 inches. In Stock.
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Materials and Devices for End-of-Roadmap and Beyond CMOS Scaling
Idioma: Inglés
Publicado por Cambridge University Press, 2010
ISBN 10: 1605112291 ISBN 13: 9781605112299
Librería: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 155,64
Envío por EUR 61,98
Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritoBuch. Condición: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This proceedings volume contains papers presented at Symposium I, 'Materials for End-of-Roadmap Scaling of CMOS Devices', and Symposium J, 'Materials and Devices for Beyond CMOS Scaling', held April 5-9 at the 2010 MRS Spring Meeting in San Francisco, California. These symposia attracted 106 presentations, of which twenty-two were invited. Historically, scaling in Si CMOS was primarily led by lithography. In the last decade, this situation has been completely revolutionized with the introduction of the likes of copper interconnects, high-k gate dielectrics, metal gates, and strained silicon to meet the demands of the International Technology Roadmap for Semiconductors as the technology generations were reduced beyond 45 nm. As we look towards the end of the roadmap and beyond, the proliferation of potential solutions to meet the necessary performance challenges becomes truly staggering, and has motivated an exponential increase in research in a wide range of emerging materials and devices architectures.
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Materials and Physics for Novolatile Memories
Librería: Revaluation Books, Exeter, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 128,37
Envío por EUR 11,59
Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritoHardcover. Condición: Brand New. 199 pages. 9.00x6.00x0.55 inches. In Stock. This item is printed on demand.
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Materials and Physics for Nonvolatile Memories II: Spring 2010, April 5-9, San Francisco, California, U.s.a.
Librería: Revaluation Books, Exeter, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 135,74
Envío por EUR 14,48
Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritoHardcover. Condición: Brand New. 255 pages. 9.00x6.25x0.75 inches. In Stock. This item is printed on demand.
