Arora narain d d (16 resultados)
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Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2012
- Tapa blanda
Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de AmericaGreatBookPrices
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EUR 127,10
Envío por EUR 2,32Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 15 disponibles
Condición: As New. Unread book in perfect condition.
Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2012
- Tapa blanda
Librería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino UnidoRia Christie Collections
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EUR 116,84
Envío por EUR 14,03Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Condición: New. In.
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Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2012
- Tapa blanda
Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de AmericaGreatBookPrices
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EUR 132,32
Envío por EUR 2,32Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 15 disponibles
Condición: New.
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Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2012
- Tapa blanda
Librería: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Reino UnidoGreatBookPricesUK
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EUR 116,83
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Condición: New.
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Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2012
- Tapa blanda
Librería: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Reino UnidoGreatBookPricesUK
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EUR 130,19
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Condición: As New. Unread book in perfect condition.
Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2012
- Tapa blanda
Librería: Books Puddle, New York, NY, Estados Unidos de AmericaBooks Puddle
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EUR 152,53
Envío por EUR 3,51Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 4 disponibles
Condición: New. pp. 632.
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Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2012
- Tapa blanda
Librería: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, AlemaniaAHA-BUCH GmbH
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EUR 116,27
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Taschenbuch. Condición: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Metal Oxide Semiconductor (MOS) transistors are the basic building block ofMOS integrated circuits (I C). Very Large Scale Integrated (VLSI) circuits using MOS technology have emerged as the dominant technology in the semiconductor industry. Over t…he past decade, the complexity of MOS IC's has increased at an astonishing rate. This is realized mainly through the reduction of MOS transistor dimensions in addition to the improvements in processing. Today VLSI circuits with over 3 million transistors on a chip, with effective or electrical channel lengths of 0. 5 microns, are in volume production. Designing such complex chips is virtually impossible without simulation tools which help to predict circuit behavior before actual circuits are fabricated. However, the utility of simulators as a tool for the design and analysis of circuits depends on the adequacy of the device models used in the simulator. This problem is further aggravated by the technology trend towards smaller and smaller device dimensions which increases the complexity of the models. There is extensive literature available on modeling these short channel devices. However, there is a lot of confusion too. Often it is not clear what model to use and which model parameter values are important and how to determine them. After working over 15 years in the field of semiconductor device modeling, I have felt the need for a book which can fill the gap between the theory and the practice of MOS transistor modeling. This book is an attempt in that direction.
Idioma: Inglés
Editorial: Springer-Verlag KG, 1993
- Tapa dura
Librería: Buchpark, Trebbin, AlemaniaBuchpark
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EUR 234,78
Envío por EUR 105,00Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 3 disponibles
Condición: Gut. Zustand: Gut | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | Keine Beschreibung verfügbar.
Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2012
- Tapa blanda
- Impresión bajo demanda
Librería: Basi6 International, Irving, TX, Estados Unidos de AmericaBasi6 International
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EUR 100,68
Gastos de envío gratisSe envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 10 disponibles
Condición: Brand New. New. US edition. Print on demand title. Delivery takes 20-25 days. Excellent Customer Service.
Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2012
- Tapa blanda
- Impresión bajo demanda
Librería: Brook Bookstore On Demand, Napoli, NA, ItaliaBrook Bookstore On Demand
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EUR 86,24
Envío por EUR 11,00Se envía de Italia a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Condición: new. Questo è un articolo print on demand.
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Idioma: Inglés
Editorial: Springer Vienna Jan 2012, 2012
- Tapa blanda
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Librería: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, AlemaniaBuchWeltWeit Ludwig Meier e.K.
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EUR 106,99
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Taschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Metal Oxide Semiconductor (MOS) transistors are the basic building block ofMOS integrated circuits (I C). Very Large Scale Integrated (VLSI) circuits using MOS technology have emerged as the dominant technology in the semiconductor…industry. Over the past decade, the complexity of MOS IC's has increased at an astonishing rate. This is realized mainly through the reduction of MOS transistor dimensions in addition to the improvements in processing. Today VLSI circuits with over 3 million transistors on a chip, with effective or electrical channel lengths of 0. 5 microns, are in volume production. Designing such complex chips is virtually impossible without simulation tools which help to predict circuit behavior before actual circuits are fabricated. However, the utility of simulators as a tool for the design and analysis of circuits depends on the adequacy of the device models used in the simulator. This problem is further aggravated by the technology trend towards smaller and smaller device dimensions which increases the complexity of the models. There is extensive literature available on modeling these short channel devices. However, there is a lot of confusion too. Often it is not clear what model to use and which model parameter values are important and how to determine them. After working over 15 years in the field of semiconductor device modeling, I have felt the need for a book which can fill the gap between the theory and the practice of MOS transistor modeling. This book is an attempt in that direction. 632 pp. Englisch.
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Idioma: Inglés
Editorial: Springer Vienna, 2012
- Tapa blanda
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Librería: moluna, Greven, Alemaniamoluna
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EUR 92,27
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Condición: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Metal Oxide Semiconductor (MOS) transistors are the basic building block ofMOS integrated circuits (I C). Very Large Scale Integrated (VLSI) circuits using MOS technology have emerged as the dominant technology in the… semiconductor industry. Over the past d.
Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2012
- Tapa blanda
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Librería: Majestic Books, Hounslow, Reino UnidoMajestic Books
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EUR 156,02
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Condición: New. Print on Demand pp. 632 270 Figures, 67:B&W 6.69 x 9.61 in or 244 x 170 mm (Pinched Crown) Perfect Bound on White w/Gloss Lam.
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Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2012
- Tapa blanda
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Librería: preigu, Osnabrück, Alemaniapreigu
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EUR 95,70
Envío por EUR 70,00Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 5 disponibles
Taschenbuch. Condición: Neu. MOSFET Models for VLSI Circuit Simulation | Theory and Practice | Narain D. Arora | Taschenbuch | Computational Microelectronics | xxii | Englisch | 2012 | Springer | EAN 9783709192498 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann…[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu Print on Demand.
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Idioma: Inglés
Editorial: Springer, Springer Jan 2012, 2012
- Tapa blanda
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Librería: buchversandmimpf2000, Emtmannsberg, BAYE, Alemaniabuchversandmimpf2000
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EUR 106,99
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Taschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Metal Oxide Semiconductor (MOS) transistors are the basic building block ofMOS integrated circuits (I C). Very Large Scale Integrated (VLSI) circuits using MOS technology have emerged as the dominant technology in the semiconductor indu…stry. Over the past decade, the complexity of MOS IC's has increased at an astonishing rate. This is realized mainly through the reduction of MOS transistor dimensions in addition to the improvements in processing. Today VLSI circuits with over 3 million transistors on a chip, with effective or electrical channel lengths of 0. 5 microns, are in volume production. Designing such complex chips is virtually impossible without simulation tools which help to predict circuit behavior before actual circuits are fabricated. However, the utility of simulators as a tool for the design and analysis of circuits depends on the adequacy of the device models used in the simulator. This problem is further aggravated by the technology trend towards smaller and smaller device dimensions which increases the complexity of the models. There is extensive literature available on modeling these short channel devices. However, there is a lot of confusion too. Often it is not clear what model to use and which model parameter values are important and how to determine them. After working over 15 years in the field of semiconductor device modeling, I have felt the need for a book which can fill the gap between the theory and the practice of MOS transistor modeling. This book is an attempt in that direction.Springer-Verlag KG, Sachsenplatz 4-6, 1201 Wien 632 pp. Englisch.
Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2012
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Librería: Biblios, frankfurt am main, HESSE, AlemaniaBiblios
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EUR 158,48
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Condición: New. PRINT ON DEMAND pp. 632.
