Two dimensional systems physics new (11 resultados)

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    Idioma: Inglés

    Editorial: Berlin, Springer, 1986

    354016748X / 9783540167488

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    Hardcover. Ex-library in GOOD condition with library-signature and stamp(s). Some traces of use. Ehem. Bibliotheksexemplar mit Signatur und Stempel. GUTER Zustand, ein paar Gebrauchsspuren. R-17181 354016748X Sprache: Englisch Gewicht in Gramm: 550.

  • Idioma: Inglés

    Editorial: Springer 2013-07, 2013

    3662024721 / 9783662024720

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  • Idioma: Inglés

    Editorial: Springer, 2013

    3662024721 / 9783662024720

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    Editorial: Springer Berlin Heidelberg, 2013

    3662024721 / 9783662024720

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    Editorial: Springer, 2013

    3662024721 / 9783662024720

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  • Idioma: Inglés

    Editorial: Springer, 2013

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  • Editorial: Springer-Verlag (1986), Berlin / Heidelberg, 1986

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    orig.boards Minor rubbing, slight binding corner bumps, VG. Textual graphs & tables 23x15cm, x,327 pp, Series: Springer Series in Solid-Sate Sciences, 67. Contains 30 papers [all in English] concerning Epitaxial Growth: Methods & Characterization; Band Discontinuities; Resonant Tunnelling, Multi-Quantum-Well & Superlattice Struc

  • Idioma: Inglés

    Editorial: Springer, 2013

    3662024721 / 9783662024720

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    Editorial: Springer, 2013

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    Idioma: Inglés

    Editorial: Springer Berlin Heidelberg Jul 2013, 2013

    3662024721 / 9783662024720

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    Taschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -In the series of International Winter Schools on New Developments in Solid State Physics, the fourth one was devoted to the subject: 'Two Dimensional Systems: Physics and Devices'. For the second time the pro ceedings of one of thes

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    Editorial: Springer, Springer Jul 2013, 2013

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    Taschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -I Epitaxial Growth: Methods and Characterization.- New Epitaxial Growth Methods and Their Application to Quantum Wells and 2DEG Structures.- Metalorganic MBE - A New Technique for the Growth of III-V Semiconductor Layers.- Recent Develo