Transport electronic properties (59 resultados)
Editorial: J Applied Physics, 1972
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Editorial: Springer Verlag
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FIRST-PRINCIPLES CALCULATIONS IN REAL-SPACE FORMALISM: ELECTRONIC CONFIGURATIONS AND TRANSPORT PROPERTIES OF NANOSTRUCTURES
Hirose, Kikuji; Ono, Tomoya; Fujimoto, Yoshitaka; Tsukamoto, Shigeru
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Paperback. Condición: Brand New. 447 pages. 9.06x6.06x1.02 inches. In Stock.
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Taschenbuch. Condición: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - The research on graphite intercalation compounds often acts as a forerunner for research in other sciences. For instance, the concept of staging, which is fundamental to graphite intercalation compounds, is also relevant to surface science in conne…ction with adsorbates on metal surfaces and to high-temperature superconducting oxide layer materials. Phonon-folding and mode-splitting effects are not only basic to graphite intercalation compounds but also to polytypical systems such as supercon ductors, superlattices, and metal and semiconductor superlattices. Charge transfer effects playa tremendously important role in many areas, and they can be most easily and fundamentally studied with intercalated graphite. This list could be augmented with many more examples. The important message, however, is that graphite inter calation compounds represent a class of materials that not only can be used for testing a variety of condensed-matter concepts, but also stimulates new ideas and approaches. This volume is the second of a two-volume set. The first volume addressed the structural and dynamical aspects of graphite intercalation compounds, together with the chemistry and intercalation of new compounds. This second volume provides an up-to-date status report from expert researchers on the transport, magnetic, elec tronic and optical properties ofthis unique class of materials. The band-structure cal culations of the various donor and acceptor compounds are discussed in depth, and detailed reviews are provided ofthe experimental verification ofthe electronic struc ture in terms of their photoemission spectra and optical properties.
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Taschenbuch. Condición: Neu. Thermodynamic and Transport Properties of Thermal Plasmas | Temperature and Pressure Dependence of Electronic Excitation | Gurpreet Singh | Taschenbuch | 168 S. | Englisch | 2018 | LAP LAMBERT Academic Publishing | EAN 9786139903603 | Verantwortliche Person für die EU: BoD - Books on Demand, In de Ta…rpen 42, 22848 Norderstedt, info[at]bod[dot]de | Anbieter: preigu.
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Paperback. Condición: Brand New. 168 pages. 8.66x5.91x0.38 inches. In Stock.
First-Principles Calculations In Real-Space Formalism: Electronic Configurations And Transport Properties Of Nanostructures
Hirose, Kikuji, Ono, Tomoya, Fujimoto, Yoshitaka, Tsukamoto,
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Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2016
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Condición: New. 600 1st ed. 2016 edition NO-PA02APR2015-KAP.
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Condición: Sehr gut. Zustand: Sehr gut | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | Dissertation Discovery Company and University of Florida are dedicated to making scholarly works more discoverable and accessible throughout the world. This dissertation, "Electronic Optical and Transport Properties of Widegap II-VI Semiconductors"… by Jianzhong Li, was obtained from University of Florida and is being sold with permission from the author. A digital copy of this work may also be found in the university's institutional repository, IR@UF. The content of this dissertation has not been altered in any way. We have altered the formatting in order to facilitate the ease of printing and reading of the dissertation.
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Condición: Hervorragend. Zustand: Hervorragend | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | Dissertation Discovery Company and University of Florida are dedicated to making scholarly works more discoverable and accessible throughout the world. This dissertation, "Electronic Optical and Transport Properties of Widegap II-VI Semicon…ductors" by Jianzhong Li, was obtained from University of Florida and is being sold with permission from the author. A digital copy of this work may also be found in the university's institutional repository, IR@UF. The content of this dissertation has not been altered in any way. We have altered the formatting in order to facilitate the ease of printing and reading of the dissertation.
Idioma: Inglés
Editorial: Springer International Publishing, 2016
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Gebundene Ausgabe. Condición: Neu. Neu neuware, importqualität, auf lager - This textbook is aimed at second-year graduate students in Physics, Electrical Engineer ing, or Materials Science. It presents a rigorous introduction to electronic transport in solids, especially at the nanometer scale. Understanding electronic transpor…t in solids requires some basic knowledge of Ham iltonian Classical Mechanics, Quantum Mechanics, Condensed Matter Theory, and Statistical Mechanics. Hence, this book discusses those sub-topics which are required to deal with electronic transport in a single, self-contained course. This will be useful for students who intend to work in academia or the nano/ micro-electronics industry. Further topics covered include: the theory of energy bands in crystals, of second quan tization and elementary excitations in solids, of the dielectric properties of semicon ductors with an emphasis on dielectric screening and coupled interfacial modes, of electron scattering with phonons, plasmons, electrons and photons, of the derivation of transport equations in semiconductors and semiconductor nanostructures somewhat at the quantum level, but mainly at the semi-classical level. The text presents examples relevant to current research, thus not only about Si, but also about III-V compound semiconductors, nanowires, graphene and graphene nanoribbons. In particular, the text gives major emphasis to plane-wave methods applied to the electronic structure of solids, both DFT and empirical pseudopotentials, always paying attention to their effects on electronic transport and its numerical treatment. The core of the text is electronic transport, with ample discussions of the transport equations derived both in the quantum picture (the Liouville-von Neumann equation) and semi-classically (the Boltzmann transport equation, BTE). An advanced chapter, Chapter 18, is strictly related to the 'tricky' transition from the time-reversible Liouville-von Neumann equation to the time-irreversible Green's functions, to the density-matrix formalism and, classically, to the Boltzmann transport equation. Finally, several methods for solving the BTE are also reviewed, including the method of moments, iterative methods, direct matrix inversion, Cellular Automata and Monte Carlo. Four appendices complete the text.
Advanced Physics of Electron Transport in Semiconductors and Nanostructures: Electronic Properties and Transport
Fischetti, Massimo V. (Author)/ Vandenberghe, William G. (Author)
Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2016
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Condición: Sehr gut. Zustand: Sehr gut | Seiten: 447 | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | Keine Beschreibung verfügbar.
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Idioma: Inglés
Editorial: Springer-Verlag Berlin and Heidelberg GmbH & Co. KG, Berlin, 2002
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Hardcover. Condición: new. Hardcover. Vols. III/17a-i and III/22a,b (supplement) on semiconductor physics and technology have been published earlier, the latter covering new data on the technologically important group IV elements, IV-IV and III-V compounds only. The wealth of further data from the last decade is now being critic…ally evaluated by over 30 well-known experts in the field of semiconductors. To meet the demands of today's scientists and to offer a complete overview on semiconductor data all data available so far are published in the following way: a series of eight subvolumes cover only the supplementary data to vols. III/17 and 22. Enclosed to each subvolume, a CD-ROM contains a complete, revised and update edition of all relevant data. For each individual substance the information is presented in userfriendly documents, containing numerical data, figures and references. Easy access to the documents is provided via substance and property keywords, listing and full text retrieval. To meet the demands of today's scientists and to offer a complete overview on semiconductor data all data available so far are published in the following way: a series of eight subvolumes cover only the supplementary data to vols. Shipping may be from multiple locations in the US or from the UK, depending on stock availability.
