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Gain-Cell Embedded Drams for Low-Power VLSI Systems-On-Chip
Librería: ThriftBooks-Atlanta, AUSTELL, GA, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 45,48
Gratis gastos de envío en Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
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Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip
Librería: Lucky's Textbooks, Dallas, TX, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 103,44
EUR 3,44 gastos de envío en Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
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Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip
Librería: Lucky's Textbooks, Dallas, TX, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 112,29
EUR 3,44 gastos de envío en Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
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Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip
Librería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 109,98
EUR 13,59 gastos de envío desde Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
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Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip
Librería: California Books, Miami, FL, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 127,92
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Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip
Librería: Books Puddle, New York, NY, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 126,37
EUR 3,44 gastos de envío en Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 4 disponibles
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Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip
Librería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 121,66
EUR 13,59 gastos de envío desde Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
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Gain- Cell Embedded Drams for Low-power Vlsi Systems-on-chip
Librería: Revaluation Books, Exeter, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 152,46
EUR 11,34 gastos de envío desde Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 2 disponibles
Añadir al carritoHardcover. Condición: Brand New. 146 pages. 9.25x6.25x0.50 inches. In Stock.
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Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip
Librería: Books Puddle, New York, NY, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 168,70
EUR 3,44 gastos de envío en Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 4 disponibles
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Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip
Publicado por Springer International Publishing, Springer Nature Switzerland Jul 2017, 2017
ISBN 10: 3319604015 ISBN 13: 9783319604015
Idioma: Inglés
Librería: buchversandmimpf2000, Emtmannsberg, BAYE, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 106,99
EUR 60,00 gastos de envío desde Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 2 disponibles
Añadir al carritoBuch. Condición: Neu. Neuware -This book pioneers the field of gain-cell embedded DRAM (GC-eDRAM) design for low-power VLSI systems-on-chip (SoCs). Novel GC-eDRAMs are specifically designed and optimized for a range of low-power VLSI SoCs, ranging from ultra-low power to power-aware high-performance applications. After a detailed review of prior-art GC-eDRAMs, an analytical retention time distribution model is introduced and validated by silicon measurements, which is key for low-power GC-eDRAM design. The book then investigates supply voltage scaling and near-threshold voltage (NTV) operation of a conventional gain cell (GC), before presenting novel GC circuit and assist techniques for NTV operation, including a 3-transistor full transmission-gate write port, reverse body biasing (RBB), and a replica technique for optimum refresh timing. Next, conventional GC bitcells are evaluated under aggressive technology and voltage scaling (down to the subthreshold domain), before novel bitcells for aggressively scaled CMOS nodes and soft-error tolerance as presented, including a 4-transistor GC with partial internal feedback and a 4-transistor GC with built-in redundancy.Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg 156 pp. Englisch.
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Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip
Publicado por Springer International Publishing, 2017
ISBN 10: 3319604015 ISBN 13: 9783319604015
Idioma: Inglés
Librería: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 106,99
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Añadir al carritoBuch. Condición: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book pioneers the field of gain-cell embedded DRAM (GC-eDRAM) design for low-power VLSI systems-on-chip (SoCs). Novel GC-eDRAMs are specifically designed and optimized for a range of low-power VLSI SoCs, ranging from ultra-low power to power-aware high-performance applications. After a detailed review of prior-art GC-eDRAMs, an analytical retention time distribution model is introduced and validated by silicon measurements, which is key for low-power GC-eDRAM design. The book then investigates supply voltage scaling and near-threshold voltage (NTV) operation of a conventional gain cell (GC), before presenting novel GC circuit and assist techniques for NTV operation, including a 3-transistor full transmission-gate write port, reverse body biasing (RBB), and a replica technique for optimum refresh timing. Next, conventional GC bitcells are evaluated under aggressive technology and voltage scaling (down to the subthreshold domain), before novel bitcells for aggressively scaled CMOS nodes and soft-error tolerance as presented, including a 4-transistor GC with partial internal feedback and a 4-transistor GC with built-in redundancy.
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Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip
Publicado por Springer International Publishing, Springer International Publishing Mai 2018, 2018
ISBN 10: 3319868551 ISBN 13: 9783319868554
Idioma: Inglés
Librería: buchversandmimpf2000, Emtmannsberg, BAYE, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 117,69
EUR 60,00 gastos de envío desde Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 2 disponibles
Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. Neuware Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg 156 pp. Englisch.
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Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip
Publicado por Springer International Publishing, Springer International Publishing, 2018
ISBN 10: 3319868551 ISBN 13: 9783319868554
Idioma: Inglés
Librería: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 117,69
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Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book pioneers the field of gain-cell embedded DRAM (GC-eDRAM) design for low-power VLSI systems-on-chip (SoCs). Novel GC-eDRAMs are specifically designed and optimized for a range of low-power VLSI SoCs, ranging from ultra-low power to power-aware high-performance applications. After a detailed review of prior-art GC-eDRAMs, an analytical retention time distribution model is introduced and validated by silicon measurements, which is key for low-power GC-eDRAM design. The book then investigates supply voltage scaling and near-threshold voltage (NTV) operation of a conventional gain cell (GC), before presenting novel GC circuit and assist techniques for NTV operation, including a 3-transistor full transmission-gate write port, reverse body biasing (RBB), and a replica technique for optimum refresh timing. Next, conventional GC bitcells are evaluated under aggressive technology and voltage scaling (down to the subthreshold domain), before novel bitcells for aggressively scaled CMOS nodes and soft-error tolerance as presented, including a 4-transistor GC with partial internal feedback and a 4-transistor GC with built-in redundancy.
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Gain-cell Embedded Drams for Low-power Vlsi Systems-on-chip
Librería: Revaluation Books, Exeter, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 163,98
EUR 22,69 gastos de envío desde Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 2 disponibles
Añadir al carritoPaperback. Condición: Brand New. reprint edition. 146 pages. 9.25x6.10x0.36 inches. In Stock.
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Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip
Publicado por Springer International Publishing Jul 2017, 2017
ISBN 10: 3319604015 ISBN 13: 9783319604015
Idioma: Inglés
Librería: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, Alemania
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EUR 106,99
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Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip
Librería: Majestic Books, Hounslow, Reino Unido
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EUR 7,37 gastos de envío desde Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 4 disponibles
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Gain- Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip
Publicado por Springer International Publishing, 2017
ISBN 10: 3319604015 ISBN 13: 9783319604015
Idioma: Inglés
Librería: moluna, Greven, Alemania
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 89,99
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Añadir al carritoGebunden. Condición: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Provides novel gain-cell embedded DRAM (GC-eDRAM) designs for various low-power VLSI SoC applicationsModels the statistical retention time distribution of GC-eDRAM and validates the model by silicon measurementsDescribes various memory op.
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Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip
Publicado por Springer International Publishing Mai 2018, 2018
ISBN 10: 3319868551 ISBN 13: 9783319868554
Idioma: Inglés
Librería: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 117,69
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Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip
Librería: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Alemania
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EUR 134,27
EUR 9,95 gastos de envío desde Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 4 disponibles
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Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip
Publicado por Springer International Publishing, 2018
ISBN 10: 3319868551 ISBN 13: 9783319868554
Idioma: Inglés
Librería: moluna, Greven, Alemania
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 98,54
EUR 48,99 gastos de envío desde Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
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Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip
Publicado por Springer Nature Switzerland, 2017
ISBN 10: 3319604015 ISBN 13: 9783319604015
Idioma: Inglés
Librería: preigu, Osnabrück, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 93,20
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Añadir al carritoBuch. Condición: Neu. Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip | Pascal Meinerzhagen (u. a.) | Buch | ix | Englisch | 2017 | Springer Nature Switzerland | EAN 9783319604015 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu Print on Demand.
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Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip
Librería: Majestic Books, Hounslow, Reino Unido
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 170,10
EUR 7,37 gastos de envío desde Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 4 disponibles
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Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip
Librería: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 175,16
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