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Junction Field-Effect Transistors
Librería: Ammareal, Morangis, Francia
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 3,86
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Añadir al carritoHardcover. Condición: Bon. Ancien livre de bibliothèque. Légères traces d'usure sur la couverture. Couverture différente. Ammareal reverse jusqu'à 15% du prix net de cet article à des organisations caritatives. ENGLISH DESCRIPTION Book Condition: Used, Good. Former library book. Slight signs of wear on the cover. Different cover. Ammareal gives back up to 15% of this item's net price to charity organizations.
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Designing with Field Effect Transistors
Librería: Better World Books Ltd, Dunfermline, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 5,38
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Polymeric Field Effect Transistors: The thesis deals with use of polymer transistor to study injection barriers and donor acceptor interfaces
Publicado por LAP LAMBERT Academic Publishing, 2010
ISBN 10: 3843369402 ISBN 13: 9783843369404
Idioma: Inglés
Librería: BoundlessBookstore, Wallingford, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 3,54
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Designing With Field Effect Transistors
Librería: Anybook.com, Lincoln, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 7,97
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Añadir al carritoCondición: Good. This is an ex-library book and may have the usual library/used-book markings inside.This book has hardback covers. In good all round condition. No dust jacket. Please note the Image in this listing is a stock photo and may not match the covers of the actual item,650grams, ISBN:9780070575370.
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Field-Effect Transistors
Publicado por McGraw-Hill, 1965
Librería: Anybook.com, Lincoln, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 6,88
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Añadir al carritoCondición: Good. This is an ex-library book and may have the usual library/used-book markings inside.This book has hardback covers. Clean from markings. In good all round condition. No dust jacket. Please note the Image in this listing is a stock photo and may not match the covers of the actual item,700grams, ISBN:
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Transistors Small Signal Field Effect Power
Publicado por National Semiconductor Corporation
Librería: ThriftBooks-Dallas, Dallas, TX, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 14,29
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Añadir al carritoPaperback. Condición: Good. No Jacket. Pages can have notes/highlighting. Spine may show signs of wear. ~ ThriftBooks: Read More, Spend Less 0.6.
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Modeling Nanowire and Double-Gate Junctionless Field-Effect Transistors
Publicado por Cambridge University Press, 2018
ISBN 10: 1107162041 ISBN 13: 9781107162044
Idioma: Inglés
Librería: Prior Books Ltd, Cheltenham, Reino Unido
Miembro de asociación: ABA ILAB PBFA
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
Original o primera edición
EUR 8,82
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Añadir al carritoHardcover. Condición: Like New. First Edition. Firm, square and tight with sharp corners and sturdy hinges, just showing a few minor bumps and some mild cosmetic wear. Hence a non-text page is stamped 'damaged'. Despite such this book is in nearly new condition. Thus the contents are crisp, fresh and clean. Offered for sale at a very sensible price.
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Cross-linked Polymers as Dielectrics for Organic Field-effect Transistors
Librería: Rarewaves.com UK, London, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 22,66
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Añadir al carritoPaperback. Condición: New.
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Nanowelded Carbon Nanotubes. From Field-Effect Transistors to Solar Microcells.
Librería: Universitätsbuchhandlung Herta Hold GmbH, Berlin, Alemania
Miembro de asociación: GIAQ ILAB VDA
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 15,00
Convertir monedaEUR 10,00 gastos de envío desde Alemania a EspañaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carrito69 Fig., XIII, 105 p. Hardcover. Versand aus Deutschland / We dispatch from Germany via Air Mail. Einband bestoßen, daher Mängelexemplar gestempelt, sonst sehr guter Zustand. Imperfect copy due to slightly bumped cover, apart from this in very good condition. Stamped. Stamped. NanoScience and Technology Sprache: Englisch.
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A. B. C.'s of Field Effect Transistors
Librería: Beach Hut Books, Lingfield, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 14,18
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Añadir al carritoHardcover. Condición: Very Good. Estado de la sobrecubierta: Very Good. Dustwrapper is protected by a layer of clear, non adhesive plastic.
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Microwave Field-Effect Transistors: Theory, Design and Applications
Librería: ThriftBooks-Atlanta, AUSTELL, GA, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 14,20
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Añadir al carritoHardcover. Condición: Good. No Jacket. Former library book; Missing dust jacket; Pages can have notes/highlighting. Spine may show signs of wear. ~ ThriftBooks: Read More, Spend Less 2.85.
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Field-Effect Transistors
Librería: Anybook.com, Lincoln, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 22,10
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Añadir al carritoCondición: Good. This is an ex-library book and may have the usual library/used-book markings inside.This book has hardback covers. Clean from markings. In good all round condition. No dust jacket. Re-bound by library. Please note the Image in this listing is a stock photo and may not match the covers of the actual item,450grams, ISBN:0901232424.
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Mosfet in Circuit Design: Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors for Discrete and Integrated-circuit Technology
Publicado por McGraw-Hill Book Co., New York
Librería: ThriftBooks-Dallas, Dallas, TX, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 23,10
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Añadir al carritoHardcover. Condición: Very Good. No Jacket. May have limited writing in cover pages. Pages are unmarked. ~ ThriftBooks: Read More, Spend Less 1.3.
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Mosfet in Circuit Design: Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors for Discrete and Integrated-circuit Technology
Publicado por McGraw-Hill Book Co., New York
Librería: ThriftBooks-Atlanta, AUSTELL, GA, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 23,10
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Añadir al carritoHardcover. Condición: Fair. No Jacket. Readable copy. Pages may have considerable notes/highlighting. ~ ThriftBooks: Read More, Spend Less 1.35.
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Development and Investigation of Novel Logic-in-Memory and Nonvolatile Logic Circuits Utilizing Hafnium Oxide-Based Ferroelectric Field-Effect Transistors
Librería: Buchpark, Trebbin, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 20,99
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Añadir al carritoCondición: Hervorragend. Zustand: Hervorragend | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher.
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Modeling Nanowire and Double-Gate Junctionless Field-Effect Transistors
Publicado por Cambridge University Press, 2018
ISBN 10: 1107162041 ISBN 13: 9781107162044
Idioma: Inglés
Librería: AMM Books, Gillingham, KENT, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 29,52
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Añadir al carritoHardcover. Condición: Very Good. Unread. In stock ready to dispatch from the UK.
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Microwave Field-Effect Transistors: Theory, Design and Applications (Electronic Devices and Systems Research Studies)
Publicado por Horizon Pubs & Distributors Inc, 1982
ISBN 10: 0471102083 ISBN 13: 9780471102083
Idioma: Inglés
Librería: ThriftBooks-Dallas, Dallas, TX, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 28,43
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Modulation-doped Field-effect Transistors: Applications And Circuits
Librería: Majestic Books, Hounslow, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 29,95
Convertir monedaEUR 10,15 gastos de envío desde Reino Unido a EspañaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritoCondición: New. pp. 455.
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Field-effect transistors (Texas Instruments electronics series)
Publicado por McGraw-Hill
Librería: ThriftBooks-Atlanta, AUSTELL, GA, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 27,04
Convertir monedaEUR 8,42 gastos de envío desde Estados Unidos de America a EspañaCantidad disponible: 1 disponibles
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Theory and applications of field-effect transistors
Librería: Phatpocket Limited, Waltham Abbey, HERTS, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 36,68
Convertir monedaEUR 4,51 gastos de envío desde Reino Unido a EspañaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritoCondición: Good. Your purchase helps support Sri Lankan Children's Charity 'The Rainbow Centre'. Ex-library, so some stamps and wear, but in good overall condition. Our donations to The Rainbow Centre have helped provide an education and a safe haven to hundreds of children who live in appalling conditions.
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Modulation-Doped Field-Effect Transistors: Principles, Design and Technology
Publicado por IEEE Publications,U.S., 1990
ISBN 10: 0879422556 ISBN 13: 9780879422554
Idioma: Inglés
Librería: Buchpark, Trebbin, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 25,39
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Añadir al carritoCondición: Sehr gut. Zustand: Sehr gut | Seiten: 516 | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher.
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FET (Field-Effect Transistors) Applications Handbook
Librería: ThriftBooks-Atlanta, AUSTELL, GA, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 34,98
Convertir monedaEUR 7,13 gastos de envío desde Estados Unidos de America a EspañaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritoHardcover. Condición: Good. No Jacket. Missing dust jacket; Pages can have notes/highlighting. Spine may show signs of wear. ~ ThriftBooks: Read More, Spend Less 1.1.
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MOS Field-Effect Transistors and Integrated Circuits
Publicado por Wiley & Sons, Incorporated, John, 1973
ISBN 10: 0471720305 ISBN 13: 9780471720300
Idioma: Inglés
Librería: Better World Books, Mishawaka, IN, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
Original o primera edición
EUR 25,91
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Añadir al carritoCondición: Good. First Edition. Used book that is in clean, average condition without any missing pages.
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Reliability of high-k / metal gate field-effect transistors considering circuit operational constraints
Librería: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 29,99
Convertir monedaEUR 11,99 gastos de envío desde Alemania a EspañaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - After many decades, the scaling of silicon dioxide based field-effect transistors has reached insurmountable physical limits due unintentional high gate leakage currents for gate oxide thicknesses below 2 nm. The introduction of high-k metal gate stacks guaranteed the trend towards smaller transistor dimensions. The implementation of HfO2, as high-k dielectric, also lead to a substantial number of manufacturing and reliability challenges. The deterioration of the gate oxide properties under thermal and electric stress jeopardizes the circuit operation and hence needs to be comprehensively understood.As a starting point, 6T static random access memory cells were used to identify the different single device operating conditions. The strongest deterioration of the gate stack was found for nMOS devices under positive bias temperature instability (PBTI) stress, resulting in a severe threshold voltage shift and increased gate leakage current. A detailed investigation of physical origin and temperature and voltage dependency was done. The reliability issues were caused by the electron trapping into already existing HfO2 oxygen vacancies. The oxygen vacancies reside in different charge states depending on applied stress voltages. This in return also resulted in a strong threshold voltage and gate current relaxation after stress was cut off.The reliability assessment using constant voltage stress does not reflect realistic circuit operation which can result in a changed degradation behaviour. Therefore, the constant voltage stress measurement were extended by considering CMOS operational constraints, where it was found that the supply voltage frequently switches between the gate and drain terminal. The additional drain (off-state) bias lead to an increased Vt relaxation in comparison to zero bias voltage. The off-state influence strongly depended on the gate length and became significant for short channel devices.The influence of the off-state bias on the dielectric breakdown was studied and compared to the standard assessment methods. Different wear-out mechanisms for drain-only and alternating gate and drain stress were verified. Under drain-only stress, the dielectric breakdown was caused by hot carrier degradation. The lifetime was correlated with the device length and amount of subthreshold leakage.The gate oxide breakdown under alternating gate and o-state stress was caused by the continuous trapping and detrapping behaviour of high-k metal gate devices.
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Principles and Technology of Modulation Doped Field Effect Transistors Morkoc, Hadis; etc.; Unlu, H. and Ji, G.
Librería: Librairie Parrêsia, Figeac, Francia
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 30,00
Convertir monedaEUR 13,80 gastos de envío desde Francia a EspañaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritoCondición: Used: Very Good. Principles and Technology of Modulation Doped Field Effect Transistors: v. 1 | Morkoc et alii | Wiley, 1991, in-8 cartonnage éditeur, 261 pages. Couverture propre. Dos solide. Intérieur frais. Exemplaire de bibliothèque : petit code barre en pied de 1re de couv., cotation au dos, rares et discrets petits tampons à l'intérieur de l'ouvrage. Bel état ! [BT19+].
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Microwave field-effect transistors: Theory, design, and applications (Electronic & electrical engineering research studies) Pengelly, Raymond S
Librería: CONTINENTAL MEDIA & BEYOND, Ocala, FL, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 12,73
Convertir monedaEUR 32,79 gastos de envío desde Estados Unidos de America a EspañaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritoCondición: Used: Good. 1986 hardcover no dj xlibrary copy withdrawn stamp on edge of pages/ in book clean text 2nd ed has book plate and card pocket 636 pages::: I-19.
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Field-Effect Transistors
Publicado por McGraw-Hill, 1965
Librería: Anybook.com, Lincoln, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 30,13
Convertir monedaEUR 10,39 gastos de envío desde Reino Unido a EspañaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritoCondición: Good. This is an ex-library book and may have the usual library/used-book markings inside.This book has hardback covers. In good all round condition. Dust jacket in poor condition. Please note the Image in this listing is a stock photo and may not match the covers of the actual item,650grams, ISBN:
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Field Effect Transistors: Principles, Experiments and Projects
Publicado por W Foulsham & Co Ltd, UK, 1969
ISBN 10: 0572006608 ISBN 13: 9780572006600
Idioma: Inglés
Librería: Harry Righton, Evesham, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 35,44
Convertir monedaEUR 11,47 gastos de envío desde Reino Unido a EspañaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritoHardcover. Condición: Good. Estado de la sobrecubierta: Good. includes Good dustjacket. binding tight. owners name to fep. Size: 8vo - over 7¾ - 9¾" tall. Book.
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Optoelectronic Properties Of Vertical Organic Field Effect Transistors
Librería: Books Puddle, New York, NY, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 40,24
Convertir monedaEUR 9,92 gastos de envío desde Estados Unidos de America a EspañaCantidad disponible: 4 disponibles
Añadir al carritoCondición: New.
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Photoresponsive Organic Field-Effect Transistors (photOFETs): Photodoping in OFETs
Librería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 45,44
Convertir monedaEUR 5,15 gastos de envío desde Reino Unido a EspañaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
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