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Physics-based compact modeling and parameter extraction for InP heterojunction bipolar transistors with special emphasis on material-specific physical effects and geometry scaling: Dissertation
Librería: Lucky's Textbooks, Dallas, TX, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 28,40
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Physics-based compact modeling and parameter extraction for InP heterojunction bipolar transistors with special emphasis on material-specific physical effects and geometry scaling: Dissertation
Librería: California Books, Miami, FL, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 32,46
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Physics-based compact modeling and parameter extraction for InP heterojunction bipolar transistors with special emphasis on material-specific physical effects and geometry scaling: Dissertation
Librería: Best Price, Torrance, CA, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 25,50
Convertir monedaEUR 7,65 gastos de envío en Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 2 disponibles
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Physics-based compact modeling and parameter extraction for InP heterojunction bipolar transistors with special emphasis on material-specific physical effects and geometry scaling: Dissertation
Librería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 30,25
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Physics-based compact modeling and parameter extraction for InP heterojunction bipolar transistors with special emphasis on material-specific physical effects and geometry scaling
Publicado por Books On Demand 2017-08-22, 2017
ISBN 10: 3744872807 ISBN 13: 9783744872805
Idioma: Inglés
Librería: Chiron Media, Wallingford, Reino Unido
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 27,27
Convertir monedaEUR 17,78 gastos de envío desde Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 10 disponibles
Añadir al carritoPaperback. Condición: New.
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Physics-based compact modeling and parameter extraction for InP heterojunction bipolar transistors with special emphasis on material-specific physical (Paperback or Softback)
Publicado por Books on Demand 8/22/2017, 2017
ISBN 10: 3744872807 ISBN 13: 9783744872805
Idioma: Inglés
Librería: BargainBookStores, Grand Rapids, MI, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 45,87
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Añadir al carritoPaperback or Softback. Condición: New. Physics-based compact modeling and parameter extraction for InP heterojunction bipolar transistors with special emphasis on material-specific physical. Book.
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Floating Gate Devices: Operation and Compact Modeling Pavan, Paolo; Larcher, Luca and Marmiroli, Andrea
Librería: CONTINENTAL MEDIA & BEYOND, Ocala, FL, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 42,05
Convertir monedaEUR 4,25 gastos de envío en Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritoHardcover. Condición: Used: Good. 2004 hardcover no dj as issued xlibrary copy withdrawn stamp on edge of pages/ in book clean text Kluwer Academic Publ. 129 pages::: J-10.
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Spatial Modeling and Assessment of Urban Form. Analysis of Urban Growth From Sprawl to Compact Using Geospatial Data.
Publicado por Cham, Springer International Publishing; : Springer., 2017
ISBN 10: 3319542168 ISBN 13: 9783319542164
Idioma: Inglés
Librería: Universitätsbuchhandlung Herta Hold GmbH, Berlin, Alemania
Miembro de asociación: GIAQ ILAB VDA
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
Original o primera edición
EUR 20,00
Convertir monedaEUR 30,00 gastos de envío desde Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carrito1st edition 2017. 23.5 cm x 15.5 cm, 0 g. XVI, 331 p. Hardcover. Versand aus Deutschland / We dispatch from Germany via Air Mail. Einband bestoßen, daher Mängelexemplar gestempelt, sonst sehr guter Zustand. Imperfect copy due to slightly bumped cover, apart from this in very good condition. Stamped. Sprache: Englisch.
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Compact Modeling for MOSFET Devices: Small-Signal Models for Multiple-Gate Transistors
Librería: Lucky's Textbooks, Dallas, TX, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 54,04
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Compact Modeling for MOSFET Devices: Small-Signal Models for Multiple-Gate Transistors
Librería: Best Price, Torrance, CA, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 49,67
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Compact Modeling for MOSFET Devices: Small-Signal Models for Multiple-Gate Transistors
Librería: California Books, Miami, FL, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 61,41
Convertir monedaGratis gastos de envío en Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
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Compact Modeling for MOSFET Devices: Small-Signal Models for Multiple-Gate Transistors
Librería: Chiron Media, Wallingford, Reino Unido
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 53,50
Convertir monedaEUR 17,78 gastos de envío desde Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 10 disponibles
Añadir al carritoPaperback. Condición: New.
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Compact Modeling for Mosfet Devices
Librería: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 58,40
Convertir monedaEUR 17,22 gastos de envío desde Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
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POWER/HVMOS Devices Compact Modeling
Librería: Patrico Books, Apollo Beach, FL, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 78,95
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Compact Modeling for Mosfet Devices
Librería: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 67,90
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Añadir al carritoCondición: As New. Unread book in perfect condition.
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Nqs Effects Investigation for Compact Bipolar Transistor Modeling
Publicado por VDM Verlag Dr. Mueller Aktiengesellschaft & Co. KG, 2014
ISBN 10: 3659533149 ISBN 13: 9783659533143
Idioma: Inglés
Librería: Books Puddle, New York, NY, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 82,98
Convertir monedaEUR 3,40 gastos de envío en Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 4 disponibles
Añadir al carritoCondición: New. pp. 156.
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Physics-based compact modeling and parameter extraction for InP heterojunction bipolar transistors with special emphasis on material-specific physical effects and geometry scaling | Dissertation
Librería: preigu, Osnabrück, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 19,90
Convertir monedaEUR 70,00 gastos de envío desde Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 5 disponibles
Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. Physics-based compact modeling and parameter extraction for InP heterojunction bipolar transistors with special emphasis on material-specific physical effects and geometry scaling | Dissertation | Tobias Nardmann | Taschenbuch | 244 S. | Englisch | 2017 | Books on Demand GmbH | EAN 9783744872805 | Verantwortliche Person für die EU: BoD - Books on Demand, In de Tarpen 42, 22848 Norderstedt, info[at]bod[dot]de | Anbieter: preigu.
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Compact Modeling for MOSFET Devices
Librería: moluna, Greven, Alemania
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 46,32
Convertir monedaEUR 48,99 gastos de envío desde Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Añadir al carritoKartoniert / Broschiert. Condición: New.
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Compact Modeling: Principles, Techniques and Applications
Librería: HPB-Red, Dallas, TX, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 96,50
Convertir monedaEUR 3,19 gastos de envío en Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritohardcover. Condición: Good. Connecting readers with great books since 1972! Used textbooks may not include companion materials such as access codes, etc. May have some wear or writing/highlighting. We ship orders daily and Customer Service is our top priority!
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Compact modeling of spintronic devices
Publicado por LAP LAMBERT Academic Publishing, 2012
ISBN 10: 3848492741 ISBN 13: 9783848492749
Idioma: Inglés
Librería: moluna, Greven, Alemania
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 49,26
Convertir monedaEUR 48,99 gastos de envío desde Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
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Floating Gate Devices: Operation and Compact Modeling
Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 101,54
Convertir monedaEUR 2,25 gastos de envío en Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 15 disponibles
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Floating Gate Devices: Operation and Compact Modeling (Paperback)
Publicado por Springer-Verlag New York Inc., New York, NY, 2010
ISBN 10: 1441954260 ISBN 13: 9781441954268
Idioma: Inglés
Librería: Grand Eagle Retail, Mason, OH, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
Original o primera edición
EUR 103,87
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Añadir al carritoPaperback. Condición: new. Paperback. Floating Gate Devices: Operation and Compact Modeling focuses on standard operations and compact modeling of memory devices based on Floating Gate architecture. Floating Gate devices are the building blocks of Flash, EPROM, EEPROM memories. Flash memories, which are the most versatile nonvolatile memories, are widely used to store code (BIOS, Communication protocol, Identification code,) and data (solid-state Hard Disks, Flash cards for digital cameras,). The reader, who deals with Floating Gate memory devices at different levels - from test-structures to complex circuit design - will find an essential explanation on device physics and technology, and also circuit issues which must be fully understood while developing a new device. Device engineers will use this book to find simplified models to design new process steps or new architectures. Circuit designers will find the basic theory to understand the use of compact models to validate circuits against process variations and to evaluate the impact of parameter variations on circuit performances.Floating Gate Devices: Operation and Compact Modeling is meant to be a basic tool for designing the next generation of memory devices based on FG technologies. Floating Gate Devices: Operation and Compact Modeling focuses on standard operations and compact modeling of memory devices based on Floating Gate architecture. Shipping may be from multiple locations in the US or from the UK, depending on stock availability.
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Floating Gate Devices : Operation and Compact Modeling
Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 101,56
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Floating Gate Devices: Operation and Compact Modeling
Librería: Best Price, Torrance, CA, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 96,01
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Floating Gate Devices: Operation and Compact Modeling
Librería: Best Price, Torrance, CA, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 96,01
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Floating Gate Devices: Operation and Compact Modeling
Librería: Lucky's Textbooks, Dallas, TX, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 101,82
Convertir monedaEUR 3,40 gastos de envío en Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
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Floating Gate Devices: Operation and Compact Modeling (Hardcover)
Publicado por Springer-Verlag New York Inc., New York, NY, 2004
ISBN 10: 1402077319 ISBN 13: 9781402077319
Idioma: Inglés
Librería: Grand Eagle Retail, Mason, OH, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 105,63
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Añadir al carritoHardcover. Condición: new. Hardcover. Floating Gate Devices: Operation and Compact Modeling focuses on standard operations and compact modeling of memory devices based on Floating Gate architecture. Floating Gate devices are the building blocks of Flash, EPROM, EEPROM memories. Flash memories, which are the most versatile nonvolatile memories, are widely used to store code (BIOS, Communication protocol, Identification code,) and data (solid-state Hard Disks, Flash cards for digital cameras,). The reader, who deals with Floating Gate memory devices at different levels - from test-structures to complex circuit design - will find an essential explanation on device physics and technology, and also circuit issues which must be fully understood while developing a new device. Device engineers will use this book to find simplified models to design new process steps or new architectures. Circuit designers will find the basic theory to understand the use of compact models to validate circuits against process variations and to evaluate the impact of parameter variations on circuit performances. Floating Gate Devices: Operation and Compact Modeling is meant to be a basic tool for designing the next generation of memory devices based on FG technologies. Floating Gate Devices: Operation and Compact Modeling focuses on standard operations and compact modeling of memory devices based on Floating Gate architecture. Shipping may be from multiple locations in the US or from the UK, depending on stock availability.
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Floating Gate Devices: Operation and Compact Modeling
Librería: Lucky's Textbooks, Dallas, TX, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 102,15
Convertir monedaEUR 3,40 gastos de envío en Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
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CFD Modeling of a Compact Pin Fin Heat Exchanger
Publicado por LAP Lambert Academic Publishing Mär 2016, 2016
ISBN 10: 3659328146 ISBN 13: 9783659328145
Idioma: Inglés
Librería: buchversandmimpf2000, Emtmannsberg, BAYE, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 49,00
Convertir monedaEUR 60,00 gastos de envío desde Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 2 disponibles
Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. Neuware -The book deals with the numerical simulation of compact heat exchangers that are primarily used in dissipating heat generated by electronic components and assemblies. The forced-convective cooling of a horizontally based pin-fin assembly has been investigated for the pressure drop and heat transfer characteristics. The effect of pin fin¿s thermal conductivity on the performance of heat exchanger is investigated by considering different fin materials. Subsequently the computations for different fin spacing along the stream-wise direction were carried out. The thermal and fluid-dynamic characteristics along the computational domain are discussed in detail. Finally the performance characteristics of triangular fin heat exchangers are studied and a comparison was made with circular pin fins. The results showed that circular pin fins perform better than triangular pin fins with less pressure drop. The book should be especially useful for the engineers and researchers working in the field of conjugate heat transfer and compact heat exchangers.Books on Demand GmbH, Überseering 33, 22297 Hamburg 96 pp. Englisch.
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Compact Modeling of the RF and Noise Behavior of Multiple-Gate Mosfets
Publicado por VDM Verlag Dr. Mueller Aktiengesellschaft & Co. KG, 2013
ISBN 10: 3843304726 ISBN 13: 9783843304726
Idioma: Inglés
Librería: Books Puddle, New York, NY, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 116,10
Convertir monedaEUR 3,40 gastos de envío en Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 4 disponibles
Añadir al carritoCondición: New. pp. 256.
