9786206905707 - SRAM-Design in Nanometer-Technologien: Niederspannungs-SRAM-Schaltungstechniken de A., Pulla Reddy; G., Sreenivasulu (5 resultados)

Taschenbuch. Condición: Neu. SRAM-Design in Nanometer-Technologien | Niederspannungs-SRAM-Schaltungstechniken | Pulla Reddy A. (u. a.) | Taschenbuch | 132 S. | Deutsch | 2023 | Verlag Unser Wissen | EAN 9786206905707 | Verantwortliche Person für die EU: BoD - Books on Demand, In de Tarpen 42, 22848 Norderstedt, info[at]bod[dot]de | Anbieter: preigu.

Taschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware 132 pp. Deutsch.

Condición: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Autor/Autorin: A. Pulla ReddyA. Pulla Reddy, ausserordentlicher Professor, Fachbereich ECE. Er hat 12 Jahre Lehrerfahrung und seine Forschungsinteressen umfassen digitale und analoge elektronische Schaltungen.Prof. G. Sreenivasulu, Professor, Fachbe.

Taschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Bei der Entwicklung von VLSI, wo eine Verbesserung der Mindestversorgungsspannung und eine Änderung der Speicherzugriffs- oder Zykluszeiten um einige Pico-Sekunden einen großen Einfluss auf die Leistung von SoC-Designs haben. Die Schreib- und Lesestabilität von SRAM-Zellen ist bei niedrigen Versorgungsspannungen und auch bei Prozess-, Spannungs- und Temperaturschwankungen von größter Bedeutung. Wenn eine niedrige Versorgungsspannung an die SRAM-Zelle angelegt wird, kann der Schreibvorgang nicht durchgeführt werden, da die Zelle nicht auf die gewünschten Spannungspegel kippen kann. Zur Verringerung von Schreibfehlern bei niedrigen Versorgungsspannungen wird eine Schreibhilfsschaltung vorgeschlagen, die eine negative Bitleitungsspannung verwendet und die SRAM-Zelle dabei unterstützt, auf die gewünschten Spannungspegel zu kippen und den Schreibvorgang zu unterstützen.Wenn eine niedrige Versorgungsspannung an die SRAM-Zelle angelegt wird, kann der Lesevorgang in der ausgewählten Zelle nicht durchgeführt werden und die in der Zelle gespeicherten Daten werden in den nicht ausgewählten Zellen gestört. Die vorgeschlagene Schaltungstechnik zur Leseunterstützung bei niedriger WL-Spannung verhindert, dass die Daten in den nicht ausgewählten Zellen gestört werden, und unterstützt auch den Lesevorgang in der ausgewählten Zelle.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 132 pp. Deutsch.

Taschenbuch. Condición: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - Bei der Entwicklung von VLSI, wo eine Verbesserung der Mindestversorgungsspannung und eine Änderung der Speicherzugriffs- oder Zykluszeiten um einige Pico-Sekunden einen großen Einfluss auf die Leistung von SoC-Designs haben. Die Schreib- und Lesestabilität von SRAM-Zellen ist bei niedrigen Versorgungsspannungen und auch bei Prozess-, Spannungs- und Temperaturschwankungen von größter Bedeutung. Wenn eine niedrige Versorgungsspannung an die SRAM-Zelle angelegt wird, kann der Schreibvorgang nicht durchgeführt werden, da die Zelle nicht auf die gewünschten Spannungspegel kippen kann. Zur Verringerung von Schreibfehlern bei niedrigen Versorgungsspannungen wird eine Schreibhilfsschaltung vorgeschlagen, die eine negative Bitleitungsspannung verwendet und die SRAM-Zelle dabei unterstützt, auf die gewünschten Spannungspegel zu kippen und den Schreibvorgang zu unterstützen.Wenn eine niedrige Versorgungsspannung an die SRAM-Zelle angelegt wird, kann der Lesevorgang in der ausgewählten Zelle nicht durchgeführt werden und die in der Zelle gespeicherten Daten werden in den nicht ausgewählten Zellen gestört. Die vorgeschlagene Schaltungstechnik zur Leseunterstützung bei niedriger WL-Spannung verhindert, dass die Daten in den nicht ausgewählten Zellen gestört werden, und unterstützt auch den Lesevorgang in der ausgewählten Zelle.