SRAM-Design in Nanometer-Technologien

Idioma: alemán

Editorial: Verlag Unser Wissen Dez 2023, 2023

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This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Bei der Entwicklung von VLSI, wo eine Verbesserung der Mindestversorgungsspannung und eine Änderung der Speicherzugriffs- oder Zykluszeiten um einige Pico-Sekunden einen großen Einfluss auf die Leistung von SoC-Designs haben. Die Schreib- und Lesestabilität von SRAM-Zellen ist bei niedrigen Versorgungsspannungen und auch bei Prozess-, Spannungs- und Temperaturschwankungen von größter Bedeutung. Wenn eine niedrige Versorgungsspannung an die SRAM-Zelle angelegt wird, kann der Schreibvorgang nicht durchgeführt werden, da die Zelle nicht auf die gewünschten Spannungspegel kippen kann. Zur Verringerung von Schreibfehlern bei niedrigen Versorgungsspannungen wird eine Schreibhilfsschaltung vorgeschlagen, die eine negative Bitleitungsspannung verwendet und die SRAM-Zelle dabei unterstützt, auf die gewünschten Spannungspegel zu kippen und den Schreibvorgang zu unterstützen.Wenn eine niedrige Versorgungsspannung an die SRAM-Zelle angelegt wird, kann der Lesevorgang in der ausgewählten Zelle nicht durchgeführt werden und die in der Zelle gespeicherten Daten werden in den nicht ausgewählten Zellen gestört. Die vorgeschlagene Schaltungstechnik zur Leseunterstützung bei niedriger WL-Spannung verhindert, dass die Daten in den nicht ausgewählten Zellen gestört werden, und unterstützt auch den Lesevorgang in der ausgewählten Zelle.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 132 pp. Deutsch.…

N° de ref. del artículo 9786206905707

Título
SRAM-Design in Nanometer-Technologien
Autor
Pulla Reddy A.
Editorial
Verlag Unser Wissen Dez 2023
Año de publicación
2023
Estado
Neu
Encuadernación
Taschenbuch
Idioma
alemán
ISBN 10
6206905705
ISBN 13
9786206905707
Peso del artículo
215 gramos
Dimensiones
220x150x9 mm

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