Isbn: 9786202068901 - numerical modeling of juctionless fet using finite difference method: modeling, simulation and analysis (8 resultados)
- Tapa blanda
Librería: Books Puddle, Woodside, NY, Estados Unidos de AmericaBooks Puddle
Contactar con el vendedorVendedor de 4 estrellasCondición: Nuevo
EUR 92,20
Envío por EUR 3,51Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 4 disponibles
Condición: New. pp. 176.
- Tapa blanda
Librería: moluna, Greven, Alemaniamoluna
Contactar con el vendedorVendedor de 5 estrellasCondición: Nuevo
EUR 58,12
Envío por EUR 48,99Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Condición: New.
- Tapa blanda
Librería: preigu, Osnabrück, Alemaniapreigu
Contactar con el vendedorVendedor de 5 estrellasCondición: Nuevo
EUR 61,05
Envío por EUR 70,00Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 5 disponibles
Taschenbuch. Condición: Neu. NUMERICAL MODELING OF JUCTIONLESS FET USING FINITE DIFFERENCE METHOD | Modeling, Simulation and Analysis | S. Preethi (u. a.) | Taschenbuch | Englisch | 2021 | LAP LAMBERT Academic Publishing | EAN 9786202068901 | Verantwortliche Person für die EU: preigu GmbH & Co. KG, Lengericher Landstr. 19, 49078 Osnabrück, mail[at]preigu[dot]de | Anbieter: preigu. …
- Tapa blanda
- Impresión bajo demanda
Librería: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, AlemaniaBuchWeltWeit Ludwig Meier e.K.
Contactar con el vendedorVendedor de 5 estrellasCondición: Nuevo
EUR 71,90
Envío por EUR 23,00Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 2 disponibles
Taschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Insight of Junctionless MOSFET: Unfold Types of MOSFETs, Necessity for Miniaturization, short Channel Effects in Scaling of Devices, Technique to Reduce Short Channel Effects, Device Modeling, Analytical Modeling of MOSFET, Parameters Involved in the Design of the Device, Performance Analysis of the Device, Channel and Gate engineering, Experimental Analysis of Dual Material Surrounding Gate Junctionless MOSFETs Using Finite Difference Method. 176 pp. Englisch. …
- Tapa blanda
- Impresión bajo demanda
Librería: Majestic Books, Hounslow, Reino UnidoMajestic Books
Contactar con el vendedorVendedor de 4 estrellasCondición: Nuevo
EUR 92,35
Envío por EUR 7,55Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 4 disponibles
Condición: New. Print on Demand pp. 176.
- Tapa blanda
- Impresión bajo demanda
Librería: Biblios, frankfurt am main, HESSE, AlemaniaBiblios
Contactar con el vendedorVendedor de 4 estrellasCondición: Nuevo
EUR 92,96
Envío por EUR 9,95Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 4 disponibles
Condición: New. PRINT ON DEMAND pp. 176.
- Tapa blanda
- Impresión bajo demanda
Librería: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, AlemaniaAHA-BUCH GmbH
Contactar con el vendedorVendedor de 5 estrellasCondición: Nuevo
EUR 73,56
Envío por EUR 35,00Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Taschenbuch. Condición: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - Insight of Junctionless MOSFET: Unfold Types of MOSFETs, Necessity for Miniaturization, short Channel Effects in Scaling of Devices, Technique to Reduce Short Channel Effects, Device Modeling, Analytical Modeling of MOSFET, Parameters Involved in the Design of the Device, Performance Analysis of the Device, Channel and Gate engineering, Experimental Analysis of Dual Material Surrounding Gate Junctionless MOSFETs Using Finite Difference Method.…
- Tapa blanda
- Impresión bajo demanda
Librería: buchversandmimpf2000, Emtmannsberg, BAYE, Alemaniabuchversandmimpf2000
Contactar con el vendedorVendedor de 5 estrellasCondición: Nuevo
EUR 71,90
Envío por EUR 60,00Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Taschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Insight of Junctionless MOSFET: Unfold Types of MOSFETs, Necessity for Miniaturization, short Channel Effects in Scaling of Devices, Technique to Reduce Short Channel Effects, Device Modeling, Analytical Modeling of MOSFET, Parameters Involved in the Design of the Device, Performance Analysis of the Device, Channel and Gate engineering, Experimental Analysis of Dual Material Surrounding Gate Junctionless MOSFETs Using Finite Difference Method.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 176 pp. Englisch.…
